1.一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体，量子阱，V-pits和第二导电型半导体，在V-pits侧壁上生长强极化空穴注入层，在强极化空穴注入层之间生长V-pits填充层，其特征在于：所述强极化空穴注入层为BxAl1-xN/SczIn1-zN、BxInyGa1-x-yN/SczAlkGa1-z-kN、BxSczGa1-x-zN/InyAlkGa1-y-kN、BxAlkGa1-x-kN/SczInyGa1-y-zN超晶格的任意一个或任意组合，其中1>x>0，1>y>0，1>z>0，1>k>0，超晶格的周期数为L≥1，强极化空穴注入层形成强极化系数m≥3.0cm-2，m大于GaN的0.65cm-2和AlN的1.55cm-2，形成V-pits侧壁高空穴浓度p>1018cm-3。
2.根据权利要求1所述一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述的强极化空穴注入层的厚度为1埃～500埃。
3.根据权利要求1所述一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述的强极化空穴注入层掺杂Mg元素，使Mg激活能降低至100meV以下。
4.根据权利要求1所述的一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述的V-pits存在量子阱中，V-pits的开口尺寸为20～500nm。
5.根据权利要求1所述的一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述的强极化空穴注入层位置沉积在V-pits的斜侧壁，V-pits的开口角度为50～70度。