蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法与流程

本发明特别涉及一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，属于半导体制造技术领域。

背景技术：

金属蒸发在半导体制造工艺流程中极为重要且会多次使用的工艺，该步工艺的优劣直接关系到半导体器件的成品率及后续成品的可靠性。目前半导体制造工艺流程中由于金属蒸发前光刻时光刻胶收缩或破裂导致芯片四边无法保护完全，同时芯片侧壁无法通过光刻胶甩胶保护侧壁，因此蒸发金属后会出现难剥离以及金属在芯片四边和侧壁残留的情况，给后道工序带来难度，降低了器件的成品率和可靠性。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，以克服现有技术的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，包括：

在芯片上端面的非器件区域和侧壁上覆设光刻胶层；

于所述芯片上蒸镀金属；

以有机溶剂进行金属剥离并除去所述光刻胶层，而仅于所述芯片上端面的器件区域保留蒸镀金属层。

进一步的，所述方法包括：在芯片上端面的非器件区域和侧壁上均匀涂覆光刻胶，之后使所述光刻胶热固化，形成所述光刻胶层。

进一步的，所述方法包括：以热板烘烤方式使所述光刻胶热固化，形成所述光刻胶层。

进一步的，所述有机溶剂包括丙酮，但不限于此。

与现有技术相比，本发明的优点包括：本发明提供的蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，工艺流程简单，可以解决由于芯片光刻时四周保护不完全导致金属蒸发后难剥离以及金属残留的问题，并且可以在金属剥离的同时完成光刻胶的去除，无需增加额外操作。

附图说明

图1是本发明实施例1中一种表面的非器件区域及侧壁覆盖有光刻胶层的芯片的剖视图；

图2是本发明实施例1中一种表面的非器件区域及侧壁覆盖有光刻胶层的芯片的俯视图；

图3是本发明实施例1中一种表面的非器件区域及侧壁覆盖有光刻胶层和金属层的芯片的剖视图；

图4是本发明实施例1中一种表面的器件区域覆盖有金属层的芯片的剖视图；

图5是本发明实施例1中一种表面的器件区域覆盖有金属层的芯片的俯视图。

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

本发明实施例提供了一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，包括：

在芯片上端面的非器件区域和侧壁上覆设光刻胶层；

于所述芯片上蒸镀金属；

以有机溶剂进行金属剥离并除去所述光刻胶层，而仅于所述芯片上端面的器件区域保留蒸镀金属层。

进一步的，所述方法包括：在芯片上端面的非器件区域和侧壁上均匀涂覆光刻胶，之后使所述光刻胶热固化，形成所述光刻胶层。

进一步的，所述方法包括：以热板烘烤方式使所述光刻胶热固化，形成所述光刻胶层。

进一步的，所述有机溶剂包括丙酮，但不限于此。

实施例1

1)使用画笔蘸取光刻胶，对芯片四边非器件区域以及侧壁进行涂覆；光刻胶涂覆的芯片结构剖视图如图1所示，光刻胶涂覆的芯片结构俯视图如图2所示；

2)光刻胶烘烤定型；使用热板烘烤方式处理所述光刻胶层，使光刻胶凝固定型；

3)蒸发金属；蒸发金属的芯片结构剖视图如图3所示；

4)金属剥离；使用丙酮处理所述芯片，剥离非器件区的金属的同时去除光刻胶；金属剥离的芯片结构剖视图和俯视图分别如图4和图5所示。

本发明提供的蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，工艺流程简单，可以解决由于芯片光刻时四周保护不完全导致金属蒸发后难剥离以及金属残留的问题，并且可以在金属剥离的同时完成光刻胶的去除，无需增加额外操作。

应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，所述方法包括：在芯片上端面的非器件区域和侧壁上覆设光刻胶层；于所述芯片上蒸镀金属；以有机溶剂进行金属剥离并除去所述光刻胶层，而仅于所述芯片上端面的器件区域保留蒸镀金属层。本发明提供的蒸发金属时保护芯片四边及其侧壁的方法，工艺流程简单，可以解决由于芯片光刻时四周保护不完全导致金属蒸发后难剥离以及金属残留的问题，并且可以在金属剥离的同时完成光刻胶的去除，无需增加额外操作。

技术研发人员：黄寓洋
受保护的技术使用者：苏州苏纳光电有限公司
技术研发日：2017.06.29
技术公布日：2017.10.20