技术特征：
技术总结
本发明公开了一种倒装共晶LED阵列的共晶效果评估方法，所述评估方法是依据倒装共晶LED阵列中倒装共晶LED中的芯片和基板之间的结合面积的差异导致的散热差异，对倒装共晶LED阵列的共晶效果进行评估。对于倒装共晶LED阵列中的每个芯片而言，若芯片和基板之间的共晶结合面积大，芯片散热就好，热量不会在芯片上累积，芯片表面温度低，说明所述倒装共晶LED的共晶效果好；反之芯片表面温度高，反之共晶效果不好。根据阵列中各个芯片温度的一致性，评估倒装共晶LED阵列的整体共晶效果是否适合后续封装，无需对倒装共晶LED阵列进行X‑ray探伤检测或超声波探伤检测，节省了检测成本，提高生产效率，非常适合批量生产。
技术研发人员：郭旺;张卫峰;黄集权;邓种华;刘著光;黄秋凤;陈剑
受保护的技术使用者：中国科学院福建物质结构研究所
技术研发日：2017.10.10
技术公布日：2019.04.19