技术总结
提供了一种在例如离子注入之后从衬底去除光致抗蚀剂的方法。在一个示例性实现中，方法可以包括将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在本体光致抗蚀剂上形成的硬壳。方法可以包括在处理室中开始第一剥离处理。方法可以包括在第一剥离处理期间使用与等离子体相关联的光发射信号。方法可以包括至少部分地基于光发射信号来识别第一剥离处理的终点。方法可以包括至少部分地基于终点来终止第一剥离处理。方法可以包括开始第二剥离处理以从衬底去除光致抗蚀剂。
技术研发人员：刘维华;康俊彦;维贾伊·M·瓦尼亚普拉;哈伊-奥·M·潘-武;马绍铭
受保护的技术使用者：马特森技术有限公司
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2018.10.23