连接载体、光电子器件和用于制造连接载体或光电子器件的方法与流程

印刷文献us8,975,532b2和de102008044847a1分别描述了一种连接载体，一种光电子半导体器件和一种用于制造连接载体的方法。

技术实现要素：

要解决的任务在于，说明一种连接载体以及一种光电子器件，它们能够特别成本适宜地制造。要解决的另一任务在于，说明一种可以特别可靠地使用的连接载体和光电子器件。

说明一种连接载体。该连接载体例如是电路板，其具有接触元件和用于电连接和电接触的接触点。连接载体还用作机械支撑的载体，电子组件、诸如半导体芯片布置和固定在该载体上。

根据至少一种实施方式，连接载体包括衬底。衬底具有衬底顶面，该衬底顶面由衬底的在衬底上侧的主面形成。衬底还具有与衬底顶面相对的衬底底面，以及将衬底顶面与衬底底面连接的至少一个衬底侧面。

衬底顶面和衬底底面可以例如圆形或n角形地构造。在一种实施方式中，衬底可以是长方体，并且衬底顶面以及衬底底面矩形地，特别是正方形地构造。于是，衬底的边缘长度可以例如在至少2mm和至多50mm之间，特别是在至少6mm和至多35mm之间。

衬底是连接载体的机械承载组件。也就是说，衬底被设置用于机械地支撑和承载连接载体的其他组件。衬底在此机械自支撑地构造。对此，衬底可以刚性地或柔性地构造。

除了机械承载的特性之外，衬底在连接载体中还可以承担其他特性。因此，衬底例如可以在衬底顶面处吸收光地或者反射光地构造。在这种情况下，衬底可以在连接载体中承担光学特性。

此外，衬底可以在连接载体中承担电特性。为此，衬底例如可以在衬底顶面处导电地或电绝缘地构造。

衬底具有主延伸平面，沿着该主延伸平面，衬底沿两个横向方向延伸。

衬底的主延伸平面可以例如在制造公差的范围内平行于或沿着衬底的顶面和/或底面伸展。于是，垂直于主延伸平面，在垂直方向上，例如至少一个衬底侧面伸展。沿着该方向，衬底于是具有厚度，该厚度尤其可以与衬底在横向方向上的伸展相比是小的。

衬底尤其可以是薄板，例如薄载体片。衬底在此可以例如具有至少0.3mm和至多2.2mm之间的厚度，特别是至多1.5mm的厚度。特别地，衬底可以具有至少0.5mm且至多1.0mm的厚度。

衬底尤其可以含有金属或由金属组成。例如，衬底多层地构造。于是，衬底可以具有基体、介电层系统和可选地具有金属反射层。在此，例如基体的裸露外表面可以形成衬底底面。此外，介电层系统或金属反射层的裸露外表面可以至少局部地形成衬底顶面。衬底的基体例如可以由诸如铝之类的金属形成，或者由金属构成。衬底的基体的背离衬底底面的一侧可以条形氧化和/或阳极氧化。可选地，金属反射层可以存在于那里，该金属反射层例如由铝或银形成或由这些材料之一构成。在基体和金属反射层之间可以设置层序列，该层序列可以包含elox层。elox层可包含氧化物、特别是氧化铝或氧化银。

介电层系统可以具有多个层，其中所述层系统的层中的至少一个可以包含氧化物或由氧化物构成。例如，层系统包含tio2、sio2、al2o3、nb2o5或者ta2o5。层系统尤其可以构造为介电镜、诸如布拉格镜。

相应构造的连接载体例如在德国专利申请de102015107675.8中在不同的上下文中予以描述。该专利申请的公开内容特此明确地通过引用并入本文。

根据至少一种实施方式，连接载体包括连接元件。连接元件电绝缘地构造。连接元件是以下元件，通过所述元件特别是材料决定地相互连接连接载体的组件。“材料决定的”连接是在这里和下文中例如是以下连接，在该连接的情况下连接伙伴通过原子力和/或分子力保持在一起。材料决定的连接的特征例如在于，该连接不能机械非破坏性地分开。也就是说，在试图通过机械力作用分开材料决定的连接时，连接伙伴中的至少一个和/或所述连接元件被破坏和/或损坏。特别是在试图分开时破坏和/或损坏所述连接元件。

例如，材料决定的连接是粘合连接、钎焊连接和/或熔焊连接。此外，材料决定的连接可以通过喷涂和/或蒸镀所述连接元件的材料到连接伙伴中的至少一个上来产生。因此，连接元件例如可以是粘合剂或粘合带。

连接元件可以特别地用氧化物，氮化物，聚合物和/或塑料材料形成，或者由这些材料中的一种构成。例如，连接元件是粘合带，其中术语“带”不应该描述连接元件的形状，而是连接元件例如在俯视图中也可以具有弯曲延伸的外边缘。

连接元件例如可以具有载体层，该载体层由pet或氟聚合物构成或包含这些材料。载体层可以在两侧涂覆粘合剂层。粘合剂层可以在此构型成，使得该粘合剂层仅从确定的接触压力起产生显著的粘合力。粘合剂层也可以构型成，使得它是可硬化的或使得它在敞开的区域中例如通过等离子体处理而失去其粘合力，使得没有颗粒无意地附着到粘合带的在衬底完成状态中的敞开区域上。

连接元件例如可以构造为在制造公差的范围内具有均匀厚度的层。于是，连接元件的厚度可以例如在至少5μm和至多200μm之间，特别是在至少15μm和至多100μm之间。

根据连接载体的至少一种实施形式，连接载体包括导电的接触元件。接触元件可包含至少一种金属或由至少一种金属构成。例如，接触元件可包含配备有涂层的基础材料。接触元件例如可以包括含有不锈钢或铜或由这些材料中的一种构成的基础材料。基础材料的涂层可以至少在接触元件的主面上构造并且在该涂层的背向基础材料的上侧处由金属、如银或金构成，或包含这些金属中的一种。在涂层和基础材料之间可以引入其他材料作为增附剂和/或扩散阻挡层，所述其他材料例如可以包含钛，铂，钯和/或镍，或者由这些材料中的一种构成。

接触元件可以在制造公差的范围内具有恒定的厚度。接触元件在此例如具有在至少5μm和至多200μm之间的，特别是在至少20μm和至多80μm之间的厚度。

根据连接载体的至少一种实施形式，连接载体包括绝缘元件，该绝缘元件电绝缘地构造。绝缘元件例如可以是与连接元件类似地构造的组件，其中绝缘元件仅必须在一个主面上具有粘合或粘附的特性并且第二主面可以不粘合地或不粘附地构造。此外，绝缘元件可以是通过喷涂和/或蒸镀和/或印刷工艺施加的材料。于是，绝缘元件尤其可以是漆层，特别是阻焊漆层。除了其电特性之外，作为连接载体的电绝缘组件，绝缘元件还可以承担连接载体中的光学任务。对此，隔离元件例如可以黑色，彩色或白色地构造。

此外，漆用于绝缘元件被证明是有利的，因为绝缘元件通过该方式也可以覆盖连接元件的面向中心区域的一侧，这在利用特别是蓝光或uv辐射时显著降低了连接元件的负荷，并且因此改进连接元件的老化稳定性。

根据连接载体的至少一种实施方式，连接元件布置在衬底顶面上，接触元件布置在连接元件的背向衬底的一侧上并且绝缘元件布置在接触元件的背向连接元件的一侧上。连接载体的组件，即衬底、连接元件、接触元件和绝缘元件在此可以分别材料决定地相互连接。在此，连接元件尤其促成在衬底和接触元件之间的材料决定的连接。

根据连接载体的至少一种实施方式，绝缘元件覆盖在背向连接元件的接触元件顶面处的和面向衬底侧面的接触元件侧面处的接触元件。在此，特别是绝缘元件可以从接触元件顶面不中断地延伸至接触元件侧面。不面向衬底侧面的接触元件侧面在此能够保持没有绝缘元件。然而也可以的是，不面向衬底侧面的接触元件侧面也至少部分地被绝缘元件覆盖。然而，特别地，所有面向衬底侧面的接触元件侧面完全被绝缘元件覆盖。相反，接触元件顶面局部没有绝缘元件并且仅部分地被绝缘元件覆盖。借助于绝缘元件，可以特别是在连接载体的外边缘处电绝缘接触元件，由此可以避免在连接载体的外边缘处的爬电距离。

根据连接载体的至少一种实施方式，衬底顶面在中心区域中可自由接近。即，至少在衬底顶面的中心区域中没有布置连接载体的其他组分，诸如连接元件、接触元件、绝缘元件并且衬底顶面在那里不由这些组件覆盖。以这种方式，衬底顶面可自由接近，并且例如可以用作半导体器件的安装面，所述半导体器件应该被固定并电连接在连接载体上。然后，半导体器件可以例如与衬底直接接触，或者仅在衬底和半导体器件之间布置连接装置。

根据连接载体的至少一种实施方式，中心区域被绝缘元件侧面包围。也就是说，在与中心区域横向间隔开的至少一个方向上布置有绝缘元件。特别地，绝缘元件可以部分地或完全地侧面包围中心区域。绝缘元件在此可以与中心区域间隔开，使得连接载体的其他组件至少部分地布置在中心区域和绝缘元件之间。绝缘元件用于避免连接载体的外边缘处的爬电距离。通过中心区域被绝缘元件侧面包围的方式，这可以特别有效地实现。

换言之，接触元件和/或连接元件的背离中心区域的侧面被绝缘元件覆盖。因此，借助于绝缘元件，特别是连接载体的外边缘能够电绝缘。

根据连接载体的至少一种实施方式，说明一种连接载体，其具有：

-衬底，其包括衬底顶面、与衬底顶面相对的衬底底面以及衬底侧面，

-电绝缘的连接元件，

-导电的接触元件，和

-电绝缘的绝缘元件，其中

-连接元件布置在衬底顶面上，

-接触元件布置在连接元件的背离衬底的一侧上，

-绝缘元件布置在接触元件的背离连接元件的一侧上，

-衬底侧面将衬底顶面和衬底底面连接，

-绝缘元件覆盖在背离连接元件的接触元件顶面处的和在面向衬底侧面的接触元件侧面处的接触元件，

-衬底顶面在中心区域中可自由接近，并且

-中心区域被绝缘元件侧面包围。

在此，连接载体可以包括恰好一个连接元件，在该连接元件上布置有接触元件或者连接载体包括两个或更多个连接元件，在所述连接元件上布置有两个或更多个接触元件。

特别地，可以的是，连接载体的所描述的组件分别彼此邻接，即，连接元件直接邻接于衬底，接触元件直接邻接于连接元件并且绝缘元件至少直接邻接于接触元件，必要时也直接邻接于连接元件和/或衬底。在这些组件之间的连接在此可以分别是材料决定的连接。通过这种方式，至少在连接载体的外边缘处可以实现接触元件的特别可靠的电绝缘。于是，连接载体可以由所提及的组件组成。即，连接载体于是由衬底、连接元件、接触元件和绝缘元件组成，其中连接元件、接触元件和绝缘元件可以分别以单数或复数存在。

此外可以的是，两个或更多个接触元件布置在刚好一个连接元件上，其中在接触元件之间可以存在以下区域，在所述区域中背离衬底连接元件顶面没有接触元件。在此，连接载体优选地包括通过连接元件和必要时绝缘元件来彼此电绝缘的至少两个彼此电绝缘的接触元件。在两个或更多个接触元件上可以导电地连接以下器件，所述器件应该固定在连接载体上并且与其接触。

这里描述的连接载体在此尤其基于以下考虑：

用于形成连接载体的一种可能性在于，将印刷电路板（printedcircuitboard-pcb）在上侧处施加到高反射性的衬底上，该衬底例如包括具有反射银镜的铝载体片，在用于安装的区域中例如给发光器件留空。另一种可能性在于，作为衬底使用特别是白色的陶瓷材料，将金属化部施加到该陶瓷材料上，该金属化部用作连接器件的印制导线。然而，所提到的连接载体在其制造上是相对昂贵的。因此，与这种连接载体相比，这里描述的连接载体的特征在于特别低的制造成本。

此外，这里描述的连接载体可以具有将其与所提到的连接载体突显出来的其他特性。因此，例如可以的是，在连接载体的两个相对的象限（在其上例如没有构造用于接触连接载体的接触点）上存在电绝缘的区域，因为它们例如被绝缘元件覆盖。例如，这些区域可以被设置用于压紧装置，所述压紧装置在安装连接载体时在确定位置处使用。这些压紧装置例如可以以这种方式利用导电结构、诸如金属止动弹簧来构造。此外可以的是，在这些区域中设置固定开口、例如钻孔，利用所述固定开口借助螺钉，铆钉或螺栓可以将连接载体固定在确定位置处。

此外，这里描述的连接载体的特征在于，连接载体的侧面、尤其衬底侧面可以没有留空尽可能直线和/或平滑地构造。以这种方式，侧面可用于连接载体的定向在确定位置处的机械调节。

此外，在这里描述的连接载体中不需要条带形、即例如矩形地构造接触元件。更确切地说，接触元件在俯视图中的形状可以匹配于对例如应该在连接载体上固定并且接触的器件的要求。因此，例如可以在形状和尺寸上针对线接触（英语：wirebond，线接合）接触来优化接触元件顶面上的接触面。

例如，连接元件和/或接触元件和/或绝缘元件可以在施加到衬底上之前通过冲压或激光工艺来结构化。以这种方式，可以灵活地实现任意的接触或印制导线几何形状。于是，绝缘元件尤其可以是预先结构化的绝缘膜，该绝缘膜粘接到接触元件的裸露区域上，所述裸露区域不被设置用于接触器件。

此外，连接载体的两个接触元件可以在横向方向上彼此接近地放置，使得例如esd（electro-staticdischarge，静电放电）保护元件可以固定在接触元件上并且对于间隔的接触元件可以建立线接触，而不必跨接接触元件之间的对于线接触过长的距离。

此外，在这里描述的连接载体中可以施加接触元件，使得在接触元件和连接载体的外边缘之间提供足够的空间，以便借助绝缘元件将接触元件的面向外边缘的区域电绝缘。以这种方式，可以省去用于使接触元件绝缘的耗费方法，诸如折叠接触元件的端部。

因此，总体上，这里描述的连接载体除了成本适宜的可制造性之外的特征还在于，它可以以特别简单的方式可靠地运行，即例如可以以特别简单的方式防止在连接载体的外边缘处的爬电距离。

根据连接载体的至少一种实施方式，连接元件侧面突出超过接触元件，也就是说在至少一个横向方向上突出超过接触元件。特别地，连接元件可以在所有横向方向上突出超过接触元件。即，连接元件例如略微超出接触元件在横向方向上的尺寸地延伸，并且因此能够实现在接触元件在连接元件上放置时的安装公差。超出在此可以有利地构造得特别小，因为该超出不必用于产生爬电距离。于是，超出例如在至少50μm和至多300μm之间。在极端情况下，可以完全省去超出。

根据连接载体的至少一种实施方式，绝缘元件在背离衬底的连接元件顶面处覆盖连接元件。也就是说，绝缘元件例如从接触元件顶面经过接触元件侧面被拉到连接元件顶面上。以这种方式，可以至少将面向连接载体的外边缘的接触元件侧面完全包封在电绝缘材料中。在这种情况下，接触元件在上侧和侧面通过绝缘元件覆盖并且在下侧由电绝缘的连接元件覆盖。于是，在接触元件侧面的区域中，绝缘元件和连接元件例如彼此直接邻接并且在那里材料决定地相互连接。这导致接触元件完全包裹在该区域中。

根据连接载体的至少一种实施方式，绝缘元件在面向衬底侧面的连接元件侧面处覆盖连接元件。即，在本实施方式中，绝缘元件例如从接触元件顶面经过接触元件侧面被引导到连接元件顶面并且从那里引导到连接元件侧面。绝缘元件在此可以特别是不间断地在所述路线上延伸。通过绝缘元件同样在其侧面处覆盖连接元件并且在那里例如与连接元件材料决定地连接，至少在连接载体的外边缘的区域中得出接触元件利用电绝缘材料的进一步改进的封装。

根据连接载体的至少一种实施方式，绝缘元件局部与衬底直接接触。也就是说，在这种情况下，绝缘元件例如可以从接触元件顶面经过接触元件材料被拉到连接元件顶面并且通过连接元件顶面被拉到衬底顶面和/或被拉到衬底侧面并在那里与衬底直接接触。在本实施方式中，连接载体例如沿着其所有外边缘都被绝缘元件覆盖并且从和到接触元件的爬电距离从连接载体的外边缘起被完全禁止。

根据连接载体的至少一种实施方式，衬底顶面的中心区域侧面、即在横向方向上完全被绝缘元件包围。也就是说，例如可以与衬底直接接触的绝缘元件完全包围中心区域并且例如在衬底的外边缘处覆盖衬底，而不中断。

根据连接载体的至少一种实施方式，连接元件和接触元件在俯视图中局部弯曲地构造。这尤其意味着，连接元件和接触元件不构造为在俯视图中例如矩形构造的条带，而是所述元件在俯视图中具有弯曲的外边缘。利用所述弯曲的外边缘，接触元件的或连接载体的接触元件的形状可以特别准确地匹配于对以下器件的需求，所述器件应该在连接载体上固定并且电连接。

根据连接载体的至少一种实施方式，对于光，衬底至少在衬底顶面的中心区域中具有至少80％、尤其是至少85％的反射率。在此，衬底优选在至少430nm且至多700nm的波长下、特别是在450nm的波长下具有所述反射率。在此，反射率可以特别优选为至少90％。换句话说，垂直于主延伸平面射到衬底的衬底顶面上、例如中心区域中的可见光以至少80％的概率，优选至少85％和特别优选至少90％的概率反射。因此，衬底对于可见的、尤其是蓝光高反射性地构造。这种高反射性的、特别是多层构造的衬底可以成本适宜地制造，并且特别允许将连接载体用于形成光电子器件。

此外说明一种光电子器件。在这里描述的光电子器件中，特别是可以使用这里描述的连接载体。也就是说，针对连接载体公开的所有特征也针对光电子器件公开，并且反之亦然。光电子器件例如是所谓的板上芯片led模块或所谓的“光核”。于是在光电子器件中例如可以使用发光二极管芯片。另外可能的是，替代地或附加地，在光电子器件中使用激光二极管芯片和/或光电探测器芯片。

根据光电子器件的至少一种实施方式，光电子器件包括这里描述的连接载体。此外，这里描述的光电子器件包括一个、特别是至少两个光电子半导体芯片，它们例如可以是同样的半导体芯片。也就是说，其例如可以是在制造公差范围内相同构造的半导体芯片。在此，光电子半导体芯片可以是发光二极管芯片和/或光电二极管芯片和/或激光二极管芯片。

特别地，光电子半导体芯片可以是所谓的蓝宝石芯片。这些芯片例如可以包括由蓝宝石构成且是生长衬底的一部分的载体，在该生长衬底上外延地沉积包括被设置用于辐射产生的有源区域的半导体层序列。

根据至少一种实施方式，光电子半导体芯片在衬底上固定在衬底顶面上的中心区域中。也就是说，光电子半导体芯片在没有连接元件，接触元件和绝缘元件的区域中施加到衬底上。例如，半导体芯片可以通过粘贴或焊接在中心区域中固定在衬底上，其中在衬底和光电子半导体芯片之间特别是没有电连接。例如，这可以通过以下方式来实现，即在中心区域中电绝缘地构造衬底顶面和/或光电子半导体芯片以其电绝缘的侧、特别是由蓝宝石构成的载体固定在顶面上。

根据至少一种实施方式，光电子半导体芯片与接触元件导电连接。特别地，光电子半导体芯片与连接载体的至少两个接触元件导电连接。例如，光电子器件包括多个光电子半导体芯片，这些光电子半导体芯片至少部分地彼此串联连接。然后，通过连接载体的两个接触元件实现光电子半导体芯片的串联电路的接触。

根据至少一种实施方式，说明一种光电子器件，其具有：

-根据前述权利要求之一所述的连接载体，

-至少两个光电子半导体芯片，其中，

-光电子半导体芯片在衬底上固定在衬底顶面上的中心区域中，并且

-光电子半导体芯片与接触元件导电连接。

根据光电子器件的至少一种实施方式，光电子半导体芯片通过透光的电绝缘包层包围，其中包层与衬底在其衬底顶面处直接接触。例如，包层在衬底顶面的中心区域中与衬底直接接触。包层尤其是施加到光电子半导体芯片上的浇注体。浇注体可以包括基质材料，一种或多种材料的颗粒被引入到该基质材料中。

例如，以下发光材料的颗粒被引入到基质材料中，该发光材料被构造用于吸收由光电子半导体芯片在运行时发射的初级辐射的一部分并且发射另外的波长范围内的、例如具有更大波长的电磁辐射。以这种方式，可以由光电子器件在运行时发射混合光、例如白光。基质材料例如可以是硅树脂材料、环氧树脂材料或硅树脂-环氧树脂混合材料。

除了其光学特性之外，包层还用于机械地保护光电子半导体芯片免受外部影响。此外，包层是光电子器件的电绝缘组件，所述组件可以有助于禁止到连接载体的接触元件的爬电距离。

根据光电子器件的至少一种实施方式，包层与绝缘元件直接接触。例如，绝缘元件在接触元件和连接元件的面向半导体芯片的侧上通过这两个组件来引导，并且在那里覆盖衬底顶面。在这种情况下，绝缘元件例如由漆、例如阻焊漆形成，于是漆完全包围光电子半导体芯片。此外，包层可以与衬底、连接元件、接触元件和绝缘元件直接接触。于是，包层可以特别好地粘附在连接载体上，因为在这种情况下与连接载体的粘附面特别大。

根据光电子器件的至少一种实施方式，面向光电子半导体芯片的绝缘元件外边缘形成用于包层的止挡边缘。在这种情况下，绝缘元件例如布置在接触元件顶面上，并且在连接层的面向光电子半导体芯片的侧上不延伸至连接层，而是终止于接触元件顶面。在该区域中，绝缘元件于是具有面向半导体芯片的外边缘。于是，包层材料在施加到光电子半导体芯片时例如可以关于其粘度被选择成，使得它在绝缘元件的外边缘处停止。有利地，在这种情况下，不需要另外的元件，例如不需要圆周坝，该圆周坝将包层材料固定在衬底顶面的中心区域中，在那里布置有光电子半导体芯片。

根据光电子器件的至少一种实施方式，除了为了接触外部器件而设置的接触点之外，接触元件不能在任何位置处自由接近。特别地，在这种情况下，连接载体的接触元件不可自由接近。在这种情况下，连接载体的一个或多个接触元件在很大程度上完全被连接载体和光电子器件的其他组件覆盖。例如，接触元件完全被绝缘元件和包层覆盖。在此，例如可以使绝缘元件与包层直接接触并且在横向方向上、即侧面完全包围包层。以这种方式，完全禁止了到光电子器件的接触元件的爬电距离。于是，仅在接触点的区域中打开绝缘元件。在此，接触点优选地距离连接载体的外边缘至少1mm，由此产生以下可能性，以绝缘元件的材料覆盖接触点和外边缘之间的区域。

此外，说明了一种用于制造连接载体或光电子器件的方法。借助该方法可以制造这里描述的连接载体和这里描述的光电子器件，即所有针对这里描述的连接载体和这里描述的光电子器件公开的特征也针对方法公开，并且反之亦然。

根据该方法的至少一种实施方式，首先提供一种装置，其包括彼此固定的多个衬底。例如，该装置可以是面板或连续卷，该连续卷可以稍后分割成各个衬底或各个连接载体。在下一方法步骤中，借助冲压在该装置的衬底中产生固定开口和分离开口。在此，固定开口和分离开口的冲压可以有利地在共同的方法步骤中进行，使得可以特别经济地在衬底中产生这些开口。

在此，例如分离开口在彼此相邻的衬底之间沟槽状地延伸，而不沿衬底的整个外边缘延伸。以这种方式，分离开口在稍后的处理步骤中例如用作预定断裂点。

在最后的处理步骤中，沿着分离开口将该装置分割成多个衬底。这可以例如在连接载体完成之后或在光电子器件完成之后进行，使得实现到连接载体或器件的分割。

所提及的元件的结构化以及绝缘元件可能相较于已知的连接载体虽然增加制造成本，但是这通过减少在从衬底的装置中分割连接载体时的耗费而更多地得到补偿，其中不必进行特殊措施来避免接触元件和衬底之间的侧短路。

这里描述的光电子器件可以通过特别大的发光面来表征，该发光面由衬底顶面的中心区域的面形成。例如，发光面可以具有至少1.5mm且至多45mm的直径，特别是在至少5mm和至多33mm之间的直径。特别地，发光面具有大约9mm，大约13mm，大约19mm或大约24mm的直径，其中公差分别可以为1mm。

附图说明

这里描述的连接载体、这里描述的光电子器件以及这里描述的方法在下面借助实施例和所属附图更详细地解释。

图1a，1b和1c借助示意图示出这里描述的连接载体的第一实施例。

图2和3借助示意图示出这里描述的连接载体的另外的实施例。

图4a，4b借助示意图示出在此描述的光电子器件的实施例。

借助图5a，5b，5c的示意图更详细地解释在此描述的方法的实施例。

在图中相同、相似或起相同作用的元件配备有相同的附图标记。附图和附图中所示元件彼此间的大小比例不应严格按比例地来考虑。更确切地说，可以夸大示出各个元件以获得更好的可示性和/或更好的可理解性。

具体实施方式

图1a借助示意性剖面图示出这里描述的连接载体的第一实施例。图1b示出所属的分解图。图1c示出示意性俯视图。

连接载体1包括衬底10。衬底10例如是这里描述的多层载体片。衬底10包括顶面10a，底面10b以及将顶面10a与底面10b连接的侧面10c。在衬底顶面10a上布置有连接元件11，其环形或框架形地包围中心区域18（对此例如参见图1b和ic）。连接元件11与衬底10材料决定地连接。

两个接触元件12在背离衬底的连接元件顶面11a上施加到连接元件11上，所述两个接触元件12与连接元件11材料决定地连接。在此，连接元件11分别在平行于衬底10的衬底顶面10a的主延伸方向的横向方向上突出超过接触元件12。

在背离连接元件的一侧上构造有接触元件顶面12a，该接触元件顶面12a局部由绝缘元件13覆盖。例如，绝缘元件13和接触元件12材料决定地彼此连接。绝缘元件13也可以环形或框架形地包围衬底顶面10a的中心区域18。

在此，绝缘元件13沿着接触元件顶面12a被引导到接触元件侧面12c。绝缘元件13完全覆盖接触元件侧面12c并且在面向衬底侧面10c的一侧上在连接元件顶面11a处与连接元件11直接接触。在当前情况下，连接元件11也在每个位置处侧面完全地超过绝缘元件13或与绝缘元件13齐平地结束。

借助于连接元件11和绝缘元件13，接触元件12在面向连接载体1的外边缘的侧上完全利用连接元件11和绝缘元件13的电绝缘材料来覆盖。

如例如从图1b和1c中可见，连接载体还包括固定开口14，所述固定开口14布置在衬底10的彼此相对的象限中。在此，固定开口14的周围分别没有连接元件11、接触元件12和绝缘元件13。然而也可能的是，特别是，绝缘元件13被引导直至衬底10的外边缘并且也在横向方向上完全包围固定开口14。

连接载体1还包括接触点15，所述接触点15布置在未由固定开口14占据的象限中。在这些接触元件处，不施加绝缘元件13，并且接触元件12在那里分别可自由接近和接触。

连接元件11、接触元件12以及必要时绝缘元件13可以通过诸如冲压或激光切割工艺的方法来结构化，使得它们尤其可以具有弯曲的外表面。在衬底顶面10a的中心区域18中，连接元件11的相对边缘之间的直径d1在当前情况下可以是例如17.9mm。接触元件12的相对边缘之间的直径d2可以是例如18.7mm，并且绝缘元件13的相对边缘之间的直径d3可以是19.8mm。例如，公差在此分别为1mm。

与在图1a中示出的实施例不同，也可能的是，绝缘元件13在接触元件12和连接元件11的面向中心区域18的侧上被引导至衬底10。这在图1a的右侧区域中用虚线表示。例如，如果绝缘元件13不作为膜、而是作为涂层例如借助阻焊漆来实施，则这是绝缘元件13的走向的一个可能的变型方案。例如，在这种情况下，绝缘元件13白色地构造，并且因此可以禁止通过接触元件12或连接元件11的光学妨碍。

结合图2的示意性剖面图，更详细地解释这里描述的连接载体的另一实施例。

图2示出了具有衬底10的连接载体，该衬底10包括衬底顶面10a，与衬底顶面10a相对的衬底顶面10b，以及衬底侧面10c。此外，连接载体1包括电绝缘的连接元件11、导电的接触元件12以及电绝缘的绝缘元件13。在此，连接元件11布置在衬底顶面10a上，接触元件12布置在连接元件11的背向衬底10的侧上，并且绝缘元件13布置在接触元件12的背向连接元件11的侧上。连接元件11侧面突出超过接触元件12。衬底侧面10c将衬底顶面10a和衬底底面10b彼此连接。绝缘元件13在背向连接元件11的接触元件顶面12a处和在面向衬底侧面10c的接触元件侧面12c处覆盖接触元件12。衬底顶面10a在中心区域18中可自由接近，并且中心区域18侧面由绝缘元件13包围。

与图1a的实施例不同，在图2的实施例中，绝缘元件13沿着接触元件顶面12a经过接触元件侧面12c从连接元件顶面11a引导至衬底顶面10a。在此可以的是，绝缘元件13与衬底10的外边缘齐平地结束，或者衬底10侧面突出超过绝缘元件13。

结合图3的示意性剖面图，更详细解释这里描述的连接载体的另一实施例。示出了具有衬底10的连接载体，该衬底10包括衬底顶面10a、与衬底顶面10a相对的衬底底面10b和衬底侧面10c。此外，连接载体包括电绝缘的连接元件11、导电的接触元件12以及电绝缘的绝缘元件13。在此，连接元件11布置在衬底顶面10a上，接触元件12布置在连接元件11的背向衬底10的侧上，并且绝缘元件13布置在接触元件12的背向连接元件11的侧上。连接元件11侧面突出超过接触元件12。衬底侧面10c将衬底顶面10a和衬底底面10b彼此连接。绝缘元件13在背向连接元件11的接触元件顶面12a处和在面向衬底侧面10c的接触元件侧面12c处覆盖接触元件12。衬底顶面10a在中心区域18中可自由接近，并且中心区域18侧面由绝缘元件13包围。

对图2的实施例补充地，在该实施例中构造坝16，该坝16环形或框架形地包围中心区域18。在此，坝16可以由电绝缘材料构造，该电绝缘材料例如具有颜色。例如，坝16可以由填充有颜料的硅树脂材料形成，使得坝16看起来是有色的，吸收辐射的或白色的。例如，坝由二氧化钛填充的硅树脂形成，并且因此看起来是白色的。替代地，坝16可以由绝缘元件13的材料形成。

在任何情况下，在该实施例中，接触元件12的面向中心区域18的侧也都被电绝缘材料包围。仅为了能够实现连接半导体芯片，才在坝中或在绝缘元件中存在留空，所述留空在图3中未示出。

在此，坝16也可以用于包封包层材料22，对此例如参见图4a。

结合图4a和4b的示意图，更详细地解释根据第一实施例的在此描述的光电子器件。对于光电子器件，可以使用这里描述的每个连接载体1。

连接载体1包括衬底10，该衬底10包括衬底顶面10a、与衬底顶面10a相对的衬底底面10b以及衬底侧面10c。此外，连接载体具有电绝缘的连接元件11、导电的接触元件12以及电绝缘的绝缘元件13。如在图1、2和3的实施例中所示，连接元件11布置在衬底顶面10a上，接触元件12布置在连接元件11的背向衬底10的侧上，并且绝缘元件13布置在接触元件12的背向连接元件11的侧上。连接元件11侧面突出超过接触元件12。衬底侧面10c将衬底顶面10a和衬底底面10b彼此连接。

绝缘元件13在背向连接元件11的接触元件顶面12a处和在面向衬底侧面10c的接触元件侧面12c处覆盖接触元件12。衬底顶面10a在中心区域18中可自由接近，并且中心区域18侧面由绝缘元件13包围。在图4a和4b的实施例中使用连接载体，其中连接元件11和绝缘元件13分别延伸直至衬底10的外边缘，使得绝缘元件13、连接元件11和衬底10的面向连接载体的外边缘的侧面相互齐平地结束。

光电子器件还包括多个光电子半导体芯片20，例如发光二极管芯片。半导体芯片20通过与接触元件12导电连接的线接触11至少部分地彼此串联连接。此外，光电子半导体芯片20被包层22包围，该包层22例如可以是填充有转换器的浇注材料。

绝缘元件13的面向半导体芯片22的外边缘13d用作包层材料22的止挡边缘。

如从图4b的俯视图可见，光电子器件还可以包括esd保护元件23，其例如是esd保护二极管，该esd保护二极管与串联连接的光电子半导体芯片20反并联连接。为了连接esd保护元件23，设有另外的接触元件12，其通过另外的连接元件11固定在衬底10上。替代地，可以形成接触元件12，使得不需要另外的连接元件11来放置和接触esd保护元件23。这例如在图1a至1c的连接载体中是可能的，其中两个接触元件12在两个位置彼此具有非常小的距离，使得例如esd保护元件23的线接触可以从一个接触元件到相邻的接触元件。

结合图5a，5b和5c更详细地解释在此描述的方法的实施例。在该方法中，提供了包括多个衬底10的装置。该装置例如是面板或连续卷。在衬底中，通过冲压产生固定开口14和分离开口17。例如，固定开口14和分离开口17可以在相同的工作步骤中预冲压。固定开口14例如用于容纳固定元件、如螺钉、铆钉或螺栓。

分离开口在每个衬底10的大部分外边缘上延伸，却不完全沿着外边缘延伸。以这种方式，衬底10在拐角处悬挂在一起。

在制造连接载体或光电子器件之后，通过沿着分离开口分开该装置，可以使衬底彼此分离。

特别地，这里描述的连接载体以及这里描述的器件的特征在于特别成本适宜的可制造性。这里描述的连接载体和这里描述的器件的另一个优点在于，它们由于避免了特别是在其外边缘处的爬电距离而可以特别可靠地使用。

本发明不由于借助实施例的描述而限制于所述实施例。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的任意组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或该组合本身未在权利要求或实施例中明确说明。

本申请要求德国专利申请de102016103819.9的优先权，该德国专利申请的公开内容特此通过引用并入本文。

附图标记列表

1连接载体

10衬底

10a衬底顶面

10b衬底底面

10c衬底侧面

11连接元件

11a连接元件顶面

11c连接元件侧面

12接触元件

12a接触元件顶面

12c接触元件侧面

13绝缘元件

14固定开口

15接触点

16坝

17分离开口

18中心区域

2光电子器件

20光电子半导体芯片

21接触线

22包层

23esd保护元件

d1直径

d2直径

d3直径