1.一种光电子半导体器件(10)，包括：
-具有主延伸平面的载体(11)，
-至少一个半导体芯片(12)，其布置在所述载体(11)上，
-框架(13)，其布置在所述载体(11)上并且在平行于所述载体(11)的主延伸平面的横向方向(x，y)上围绕所述半导体芯片(12)，
-覆盖所述至少一个半导体芯片(12)和框架(13)的转换层(14)，其中
-所述至少一个半导体芯片(12)比所述框架(13)在竖直方向(z)上延伸得更远，其中所述竖直方向(z)垂直于所述载体(11)的主延伸平面，
-所述半导体芯片(12)被构造成在所述半导体器件(10)的操作期间发射电磁辐射，以及
-所述框架(13)和所述半导体芯片(12)在横向方向(x，y)上通过间隙(15)彼此间隔开。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)的热导率大于所述转换层(14)的热导率。
3.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述半导体芯片(12)在未被所述载体(11)覆盖的所有表面处被所述转换层(14)覆盖。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)包括玻璃。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)包括硼硅酸盐玻璃。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述间隙(15)的横向宽度达到至少25μm且至多50μm。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)与所述载体(11)直接接触。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述框架(13)与所述转换层(14)直接接触。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述转换层(14)被构造成转换由所述半导体芯片(12)发射的电磁辐射的波长。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，转换颗粒分散在所述转换层(14)的基质材料中。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述基质材料包括硅树脂。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述光电子半导体器件(10)包括至少两个半导体芯片(12)，并且其中，所述框架(13)在横向方向(x，y)上围绕所述半导体芯片(12)中的每个。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(10)，其中，所述光电子半导体器件(10)包括至少两个半导体芯片(12)，并且所述框架(13)包括至少两个子框架，其中，每个子框架在横向方向(x，y)上围绕至少一个半导体芯片(12)。
14.一种用于形成光电子半导体器件(10)的方法，所述方法包括：
-提供具有主延伸平面的载体(11)，
-将至少一个半导体芯片(12)附接到所述载体(11)，
-将框架(13)附接到所述载体(11)，其中所述框架(13)在平行于所述载体(11)的主延伸平面的横向方向(x，y)上围绕所述半导体芯片(12)，
-沉积覆盖所述半导体芯片(12)和所述框架(13)的转换层(14)，其中
-所述半导体芯片(12)比所述框架(13)在竖直方向(z)上延伸得更远，其中所述竖直方向(z)垂直于所述载体(11)的主延伸平面，
-所述半导体芯片(12)被构造成在所述半导体器件(10)的操作期间发射电磁辐射，以及
-所述框架(13)和所述半导体芯片(12)在横向方向(x，y)上通过间隙(15)彼此间隔开。
15.根据前一权利要求所述的方法，其中，在沉积所述转换层(14)之前，经由引线接合来形成所述半导体芯片(12)的至少一个电气触头。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述框架(13)的热导率大于所述转换层(14)的热导率。