1.一种LED光源，其特征在于，包括发光单元及波长选择层，所述发光单元包括LED芯片及封装所述LED芯片的封装体，所述波长选择层位于所述发光单元的发光路径上。
2.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于，所述波长选择层位于所述封装体远离所述LED芯片的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的LED光源，其特征在于，所述波长选择层为DBR层。
4.根据权利要求3所述的LED光源，其特征在于，所述DBR层完全覆盖所述发光单元的发光面。
5.根据权利要求3所述的LED光源，其特征在于，经过所述DBR层的出射光波长范围为420nm～520nm或610nm～750nm。
6.一种LED光源的制造方法，其特征在于，包括步骤：
形成一LED芯片；
利用封装体封装所述LED芯片而形成发光单元；
于所述发光单元的发光路径上形成一波长选择层。
7.根据权利要求6所述的LED光源的制造方法，其特征在于，步骤“于所述发光单元的发光路径上形成一波长选择层”具体包括：
于所述封装体远离所述LED芯片的一侧形成一波长选择层。
8.根据权利要求6所述的LED光源的制造方法，其特征在于，步骤“于所述发光单元的发光路径上形成一波长选择层”具体包括：
于所述发光单元的发光面处涂覆一波长选择层。
9.根据权利要求6至8中任意一项所述的LED光源的制造方法，其特征在于，所述波长选择层为DBR层。
10.根据权利要求9所述的LED光源的制造方法，其特征在于，经过所述DBR层的出射光波长范围为420nm～520nm或610nm～750nm。