技术特征：
技术总结
本申请说明书公开的技术涉及不使工艺吞吐量或者成品率恶化，而能够抑制碳化硅半导体装置的截止状态下的绝缘破坏的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的碳化硅半导体装置具备：第1导电类型的漂移层(2)；贯通位错(TD)，贯通漂移层(2)而形成；以及第2导电类型的电场缓和区域(12)，设置于漂移层(2)的表层中的与贯通位错(TD)对应的位置。在此，电场缓和区域(12)是外延层。
技术研发人员：渡边友胜;日野史郎;山城祐介;岩松俊明
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2019.03.15