本发明涉及一种隐形切割(注册商标)用粘着片，优选涉及一种将具有贯通电极的半导体晶圆作为工件(work)的隐形切割用粘着片。
背景技术：
对应电子电路的大容量化、高功能化，将多个半导体芯片立体层叠而成的层叠电路的开发不断进展。在这样的层叠电路中，以往一般是利用引线接合(wirebonding)来进行半导体芯片的导电连接，但是由于近年来的小型化、高功能化的必要性，正在将不进行引线接合而是在半导体芯片中设置从电路形成面贯穿到背面的电极(tsv)，由此直接将上下的芯片导电连接的方法作为有效的手法而进行开发。作为带贯通电极的芯片的制造方法，例如可列举出利用等离子体等在半导体晶圆的规定位置设置贯通孔，在该贯通孔内注入铜等导电体后，实施蚀刻等从而在半导体晶圆的表面上设置电路与贯通电极的方法等。此时，晶圆会被加热。
这样的极薄晶圆、tsv晶圆极容易破裂，因此有时会在背面研磨(backgrinding)工序、之后的加工工序或输送工序中破损。因此，在这些工序中，会将晶圆经由粘合剂而保持在玻璃等硬质支撑体上。
在结束晶圆的背面研磨及加工后，将晶圆从硬质支撑体转移到切割片，以环状框固定住切割片的周缘部后，切割晶圆并单片化为多个芯片，之后从切割片上拾取芯片。
拾取利用上述切割而获得的芯片时，扩展(expand)贴附有该芯片的切割片。由此，芯片彼此分开，容易分别拾取芯片。这样的扩展中，通过用台座将切割片中贴附有芯片的区域、从与贴附有该芯片的面为相反的面进行支撑，使贴附于切割片的周缘部的环状框的高度相对于该台座的高度降低来进行。
此外，进行上述扩展时，有时也会在维持扩展的状态下用吸附台吸附切割片后，进行对切割片的贴附有环状框的区域与贴附有芯片的区域之间的区域进行加热并使其收缩的处理(热收缩)。由于该收缩，在切割片中会产生将贴附有芯片的区域向周缘部方向拉伸的力，其结果，即使切割片从利用吸附台的吸附中释放后，仍可维持芯片彼此分开的状态。
专利文献1的技术问题之一在于，在加热收缩工序中显示充分的收缩性、且不在加热收缩工序后发生由松弛导致的不良现象，并公开了一种晶圆加工用胶带，其具有规定的基材膜，通过规定的试验而得到的最大热收缩应力为规定值。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5554118号
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题
然而，切割的方法中，存在：使用切割刀片的切割方法；或者利用激光的照射而在晶圆内部形成改性部，并在该改性部进行分割的切割方法(隐形切割)等。其中，使用切割刀片的方法中，由于晶圆的与切割刀片接触的部分被切削，因此即使在不进行扩展的状态下，获得的芯片彼此也会以其被切削的宽度分离。而在隐形切割中，通过激光的照射而在晶圆内形成改性部，并在该改性部分割晶圆，由此获得多个芯片。因此，晶圆中不会出现如上所述的被切削的部分，获得的芯片在不进行扩展的状态下大部分会彼此接触。
因此，相较于进行使用切割刀片的切割的情况，进行隐形切割的情况下，进行上述的热收缩时，较难维持芯片彼此分开较大的状态，容易产生拾取不良之类的问题。因此，对于也会使用于隐形切割的粘着片，特别要求粘着片可通过热收缩而良好地收缩，且能够维持芯片彼此良好地分开的状态(以下有时称为“热收缩性良好”)。
然而，就专利文献1中公开的晶圆加工用胶带这样的现有的粘着片而言，其热收缩性不足，特别是在进行隐形切割时，不能充分地维持芯片彼此分离较大的状态，其结果，容易发生拾取不良之类的问题。
本发明是鉴于这样的实际情况而进行的，其目的在于提供一种热收缩性优异的隐形切割用粘着片。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，第一，本发明提供一种隐形切割用粘着片，其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层，其特征在于，在边使用热机械分析装置以升温速度20℃/分钟将所述基材从25℃加热到120℃、边以0.2g的负荷拉伸所述基材的情况下，将从所述基材的60℃时的长度减去所述基材的初始长度而得到的所述基材的长度变化量设定为δl60℃，并将从所述基材的90℃时的长度减去所述基材的初始长度而得到的所述基材的长度变化量设定为δl90℃时，满足下述式(1)的关系：
δl90℃－δl60℃＜0μm…(1)(发明1)。
对于上述发明(发明1)的隐形切割用粘着片，通过使使用热机械分析装置测定的基材的长度变化量δl90℃及δl60℃满足上述式(1)的关系，可以发挥优异的热收缩性，由此，可良好地维持芯片彼此分开的状态，其结果可以抑制拾取不良之类的问题。
上述发明(发明1)中，优选：在通过使用差示扫描热量计、以升温速度10℃/分钟将所述基材从0℃加热到200℃而获得的所述基材的dsc曲线中，将30℃至100℃的范围内的测定值的最小值设定为h30℃-100℃，并将25℃时的测定值设定为h25℃时，满足下述式(2)的关系：
h30℃-100℃/h25℃≤4.0…(2)(发明2)。
上述发明(发明1、2)中，优选：在通过使用差示扫描热量计、以升温速度10℃/分钟将所述基材从0℃加热到200℃而获得的所述基材的dsc曲线中，将105℃至200℃的范围内的测定值的最小值设定为h105℃-200℃，并将25℃时的测定值设定为h25℃时，满足下述式(3)的关系：
h105℃-200℃/h25℃≥1.0…(3)(发明3)。
上述发明(发明1～3)中，优选：在通过使用差示扫描热量计、以升温速度10℃/分钟将所述基材从0℃加热到200℃而获得的所述基材的dsc曲线中，将30℃至100℃的范围内的测定值的最小值设定为h30℃-100℃，并将105℃至200℃的范围内的测定值的最小值设定为h105℃-200℃时，满足下述式(4)的关系：
h105℃-200℃/h30℃-100℃≥0.1…(4)(发明4)。
上述发明(发明1～4)中，优选所述基材在23℃下的拉伸弹性模量为50mpa以上、450mpa以下(发明5)。
上述发明(发明1～5)中，优选将具有贯通电极的半导体晶圆作为工件(发明6)。
上述发明(发明1～6)中，优选将层叠有工件的所述隐形切割用粘着片的未层叠所述工件的区域用于半导体装置的制造方法中，该制造方法具备通过加热而进行收缩的工序(发明7)。
发明效果
本发明的隐形切割用粘着片的热收缩性优异。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
本发明的隐形切割用粘着片具备基材与层叠在基材的单面侧的粘着剂层。
1.隐形切割用粘着片的构成构件
(1)基材
对于本实施方式的隐形切割用粘着片，在边使用热机械分析装置以升温速度20℃/分钟将基材从25℃加热到120℃、边以0.2g的负荷拉伸基材的情况下，将从基材的60℃时的长度减去基材的初始长度而得到的基材的长度变化量设定为δl60℃(μm)，并将从基材的90℃时的长度减去基材的初始长度而得到的基材的长度变化量设定为δl90℃(μm)时，基材满足下述式(1)的关系：
δl90℃－δl60℃＜0μm…(1)。
基材满足上述式(1)的关系时，意味着基材的90℃时的长度短于60℃时的长度。因此，在热收缩时，将基材加热到例如90℃以上、200℃以下的温度时，基材能够良好地收缩。由此，具备该基材的隐形切割用粘着片具有优异的热收缩性，在热收缩后，可良好地维持芯片彼此分开的状态，可进行芯片彼此的碰撞受到了抑制的良好的拾取。另外，上述变化量δl90℃及δl60℃的测定方法的细节如后述试验例所记载。
此外，从隐形切割用粘着片发挥更优异的热收缩性的角度出发，δl90℃-δl60℃的值特别优选为-10μm以下。此外，针对δl90℃-δl60℃的值的下限值，没有特别限制，但通常为-3000μm以上，特别优选为-2000μm以上。
另外，作为本实施方式的隐形切割用粘着片所使用的工件，例如可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件、玻璃板等玻璃构件等。上述半导体晶圆也可以为具有贯通电极的半导体晶圆(tsv晶圆)。如上所述，由于本实施方式的隐形切割用粘着片可抑制热收缩后芯片彼此的碰撞，因此即使在使用厚度薄、由此容易生成由上述碰撞导致的芯片破损的工件时，也可以有效地抑制该破损。因此，作为隐形切割用粘着片所使用的工件，通常优选具有非常薄的厚度且具有贯通电极的半导体晶圆。
对于本实施方式的隐形切割用粘着片，优选：在通过使用差示扫描热量计、以升温速度10℃/分钟从0℃加热到200℃而获得的基材的dsc曲线中，将30℃至100℃的范围内的测定值(mw)的最小值设定为h30℃-100℃，并将25℃时的测定值(mw)设定为h25℃时，基材满足下述式(2)的关系：
h30℃-100℃/h25℃≤4.0…(2)。
基材满足上述式(2)时，基材在30℃至100℃的温度范围内不具吸热峰的倾向提高，基材的熔点较高。因此，基材与具备该基材的隐形切割用粘着片具有优异的耐热性。特别是，即使在将隐形切割用粘着片载置于经过加热的吸附台的情况下，也可抑制由基材的软化导致的对吸附台的密合，能够将隐形切割用粘着片从吸附台上良好地分离。另外，上述使用差示扫描热量计的测定方法的细节如后述试验例所记载。
从隐形切割用粘着片显示更优异的耐热性的角度出发，h30℃-100℃/h25℃的值特别优选为3.0以下。此外，针对h30℃-100℃/h25℃的值的下限值，没有特别限制，但通常优选为0.1以上。
本实施方式的隐形切割用粘着片中，优选：在通过使用差示扫描热量计、以升温速度10℃/分钟从0℃加热到200℃而获得的基材的dsc曲线中，将105℃至200℃的范围内的测定值(mw)的最小值设定为h105℃-200℃，并将25℃时的测定值(mw)设定为h25℃时，基材满足下述式(3)的关系：
h105℃-200℃/h25℃≥1.0…(3)。
基材满足上述式(3)时，基材变得容易满足上述式(1)的关系，具备该基材的隐形切割用粘着片有效地发挥优异的热收缩性。其结果，在热收缩后，能更良好地维持芯片彼此分开的状态，可有效地进行芯片彼此的碰撞受到了抑制的良好的拾取。另外，上述使用差示扫描热量计的测定方法的细节如后述试验例所记载。
另外，从隐形切割用粘着片显示更优异的耐热性的角度出发，h105℃-200℃/h25℃的值特别优选为1.1以上。此外，针对h105℃-200℃/h25℃的值的上限值，没有特别限制，但通常优选为20以下。
对于本实施方式的隐形切割用粘着片，优选：在通过使用差示扫描热量计、以升温速度10℃/分钟从0℃加热到200℃而获得的基材的dsc曲线中，将30℃至100℃的范围内的测定值(mw)的最小值设定为h30℃-100℃，并将105℃至200℃的范围内的测定值(mw)的最小值设定为h105℃-200℃时，满足下述式(4)的关系：
h105℃-200℃/h30℃-100℃≥0.1…(4)。
基材满足上述式(4)时，基材变得容易满足上述式(1)的关系，具备该基材的隐形切割用粘着片有效地发挥优异的热收缩性。其结果，在热收缩后，能更良好地维持芯片彼此分开的状态，可有效地进行芯片彼此的碰撞受到了抑制的良好的拾取。进一步，基材满足上述式(4)时，基材在30℃至100℃的温度范围内不具有吸热峰的倾向提高，而且在105℃至200℃的温度范围内具有吸热峰的倾向提高，基材的熔点变得较高。其结果，基材与具备该基材的隐形切割用粘着片具有优异的耐热性。特别是，即使在将隐形切割用粘着片载置于经过加热的吸附台的情况下，也可抑制由基材的软化导致的对吸附台的密合，能够将隐形切割用粘着片从吸附台上良好地分离。另外，上述使用差示扫描热量计的测定方法的细节如后述试验例所记载。
另外，从隐形切割用粘着片显示更优异的耐热性的角度出发，h105℃-200℃/h30℃-100℃的值特别优选为0.7以上，进一步优选为1.5以上。此外，针对h105℃-200℃/h30℃-100℃的值的上限值，没有特别限制，但通常优选为20以下。
对于本实施方式的隐形切割用粘着片，基材在23℃下的拉伸弹性模量优选为450mpa以下，特别优选为400mpa以下，进一步优选为300mpa以下。此外，该拉伸弹性模量优选为50mpa以上，特别优选为70mpa以上，进一步优选为100mpa以上。通过使该拉伸弹性模量为450mpa以下，基材容易因加热而收缩，因此，在热收缩后，能有效地维持半导体芯片、玻璃芯片间彼此分开的状态。另一方面，通过使该拉伸弹性模量为50mpa以上，基材具有充分的刚性，具备该基材的隐形切割用粘着片的加工性、处理性优异。另外，上述拉伸弹性模量的测定方法的细节如后述试验例所记载。
作为基材的材料，只要满足关于利用热机械分析装置的测定的上述式(1)的关系、同时在隐形切割用粘着片的使用工序中发挥所期望的功能，就没有特别限制。此外，粘着剂层由能量射线固化性粘着剂构成时，优选基材的材料能够对为了粘着剂层的固化而照射的能量射线发挥良好的透射性。
基材优选为以树脂类的材料为主材料的树脂膜，作为其具体例，可列举出聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物膜、其他的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物膜；聚氨酯膜；聚苯乙烯膜；氟树脂膜；聚酰亚胺膜；聚碳酸酯膜等。聚烯烃类膜中，聚烯烃可为嵌段共聚物或无规共聚物。作为聚乙烯膜的例子，可列举出低密度聚乙烯(ldpe)膜、直链低密度聚乙烯(lldpe)膜、高密度聚乙烯(hdpe)膜等。此外，也可使用它们的交联膜、离子聚合物膜之类的改性膜。此外，基材也可为将上述膜多层层叠而成的层叠膜。在该层叠膜中，构成各层的材料可为同种也可为不同种。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸。其他类似用语也相同。
作为基材，上述膜之中，从容易满足关于利用热机械分析装置的测定的上述式(1)的关系的角度出发，优选使用低密度聚乙烯膜、直链低密度聚乙烯膜、无规共聚物的聚丙烯膜(无规聚丙烯膜)或乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜。
基材也可以含有阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、离子捕捉剂等各种添加剂。作为这些添加剂的含量，没有特别限制，但优选设定为基材发挥所期望的功能的范围。
为了提高与粘着剂层的密合性，也可在基材的层叠有粘着剂层的面上实施底漆处理、电晕处理、等离子体处理等表面处理。
基材的厚度优选为450μm以下，特别优选为400μm以下，进一步优选为350μm以下。此外，该厚度优选为20μm以上，特别优选为25μm以上，进一步优选为50μm以上。通过使基材的厚度为450μm以下，基材容易进行热收缩，可使半导体芯片、玻璃芯片彼此良好地分开，并进行维持。此外，通过使基材的厚度为20μm以上，基材具有良好的刚性，隐形切割用粘着片可有效地支撑工件。
(2)粘着剂层
本实施方式的隐形切割用粘着片中，粘着剂层只要在隐形切割用粘着片的使用工序中发挥所期望的功能，就没有特别限制。通过使隐形切割用粘着片具备粘着剂层，容易将工件良好地贴附于该粘着剂层侧的面。
粘着剂层可以由非能量射线固化性粘着剂构成，也可以由能量射线固化性粘着剂构成。作为非能量射线固化性粘着剂，优选具有所期望的粘着力及再剥离性的粘着剂，例如可使用丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮类粘着剂、氨基甲酸乙酯类粘着剂、聚酯类粘着剂、聚乙烯基醚类粘着剂等。其中，优选将隐形切割用粘着片延伸时可有效地抑制半导体芯片等的脱落的丙烯酸类粘着剂。
另一方面，由于能量射线固化性粘着剂会因能量射线照射而固化从而粘着力降低，因此欲使半导体芯片与隐形切割用粘着片分离时，能够通过照射能量射线而容易地使其分离。
构成粘着剂层的能量射线固化性粘着剂可以将具有能量射线固化性的聚合物作为主成分，也可以将非能量射线固化性聚合物(不具有能量射线固化性的聚合物)与至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的混合物作为主成分。此外，也可以为具有能量射线固化性的聚合物与非能量射线固化性聚合物的混合物，也可以为具有能量射线固化性的聚合物与至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的混合物，还可以为上述3种的混合物。
首先，以下对能量射线固化性粘着剂以具有能量射线固化性的聚合物为主成分的情况进行说明。
具有能量射线固化性的聚合物，优选为在侧链导入了具有能量射线固化性的官能团(能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(a)(以下有时称为“能量射线固化型聚合物(a)”)。该能量射线固化型聚合物(a)优选通过使具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)与具有同其官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(a2)反应而得到。
丙烯酸类共聚物(a1)优选含有来自含官能团单体的结构单元与来自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。
作为丙烯酸类共聚物(a1)的结构单元的含官能团单体，优选为在分子内具有聚合性的双键与羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体。
作为含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等，它们可单独使用，或者也可组合使用2种以上。
作为含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等烯属不饱和羧酸。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为含氨基单体或含取代氨基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁基氨基乙酯等。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为构成丙烯酸类共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯单体，除了烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯以外，例如优选使用在分子内具有脂环式结构的单体(含脂环式结构单体)。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，特别优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
作为含脂环式结构单体，例如优选使用(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧基乙基酯等。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
丙烯酸类共聚物(a1)优选以1质量％以上、特别优选以5质量％以上、进一步优选以10质量％以上的比例含有来自上述含官能团单体的结构单元。此外，丙烯酸类共聚物(a1)优选以35质量％以下、特别优选以30质量％以下、进一步优选以25质量％以下的比例含有来自上述含官能团单体的结构单元。
进一步，丙烯酸类共聚物(a1)优选以50质量％以上、特别优选以60质量％以上、进一步优选以70质量％以上的比例含有来自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。此外，丙烯酸类共聚物(a1)优选以99质量％以下、特别优选以95质量％以下、进一步优选以90质量％以下的比例含有来自(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。
丙烯酸类共聚物(a1)可通过将如上所述的含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物用常规方法进行共聚而获得，但除了这些单体以外，也可以共聚有二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
通过使上述具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)与具有同其官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(a2)反应，可获得能量射线固化型聚合物(a)。
含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团可根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当地选择。例如，丙烯酸类共聚物(a1)所具有的官能团为羟基、氨基或取代氨基时，作为含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团，优选异氰酸酯基或环氧基，丙烯酸类共聚物(a1)所具有的官能团为环氧基时，作为含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团，优选氨基、羧基或氮丙啶基。
此外，上述含不饱和基团化合物(a2)中，在1分子中至少包含1个、优选包含1～6个、进一步优选包含1～4个能量射线聚合性的碳碳双键。作为这样的含不饱和基团化合物(a2)的具体例，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物、多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而获得的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙基酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-异丙烯基-2-噁唑啉等。
相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的含官能团单体摩尔数，优选以50摩尔％以上、特别优选以60摩尔％以上、进一步优选以70摩尔％以上的比例使用上述含不饱和基团化合物(a2)。此外，相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的含官能团单体摩尔数，优选以95摩尔％以下、特别优选以93摩尔％以下、进一步优选以90摩尔％以下的比例使用上述含不饱和基团化合物(a2)。
在丙烯酸类共聚物(a1)与含不饱和基团化合物(a2)的反应中，可根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的官能团与含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团的组合，适当地选择反应温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、催化剂的种类。由此，丙烯酸类共聚物(a1)中存在的官能团与含不饱和基团化合物(a2)中的官能团反应，不饱和基团被导入丙烯酸类共聚物(a1)中的侧链，获得能量射线固化型聚合物(a)。
以此方式获得的能量射线固化型聚合物(a)的重均分子量(mw)优选为1万以上，特别优选为15万以上，进一步优选为20万以上。此外，该重均分子量(mw)优选为150万以下，特别优选为100万以下。另外，本说明书中的重均分子量(mw)为通过凝胶渗透层析法(gpc法)而测定的标准聚苯乙烯换算的值。
即使在能量射线固化性粘着剂将能量射线固化型聚合物(a)之类的具有能量射线固化性的聚合物作为主成分的情况下，能量射线固化性粘着剂也可进一步含有能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)。
作为能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)，例如可使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
作为该能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)，例如可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能性丙烯酸酯类、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能性丙烯酸酯类、聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯寡聚(甲基)丙烯酸酯等。
对能量射线固化型聚合物(a)掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，相对于能量射线固化型聚合物(a)100质量份，能量射线固化性粘着剂中的能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的含量优选超过0质量份，特别优选为60质量份以上。此外，相对于能量射线固化型聚合物(a)100质量份，该含量优选为250质量份以下，特别优选为200质量份以下。
在此，使用紫外线作为用于使能量射线固化性粘着剂固化的能量射线时，优选添加光聚合引发剂(c)，通过使用该光聚合引发剂(c)，能够减少聚合固化时间及光线照射量。
作为光聚合引发剂(c)，具体而言可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚(benzyldiphenylsulfide)、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、二乙酰、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑-n,n-二乙基二硫代氨基甲酸酯、寡聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。它们可单独使用，也可同时使用2种以上。
相对于能量射线固化型共聚物(a)(掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，为能量射线固化型共聚物(a)及能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的合计量100质量份)100质量份，优选以0.1质量份以上、特别优选以0.5质量份以上的量使用光聚合引发剂(c)。此外，相对于能量射线固化型共聚物(a)(掺合能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)时，为能量射线固化型共聚物(a)及能量射线固化性的单体和/或寡聚物(b)的合计量100质量份)100质量份，优选以10质量份以下、特别优选以6质量份以下的量使用光聚合引发剂(c)。
在能量射线固化性粘着剂中，除了上述成分以外，也可适当地掺合其他成分。作为其他成分，例如可列举出非能量射线固化性聚合物成分或寡聚物成分(d)、交联剂(e)等。
作为非能量射线固化性聚合物成分或寡聚物成分(d)，例如可列举出聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(mw)为3000～250万的聚合物或寡聚物。通过将该成分(d)掺合于能量射线固化性粘着剂，能够改善固化前的粘着性及剥离性、固化后的强度、与其他层的粘合性、保存稳定性等。该成分(d)的掺合量没有特别限制，相对于能量射线固化型共聚物(a)100质量份，可在超过0质量份且为50质量份以下的范围内适当地决定。
作为交联剂(e)，可使用与能量射线固化型共聚物(a)等所具有的官能团具有反应性的多官能性化合物。作为这样的多官能性化合物的例子，可列举出异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。
相对于能量射线固化型共聚物(a)100质量份，交联剂(e)的掺合量优选为0.01质量份以上，特别优选为0.03质量份以上，进一步优选为0.04质量份以上。此外，相对于能量射线固化型共聚物(a)100质量份，交联剂(e)的掺合量优选为8质量份以下，特别优选为5质量份以下，进一步优选为3.5质量份以下。
接着，以下对能量射线固化性粘着剂以非能量射线性固化性聚合物成分与至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的混合物为主成分的情况进行说明。
作为非能量射线固化性聚合物成分，例如可使用与上述丙烯酸类共聚物(a1)同样的成分。
作为至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物，可选择与上述成分(b)相同的物质。关于非能量射线性固化性聚合物成分与至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物的掺合比，相对于非能量射线固化性聚合物成分100质量份，至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物优选为1质量份以上，特别优选为60质量份以上。此外，关于该掺合比，相对于非能量射线固化性聚合物成分100质量份，至少具有1个以上的能量射线固化性基团的单体和/或寡聚物优选为200质量份以下，特别优选为160质量份以下。
此时，也与上述同样地，可适当地掺合光聚合引发剂(c)、交联剂(e)。
粘着剂层的厚度优选为1μm以上，特别优选为2μm以上，进一步优选为3μm以上。此外，该厚度优选为50μm以下，特别优选为30μm以下，进一步优选为20μm以下。通过使粘着剂层的厚度为1μm以上，对隐形切割用粘着片的工件发挥良好的粘着力，能够有效地抑制在意外的阶段中的工件的剥落。此外，通过使粘着剂层的厚度为50μm以下，可抑制隐形切割用粘着片的粘着力过度变高，能够有效地抑制拾取不良的发生等。
(3)剥离片
对于本实施方式的隐形切割用粘着片，在直到将粘着剂层的粘着面贴附到工件为止的期间，以保护该面为目的，也可以在该面上层叠剥离片。剥离片的构成为任意，可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而成的剥离片。作为塑料膜的具体例，可列举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯膜以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选廉价且可获得稳定的性能的硅酮类。剥离片的厚度没有特别限制，但通常为20μm以上、250μm以下。
2.隐形切割用粘着片的制造方法
对于本实施方式的隐形切割用粘着片中的基材的制造方法，只要获得的基材满足关于利用热机械分析装置的测定的上述式(1)的关系，则没有特别限制。例如，可使用上述材料，通过t型模具法、圆模具法等熔融挤出法；轮压法；干式法、湿式法等溶液法来制造基材。这些制造方法中，优选使用t型模具法。
此外，本实施方式的隐形切割用粘着片中的粘着剂层的形成方法没有特别限制。例如，通过将已形成在剥离片上的粘着剂层转印到以上述方式制造的基材的单面侧，能够获得隐形切割用粘着片。此时，通过制备含有构成粘着剂层的粘着性组成物及根据需要进一步含有溶剂或分散介质的涂布液，并利用模涂机、幕涂机、喷涂机、狭缝涂布机、刮刀涂布机等在剥离片的经剥离处理的面(以下有时称为“剥离面”)上涂布该涂布液并形成涂膜、使该涂膜干燥，能够形成粘着剂层。涂布液只要可进行涂布即可，其性状没有特别限制，用于形成粘着剂层的成分有时作为溶质而被含有，也有时作为分散介质而被含有。该层叠体中的剥离片可作为工序材料而进行剥离，也可在直到将隐形切割用粘着片贴附于工件为止的期间用来保护粘着剂层的粘着面。
用于形成粘着剂层的涂布液含有交联剂时，通过改变上述干燥的条件(温度、时间等)或另外设置加热处理，从而使涂膜内的能量射线固化型聚合物(a)或非能量射线固化性聚合物成分与交联剂(e)进行交联反应，在粘着剂层内以所期望的存在密度形成交联结构即可。为了使该交联反应充分地进行，也可在利用上述方法等在基材上层叠粘着剂层后，对所获得的隐形切割用粘着片进行例如在23℃、相对湿度50％的环境下静置数日这样的熟化。
也可直接在基材上形成粘着剂层来代替以上述方式将在剥离片上形成的粘着剂层转印到基材的单面侧。此时，通过将用于形成上述粘着剂层的涂布液涂布在基材的单面侧而形成涂膜，使该涂膜干燥，从而形成粘着剂层。
3.隐形切割用粘着片的使用方法
本实施方式的隐形切割用粘着片能够使用于隐形切割。此外，本实施方式的隐形切割用粘着片能够使用于具备隐形切割的工序的半导体装置的制造方法。
如上所述，本实施方式的隐形切割用粘着片能够抑制热收缩后的芯片彼此的碰撞，因此，能够适宜地使用于厚度薄、由此容易发生芯片破损的工件。例如，本实施方式的隐形切割用粘着片能够适宜地使用于具有贯通电极的半导体晶圆(tsv)。
以下，对具备隐形切割的工序的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明。首先，实施对固定在硬质支撑体上的工件(半导体晶圆)的单面进行研磨(背面研磨)的工序。半导体晶圆例如利用粘合剂来固定于硬质支撑体。作为硬质支撑体，例如可使用玻璃等。背面研磨可利用一般的方法进行。
然后，将已完成背面研磨的半导体晶圆从硬质支撑体转印到隐形切割用粘着片。此时，将半导体晶圆的经过了背面研磨的面和隐形切割用粘着片的粘着剂层侧的面贴合后，将硬质支撑体从半导体晶圆上分离。能够通过相应于粘合剂的种类的方法来进行硬质支撑体从半导体晶圆上的分离，例如可列举出利用加热使粘合剂软化后，使硬质支撑体从半导体晶圆滑动的方法；利用激光照射使粘合剂分解的方法等，上述粘合剂用于固定硬质支撑体与半导体晶圆。另外，从半导体晶圆分离硬质支撑体后，将隐形切割用粘着片的周缘部贴附于环状框。
然后，进行使用溶剂清洗层叠在隐形切割用粘着片上的半导体晶圆的工序。由此，可以去除残留在半导体晶圆上的粘合剂。该清洗可利用一般的方法进行，例如可列举出将隐形切割用粘着片与半导体晶圆的层叠体浸渍于溶剂中的方法；将比半导体晶圆稍大的框以围绕晶圆的方式配置在隐形切割用粘着片上，并将溶剂投入到框内的方法等。
然后，根据需要，也可相对于已层叠在隐形切割用粘着片上的半导体晶圆层叠其他的半导体晶圆。此时，可以使用粘合剂等将半导体彼此固定，例如可以使用非导电性粘合膜(nonconductivefilm；ncf)进行固定。半导体晶圆的层叠可以反复进行直到成为必要的层叠数。这样的半导体晶圆的层叠特别适合在使用tsv晶圆作为半导体晶圆而制造层叠电路时使用。
然后，在隐形切割用粘着片上进行半导体晶圆或半导体晶圆的层叠体(以下称为“半导体晶圆”时，如无特别指明，就是指半导体晶圆或半导体晶圆的层叠体)的隐形切割。该工序中，对半导体晶圆照射激光，在半导体晶圆内形成改性部。激光的照射可使用在隐形切割中常用的装置及条件进行。
然后，在利用隐形切割而形成的改性部分割半导体晶圆，获得多个半导体芯片。该分割例如可通过将隐形切割用粘着片与半导体晶圆的层叠物设置在扩展装置上、并在0℃～室温环境下进行扩展而进行。
然后，将隐形切割用粘着片再次扩展。以使获得的半导体芯片彼此分开为主要目的来进行该扩展。进一步，维持扩展的状态并用吸附台吸附隐形切割用粘着片。此处的扩展能够在常温或加热的状态下进行。此外，扩展可使用一般的装置利用一般的方法进行，此外，也可使用常用的吸附台来进行。
然后，在用吸附台吸附着隐形切割用粘着片的状态下，通过加热使获得的层叠了半导体芯片的隐形切割用粘着片的、未层叠半导体芯片的区域收缩(热收缩)。具体而言，对隐形切割用粘着片的层叠有半导体芯片的区域与隐形切割用粘着片的贴附有环状框的区域之间的区域进行加热，使该区域收缩。作为此时的加热条件，优选将隐形切割用粘着片的温度设为90℃以上。此外，优选将隐形切割用粘着片的温度设为200℃以下。本实施方式的隐形切割用粘着片中，通过使使用热机械分析装置测定的基材的长度的变化量δl90℃及δl90℃满足上述式(1)的关系，基材能够通过加热而良好地收缩。由此，如后文所述，即使隐形切割用粘着片从利用吸附台的吸附释放后，也能够良好地维持半导体芯片彼此分开的状态，可良好地进行半导体芯片的拾取。
然后，将隐形切割用粘着片从上述的利用吸附台的吸附释放。在上述热收缩工序中，通过使隐形切割用粘着片的层叠有半导体芯片的区域与隐形切割用粘着片的贴附有环状框的区域之间的区域进行收缩，由此，在隐形切割用粘着片中会产生将贴附有半导体芯片的区域向周缘部方向拉伸的力。其结果，即使从利用吸附台的吸附释放后，仍然能够维持半导体芯片彼此分开的状态。
然后，将各个半导体芯片以与相邻的半导体芯片分开的状态，从隐形切割用粘着片上拾取。该拾取可使用一般的装置以一般的方法进行。如上所述，本实施方式的隐形切割用粘着片发挥优异的热收缩性，其结果，能够维持半导体芯片彼此良好地分开的状态，由此能够良好地进行拾取。
以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，并不是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式中所公开的各要素，其主旨也包含属于本发明的技术范围的全部的设计变更及均等物。
例如，也可以在基材与粘着剂层之间或者在基材的与粘着剂层为相反侧的面上设置其他的层。
实施例
以下，通过实施例等对本发明进一步具体地进行说明，但是本发明的范围不被这些实施例等限定。
[实施例1]
(1)基材的制造
利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将含有低密度聚乙烯的树脂组合物(sumitomochemicalco.,ltd.制造，产品名称“sumikathenef-412-1”)挤出成型，获得厚度为70μm的基材。
(2)粘着剂组成物的制备
使丙烯酸正丁酯(ba)62质量份、甲基丙烯酸甲酯(mma)10质量份及丙烯酸2-羟基乙酯(hea)28质量份反应而得到丙烯酸类共聚物(a1)，使该丙烯酸类共聚物(a1)与相对于该丙烯酸类共聚物(a1)的hea为80mol％的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(moi)反应，获得能量射线固化型聚合物(a)。利用后述方法测定该能量射线固化型聚合物(a)的分子量，其结果重均分子量(mw)为50万。
在溶剂中混合获得的能量射线固化型聚合物100质量份(固体成分换算，以下相同)、作为光聚合引发剂的1-羟基环己基苯基酮(巴斯夫公司制造，产品名称“irgacure184”)3.0质量份及作为交联剂的甲苯二异氰酸酯(tosohcorporation制造，产品名称“coronatel”)1.0质量份，获得粘着剂组合物。
(3)粘着剂层的形成
对在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯(pet)膜的单面形成硅酮类的剥离剂层而成的剥离片(linteccorporation制造，产品名称“sp-pet381031”)的剥离面涂布上述粘着剂组合物，通过加热使其干燥，由此在剥离片上形成厚度为20μm的粘着剂层。
(4)隐形切割用粘着片的制造
将上述工序(3)中形成的粘着剂层的与剥离片为相反侧的面同在上述工序(1)中制造的基材的单面贴合，由此获得隐形切割用粘着片。
[实施例2]
除了利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将含有低密度聚乙烯的树脂组合物(sumitomochemicalco.,ltd.制造，产品名称“sumikathenef-723p”)，挤出成形而获得厚度为70μm的基材，并将该基材用作基材以外，利用与实施例1相同的方法，制造隐形切割用粘着片。
[实施例3]
除了利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将含有低密度聚乙烯的树脂组合物(sumitomochemicalco.,ltd.制造，产品名称“sumikathenece3506”)挤出成形而获得厚度为70μm的基材，并将该基材用作基材以外，利用与实施例1相同的方法，制造隐形切割用粘着片。
[实施例4]
除了利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将含有无规聚丙烯的树脂组合物(primepolymerco.,ltd.制造，产品名称“primetpoj-5710”)挤出成形而获得厚度为70μm的基材，并将该基材用作基材以外，利用与实施例1相同的方法，制造隐形切割用粘着片。
[实施例5]
除了利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将含有无规聚丙烯的树脂组合物(primepolymerco.,ltd.制造，产品名称“primetpof-3740”)挤出成形而获得厚度为70μm的基材，并将该基材用作基材以外，利用与实施例1相同的方法，制造隐形切割用粘着片。
[实施例6]
除了利用小型t型模具挤出机(toyoseikiseisaku-sho,ltd.制造，产品名称“laboplastomill”)，将含有乙烯-甲基丙烯酸共聚物的树脂组合物(dupont-mitsuipolychemicalsco.,ltd.制造，产品名称“nucrelnh903c”)挤出成型而获得厚度为70μm的基材，并将该基材用作基材以外，利用与实施例1相同的方法，制造隐形切割用粘着片。
[比较例1]
除了使用厚度为80μm的聚对苯二甲酸丁二酯膜作为基材以外，利用与实施例1相同的方法，制造隐形切割用粘着片。
在此，上述的重均分子量(mw)为使用凝胶渗透层析(gpc)、以以下的条件测定(gpc测定)的聚苯乙烯换算的重均分子量。
<测定条件>
·gpc测定装置：tosohcorporation制造，hlc-8020
·gpc色谱柱(按照以下的顺序通过)：tosohcorporation制造
tskguardcolumnhxl-h
tskgelgmhxl(×2)
tskgelg2000hxl
·测定溶剂：四氢呋喃
·测定温度：40℃
[试验例1](基材的拉伸弹性模量的测定)
将实施例及比较例中制造的基材裁切成15mm×140mm的试验片，依据jisk7161:2014，测定温度为23℃及相对湿度为50％时的拉伸弹性模量。具体而言，利用拉伸试验机(orientecco.,ltd.制造，产品名称“tensilonrta-t-2m”)、将夹头间距离设定为100mm后，以200mm/min的速度对上述试验片实施拉伸试验，测定拉伸弹性模量(mpa)。另外，对基材成型时的挤出方向(md)及与其呈直角的方向(cd)均进行测定，将这些测定结果的平均值作为拉伸弹性模量断裂伸长率。将结果示于表1。
[试验例2](利用差示扫描热量计的测定)
从实施例及比较例中制造的基材切出4.0mg的份量，作为测定样品。使用差示扫描热量计(tainstruments公司制造，产品名称“q2000”)、以升温速度10℃/分钟将该测定样品从0℃加热到200℃，获得dsc曲线。
将获得的dsc曲线中的25℃时的测定值(mw)设定为h25℃，将30℃至100℃的范围内的测定值(mw)的最小值设定为h30℃-100℃，将105℃至200℃的范围内的测定值(mw)的最小值设定为h105℃-200℃。将这些结果示于表1。
此外，算出h30℃-100℃相对于h25℃的比(h30℃-100℃/h25℃)、h105℃-200℃相对于h25℃的比(h105℃-200℃/h25℃)以及h105℃-200℃相对于h30℃-100℃的比(h105℃-200℃/h30℃-100℃)。将这些结果示于表1。
[试验例3](利用热机械分析装置的测定)
将实施例及比较例中制造的基材裁切成4.5mm×20mm的大小，作为测定样品。利用热机械分析装置(bruker公司制造，产品名称“tma4000sa”)、将夹头间距离设定为15mm后，边以升温速度20℃/分钟将该测定样品从25℃加热到120℃，边以0.2g的负荷将该测定样品沿长轴方向拉伸。然后，分别测定60℃及90℃时的测定样品的夹头间距离。
然后，通过从60℃时的测定样品的夹头间距离减去初始的夹头间距离，算出测定样品的夹头间距离的变化量δl60℃(μm)。此外，通过从90℃时的测定样品的夹头间距离减去初始的夹头间距离，算出测定样品的夹头间距离的变化量δl90℃(μm)。进一步，算出从δl90℃减去δl60℃而得到的值(δl90℃-δl60℃)(μm)。将这些结果示于表1。
[试验例4](耐热性的评价)
将剥离片从实施例及比较例中制造的隐形切割用粘着片上剥离后，使该隐形切割用粘着片的基材侧的面在多晶圆架座(multiwafermounter)(linteccorporation制造，产品名称“rad-2700f/12”)所具备的吸附台上吸附2分钟。在该吸附期间，将吸附台加热到70℃。
经过2分钟后，停止利用吸附台的吸附，然后，使上述多晶圆架座所具备的运送机构驱动，使得隐形切割用粘着片从吸附台分离。此时，将该分离良好地进行，隐形切割用粘着片能无问题地运送的情况评为“○”；将虽然发生些许隐形切割用粘着片对多孔台的密合，但能够运送隐形切割用粘着片的情况评为“△”；将隐形切割用粘着片完全密合于多孔台，无法运送隐形切割用粘着片的情况评为“×”，对隐形切割用粘着片的耐热性进行评价。将结果示于表1。
针对将上述吸附台加热到90℃的情况也进行以上的耐热性的评价。将结果示于表1。
[试验例5](热收缩性的评价)
将剥离片从实施例及比较例中制造的隐形切割用粘着片上剥离，使用多晶圆架座(linteccorporation制造，产品名称“rad-2700f/12”)对露出的粘着剂层的粘着面贴附硅晶圆(外径：8英寸，厚度：100μm)及环状框(不锈钢制)。
然后，使用激光切割机(discocorporation制造，产品名称“dfl7361”)，对贴附在隐形切割用粘着片上的上述硅晶圆照射波长为1342nm的激光，以使所获得的芯片尺寸成为8mm×8mm的方式，在硅晶圆内形成改性部。
然后，将贴附有隐形切割用粘着片的、激光照射后的硅晶圆及环状框设置于分离扩片机(dieseparator)(discocorporation制造，产品名称“dds2300”)，在0℃下以100mm/秒的下落速度、10mm的扩张量进行扩张(冷扩张)。由此，半导体晶圆在改性部中被分割，可获得各自的芯片尺寸为8mm×8mm的多个半导体芯片。
然后，以1mm/秒的下落速度、7mm的扩张量将隐形切割用粘着片扩张。进一步，维持已扩展的状态，利用吸附台吸附隐形切割用粘着片之后，对隐形切割用粘着片的贴附有半导体芯片的区域与贴附有环状框的区域之间进行加热。作为此时的加热条件，将ir加热器的设定温度设为600℃、将旋转速度设为1deg/sec、将支撑隐形切割用粘着片的吸附台与加热器之间的距离设为13mm。由此，隐形切割用粘着片被加热至约180℃。
然后，将隐形切割用粘着片从利用吸附台的吸附释放，测定5处相邻的半导体芯片间的距离，算出其平均值。然后，将该平均值为20μm以上的情况评为“○”，小于20μm的情况评为“×”，评价热收缩性。将结果示于表1。
由表1可知，实施例中获得的隐形切割用粘着片的热收缩性优异。此外，实施例1～3中获得的隐形切割用粘着片的耐热性也优异。
工业实用性
本发明的隐形切割用粘着片可在对具有贯通电极的半导体晶圆进行隐形切割时适当使用。