技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于提高高压启动电路静电释放能力的LDMOS器件及相应电路，LDMOS器件与外部低压控制电路相连接，并与外部的结型场效应晶体管共漏极，其中，LDMOS器件包括漏极端、有源区、长度与实际区域相匹配第一孔区域以及长度与实际区域相匹配第二孔区域，漏极端与外部低压控制电路中N阱的接近的区域为静电释放过程中的失效易击穿区域；漏极端中包括金属导体，该金属导体通过第一孔区域以及第二孔区域与有源区相连接，其中，失效易击穿区域为无孔结构，该区域位于第一孔区域与第二孔区域之间并阻隔该第一孔区域和第二孔区域，迫使LDMOS器件中除失效易击穿区域的其余区域也参与静电释放电流泄放。采用该种结构的LDMOS器件，可以在不改变版图面积的情况下，提高器件抗静电释放能能力。
技术研发人员：彭云武;刘玉芳;刘君
受保护的技术使用者：无锡华润矽科微电子有限公司
技术研发日：2017.11.06
技术公布日：2019.05.14