一种蓝光LED灯的制作方法

本实用新型涉及LED灯技术领域，具体涉及一种蓝光LED灯。

背景技术：

随着液晶显示技术的不断发展，液晶电视特别是彩色液晶电视的应用领域也在不断拓宽，液晶电视所涉及的一个重要部份是背光源。目前液晶电视行业上采用的TV背光灯条产品是普通波长为415nm～455nm区间的LED灯，该波长范围的可见光包括大量对人体有害的蓝紫光。根据研究，蓝光波长越短，其对视网膜细胞的伤害最大，会造成人眼细胞生存力下降、细胞坏死、细胞凋亡的问题。因而，需要减少液晶电视或液晶显示的有害蓝光，以保护用户视力。

技术实现要素：

针对现有技术存在上述技术问题，本实用新型目的在于提供一种能够减少短波长的蓝光LED灯，该蓝光LED灯具有结构简单、防蓝光伤害视网膜的优点。

为实现上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

提供一种蓝光LED灯，包括支架、设于所述支架内的蓝光LED芯片，所述支架上设有与外电路电连接的金属导电体，所述蓝光LED芯片通过金线与所述金属导电体连接，所述蓝光LED芯片的外表面封装有红绿荧光封装胶；所述蓝光LED芯片包括由下往上依次层叠的金属反射层、蓝宝石衬底、n-GaN层、MOW层、P-GaN层和ITO层，所述ITO层上设置P电极，所述P-GaN层上设置N电极；其中，所述红绿荧光封装胶由红绿荧光粉与环氧树脂所混合而成。

其中，所述金属反射层的厚度为100～200nm、所述蓝宝石衬底的厚度为100～200μm、所述n-GaN层的厚度为1～5μm、所述MOW层的厚度为40～60nm、所述P-GaN层厚度为500～700nm和所述ITO层的厚度为150～300nm。

其中，所述金属反射层的厚度为150nm、所述蓝宝石衬底的厚度为150μm、所述n-GaN层的厚度为3μm、所述MOW层的厚度为50nm、所述P-GaN层厚度为600nm和所述ITO层的厚度为230nm。

其中，所述支架设有腔体，所述金属导电体固定于所述腔体的内底部并伸出所述支架外部，所述蓝光LED芯片固定在所述腔体底部且通过金线与位于腔体内的金属导电体连接。

其中，所述红绿荧光封装胶填满所述支架的腔体。

本实用新型的有益效果：

本实用新型的一种蓝光LED灯，由于蓝光LED芯片发出的蓝光波长为主要波长且存在于光源中，在蓝光LED芯片上封装了红绿荧光封装胶后，红绿荧光对蓝光波长有效干涉，降低蓝光出光比例，尤其是红绿荧光封装胶由红绿荧光粉和环氧树脂混合而成，红绿荧光封装胶均匀沉淀在蓝光LED芯片外表面上，所形成的荧光层能有效降低蓝光溢出，从而减少了蓝光，进而减少对视网膜有害的短波长蓝光；另外，本实用新型的蓝光LED芯片的结构层中减去P-AlGaN层，从而减少了Al组分，可避免发光效率过高而造成有害光伤害视网膜；此外，蓝光LED芯片还增加了ITO层即铟锡氧化物半导体透明导电膜，该ITO层具有较好的导电性和透明性且可切断有害的电子辐射、减少有害短波长的蓝光；而且，蓝光LED芯片中还增加了金属反射层，金属反射层把晶片射出的光线较好地反射出来，即，提高对视网膜伤害较少的光线强度；结合上述结构，本实用新型的蓝光LED灯将波长432nm以下藍光減少80％，将波长446nm以下蓝光減少60％，能有效减少有害蓝光对人眼細胞生存力下降、細胞壞死、細胞凋亡的影响。

附图说明

图1为本实用新型一种蓝光LED灯的结构示意图；

图2为蓝光LED芯片的结构示意图。

附图标记：

支架——1；蓝光LED芯片——2、金属反射层——21、蓝宝石衬底——22、n-GaN层——23、MOW层——24、P-GaN层——25、ITO层——26、P电极——27、N电极——28；金属导电体——3；金线——4；红绿荧光封装胶——5；固晶胶——6。

具体实施方式

以下结合具体实施例及附图对本实用新型进行详细说明。

实施例1。

本实施例的蓝光LED灯如图1和图2所示，设有支架1，支架1设有腔体，腔体的内底部固定有金属导电体3，该金属导电体3伸出支架1外部从而与外电路电连接。支架1的腔体内置了蓝光LED芯片2，蓝光LED芯片2用固晶胶6固定在腔体内，其通过金线4与连接金属导电体3，当然，金属导电体还可另外的设置方式，只要能与外部电路电连接即可。蓝光LED芯片2的外表面封装了红绿荧光封装胶5，红绿荧光封装胶5由红绿荧光粉和环氧树脂混合而成，红绿荧光封装胶5还可以是其他结构的封装体，且，红绿荧光封装胶5填满支架1的腔体，从而保证充足的红绿荧光量。另外，蓝光LED芯片2的具体结构包括：由下往上依次层叠的金属反射层21、蓝宝石衬底22、n-GaN层23、MOW层24、P-GaN层25和ITO层26，ITO层26上设置P电极27，P-GaN层25上设置N电极28。另外，金属反射层的厚度为100～200nm、所述蓝宝石衬底的厚度为100～200μm、所述n-GaN层的厚度为1～5μm、所述MOW层的厚度为40～60nm、所述P-GaN层厚度为500～700nm和所述ITO层的厚度为150～300nm。优选地为，金属反射层21的厚度为150nm、蓝宝石衬底22的厚度为150μm、n-GaN层23的厚度为3μm、MOW层24的厚度为50nm、P-GaN层25厚度为600nm和ITO层26的厚度为23，蓝光LED芯片各层的厚度精心设计，这样能有效地控制蓝光产生量。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。