本发明涉及一种光敏三极管加工工艺。
背景技术：
传统光敏三极管加工工艺中采用p型111晶向的抛光片或者三扩片进行生产；发射区通常采用的是大剂量的注入，加工条件较为苛刻；且后续需要增加sin层次来保证光的敏感度。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供了一种光敏三极管加工工艺，本发明制作工艺难度得到降低，同时生产成本降低。
为了达到上述目的，本发明的技术方案是：
一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、固化、背面研磨、背面金属；其特征在于：所述工艺通过调整外延片的晶向，采用p型100晶向外延片或者衬底片作为抛光片，相对传统工艺采用的为p型111晶向，相同的放大倍数100晶向抛光片加工的制品的光敏感度要强；同时发射区推进过程中采用小剂量注入+扩散的工艺，来保证放大倍数的可控性又保证了发射区接触电阻，具体工艺为，先通过注入工艺注入1e16cm-2剂量的磷杂质，形成发射区，这样因为注入工艺的均匀性要好，能够保证放大倍数的均匀性，然后在通过发射区扩散的方式对发射区区域进行加浓来保证发射区的接触电阻。
本发明的有益效果为：本发明生产的光敏三极管的制作工艺难度得到降低，同时生产成本降低。
具体实施方式
本实施例的一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、固化、背面研磨、背面金属；：所述工艺通过调整外延片的晶向，采用p型100晶向外延片或者衬底片作为抛光片，相对传统工艺采用的为p型111晶向，相同的放大倍数100晶向抛光片加工的制品的光敏感度要强；同时发射区推进过程中采用小剂量注入+扩散的工艺，来保证放大倍数的可控性又保证了发射区接触电阻，具体工艺为，先通过注入工艺注入1e16cm-2剂量的磷杂质，形成发射区，这样因为注入工艺的均匀性要好，能够保证放大倍数的均匀性，然后在通过发射区扩散的方式对发射区区域进行加浓来保证发射区的接触电阻。
本实施例生产的光敏三极管的制作工艺难度得到降低，同时生产成本降低。