本发明涉及太赫兹波滤波器，尤其涉及一种可调太赫兹波窄带滤波器。
背景技术：
太赫兹技术是二十世纪80年代末发展起来的一种新技术。太赫兹(THz)波是指频率在0.1～10THz范围内的电磁波。太赫兹波独特的频率范围(位于微波频段和光频段之间)覆盖了多数大分子物质的分子振动和转动光谱，因此多数大分子物质在太赫兹频段无论其吸收谱、反射谱还是发射谱都具有明显的指纹谱特性，这一点是微波所不具备的。太赫兹系统在半导体材料、高温超导材料的性质研究以及化学和生物的成像等诸多方面的应用已经把太赫兹研究的重要性凸现出来。太赫兹脉冲光源与传统光源相比具有很多独特的性质，如：瞬态性、宽带性、相干性、低能性等，太赫兹技术已经被证明在更加深入的物理研究以及实际应用中有着广阔的应用前景。因此太赫兹技术以及太赫兹器件的研究逐渐成为世界范围内广泛研究的热点。
太赫兹系统主要由辐射源、探测器件和各种功能器件组成。在实际应用中，由于应用环境噪声以及应用需要的限制等，需控制太赫兹波系统中的太赫兹波的通断，因而太赫兹波滤波器在实际中有重要的应用。当前国内外研究的并提出过的太赫兹波滤波器结构主要基于光子晶体、超材料等结构，这些结构往往很复杂，而且在实际制作过程中困难重重，成本较高，对加工工艺和加工环境要求也高。所以迫切需要提出结构简单、尺寸小、便于加工制作的太赫兹波滤波器来支撑太赫兹波应用领域的发展。
技术实现要素：
本发明为了克服现有技术不足，提供一种结构简单、性能好的可调太赫兹波窄带滤波器。
为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种可调太赫兹波窄带滤波器，其特征在于包括基底层、第一种矩形金属片、圆形结构、第二种矩形金属片、长条形结构；两层基底的上层为SOI，下层为SiO2，上层铺有圆形结构、长条形结构，圆形结构由32个形状大小相同的第一种矩形金属片围成，长条形结构由48个形状大小相同的第二种矩形金属片自左向右依次排列组成，圆形结构、长条形结构组成的图形关于竖直方向左右对称，长条形结构最左侧设有信号输入端，长条形结构最右侧设有信号输出端。
所述的基底层的上层材料是SOI，下层材料是SiO2，两层的尺寸大小都相同，长度均为63μm～64μm，宽度均为29μm～30μm，厚度均为1μm～3μm。所述的第一种矩形金属片，每个小矩形的长度均为1μm～3μm，宽度均为0.5μm～1.5μm。所述的圆形结构由32个形状大小相同的第一种矩形金属片围成，圆的半径为6μm～7μm。所述的第二种矩形金属片，每个小矩形的长度均为1μm～3μm，宽度均为0.5μm～1.5μm。所述的长条形结构的长度为51μm～52μm，宽度为1μm～3μm。
本发明具有设计原理简单、尺寸小，成本低、易于集成等优点。
附图说明：
图1是可调太赫兹波窄带滤波器的结构示意图；
图2是可调太赫兹波窄带滤波器的不同电压输入传输效率示意图；
具体实施方式
如图1所示，可调太赫兹波窄带滤波器包括基底层1、第一种矩形金属片2、圆形结构3、第二种矩形金属片4、长条形结构5；两层基底1的上层为SOI，下层为SiO2，上层铺有圆形结构3、长条形结构5，圆形结构3由32个形状大小相同的第一种矩形金属片2围成，长条形结构5由48个形状大小相同的第二种矩形金属片4自左向右依次排列组成，圆形结构3、长条形结构5组成的图形关于竖直方向左右对称，长条形结构5最左侧设有信号输入端，长条形结构5最右侧设有信号输出端。
所述的所述的基底层1的上层材料是SOI，下层材料是SiO2，两层的尺寸大小都相同，长度均为63μm～64μm，宽度均为29μm～30μm，厚度均为1μm～3μm。所述的第一种矩形金属片2，每个小矩形的长度均为1μm～3μm，宽度均为0.5μm～1.5μm。所述的圆形结构3由32个形状大小相同的第一种矩形金属片2围成，圆的半径为6μm～7μm。所述的第二种矩形金属片4，每个小矩形的长度均为1μm～3μm，宽度均为0.5μm～1.5μm。所述的长条形结构5的长度为51μm～52μm，宽度为1μm～3μm。
实施例1
可调太赫兹波窄带滤波器：
基底层的上层材料是SOI，下层材料是SiO2，两层的尺寸大小都相同，长度均为4μm，宽度均为30μm，厚度均为2μm。所述的第一种矩形金属片，每个小矩形的长度均为2μm，宽度均为1μm。所述的圆形结构由32个形状大小相同的第一种矩形金属片围成，圆的半径为7μm。所述的第二种矩形金属片，每个小矩形的长度均为2μm，宽度均为1μm。所述的长条形结构的长度为52μm，宽度为2μm。可调太赫兹波窄带滤波器的各项性能指标采用COMSOL Multiphysics软件进行测试，信号从信号输入端输入的传输效率如图2所示，增加电压实现曲线的右移。本发明所涉及的可调太赫兹波窄带滤波器表现了很好的传输效率。