本发明属于半导体器件技术领域，具体的说是一种mos(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,mosfet，金属氧化物半导体场效晶体管)器件的制作方法及器件。
背景技术
1958年，ti公司的基尔比工程师发明了世界上第一块集成电路，从那时起，半导体产业开始迅速发展起来。半导体材料也已经从第一代元素半导体材料si、ge和第二代化合物半导体材料gaas、inp等发展到了第三代宽禁带半导体gan、aln、inn、sic等。
自从硅(si)基金属氧化物半导体场效应管(mosfet，metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金属氧化物半导体场效晶体管)发明以来，半导体行业出现了空前的变革。在过去的几十年中不同种类的si基金属氧化物半导体场效应管发展起来，如cmos(complementarymetaloxidesemiconductor，互补金属氧化物半导体)、dmos(doublediffusionmetaloxidesemiconductor，双扩散金属氧化物半导体)、famos(floating–gateavalancheinjectionmetaloxidesemiconductor，浮动栅雪崩注入型金属氧化物半导体)等。其中以si基cmos器件为基础的超大规模集成电路(vlsi，verylargescaleintegration)的发展己经被广泛应用在制造、通信、健康等社会的每个角落，为推动人类社会的进步做出了卓越的贡献。在si基cmos器件的发展历程中，器件尺寸持续不断地减小，性能不断地提升，摩尔定律显示出了巨大的成功。但是，器件尺寸的减小并不是无限的，一些小尺寸下的非理想效应使得摩尔定律可能不再继续成立，因此人们试图研究一些新的材料和新的结构来提升器件性能。
ge基mosfet因为ge材料本身高的空穴和电子迁移率，并且与传统si工艺兼容，因而是制备先进cmos器件的目标之一。虽然ge有很多天然的优势，但是要实现ge基mosfet的产业化应用，还存在一些挑战需要研究者不断去克服。在ge基mos结构中，介质/ge界面存在高的界面态密度，实现高质量的介质/ge界面是实现性能优良的ge基mosfet亟待解决的问题。
gaas与si相比具有较高的电子迁移率，并且具有较大的禁带宽度以及可与高k栅技术融合等优点成为应对传统sio2/si系统物理尺寸极限的有效方法之一。与sio2/si系统不同，由于介质不是本征热氧化生长在gaas衬底上，因而介质/gaas结构的界面陷阱密度一般都较高，通常是1×1012cm-2ev-1量级以上，如此高的界面陷阱密度将对gaasmosfet造成很大的影响，例如界面陷阱会使mos电容发生漂移甚至畸形，也会导致器件的电学特性如漏极电流、阈值电压、迁移率和跨导的退化。因此改善介质/gaas界面对于gaasmosfet的研究具有重要意义。
继第一代元素半导体材料和第二代化合物半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料gan、sic等，因具有直接带隙、禁带宽度宽、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高、抗辐照性能好等优点，能应用于高温、高频、大功率、高辐射等恶劣环境，应用潜力巨大而迅速发展起来。对于sicmos来说，界面态问题也是亟待解决的关键问题。对于gan基mos器件来说，氧化物介质层的引入虽然降低了器件的漏电流，增大了器件的栅压摆幅，但是也在器件中引入了介质/半导体界面，低质量介质层的建立使介质层和氮化物势垒层之间存在高密度的界面电荷，界面态的充/放电效应会导致严重的阈值电压不稳定等可靠性问题，界面电荷的能带调制和远程电离杂质散射作用会引起阈值电压负漂、沟道载流子迁移率和跨导降低等器件性能退化问题。gan基mos器件界面问题已经成为制约其可靠性提高和产业化应用的重要因素。
综上所述，对于氧化物介质层/半导体界面的改善方法的研究对于各类mos器件的性能提升具有重要的意义。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对现有的金属-氧化物-半导体(mos)器件中存在的氧化物/半导体界面问题，提供一种mos器件的制作方法及器件，可以减少介质层与半导体之间的界面电荷，改善mos器件的界面特性和可靠性，提高器件工作稳定性和使用寿命。
为实现上述目的，本发明实施例所提供的mos器件的制作方法，包括：
制备半导体材料层；
在所述半导体材料层上的电极区域制作下电极；
在所述半导体材料层上的非电极区域制作阻挡层；
对所述阻挡层进行氧化处理，使得氧化气氛扩散到所述半导体材料层；
在所述阻挡层上生长介质层；
在所述介质层上制备上电极。
可选的，所述在所述半导体材料层上制备阻挡层的步骤包括：
在制作好下电极的样品上用nh3等离子体和/或n2等离子体进行表面预处理，随后用设定工艺预沉积所述阻挡层，沉积厚度为0.5nm～2nm，沉积材料为al2o3、hfo2、或zro2；
在所述阻挡层上生长介质层的步骤具体包括：
在氧化处理后的所述阻挡层上继续用所述设定工艺沉积厚度为5nm～10nm的介质层，沉积材料为al2o3、hfo2或zro2；
所述设定工艺为等离子增强原子层沉积工艺(peald，plasmaenhancedatomiclayerdeposition)。
可选的，当沉积材料为al2o3时，所述等离子增强原子层沉积工艺的工艺条件为：
反应前驱体氧源为h2o；
反应前驱体金属有机物源为三甲基铝(tma，trimethylaluminum)；
衬底温度为300℃；
反应腔室压力为0.3torr。
可选的，当沉积材料为hfo2时，所述等离子增强原子层沉积工艺的工艺条件为：
反应前驱体氧源为h2o；
反应前驱体金属有机物源为四(二乙氨基)铪(tdmah，tetrakis(dimethylamino)hafnium)；
衬底温度为300℃；
源温为80℃；
反应腔室压力为0.3torr。
可选的，当沉积材料为zro2时，所述等离子增强原子层沉积工艺的工艺条件为：
反应前驱体氧源为h2o；
反应前驱体金属有机物源为四(二甲基胺基)锆(tdmaz，tetrakis(dimethylamino)titanium)；
衬底温度为300℃；
源温为80℃；
反应腔室压力为0.3torr。
可选的，所述氧化处理为热氧化工艺处理或者等离子体辅助氧化工艺处理。
可选的，所述热氧化工艺的工艺条件为：
氧化反应气体为o2；
衬底温度为500℃～700℃；
氧化时间为30min～1h。
可选的，所述等离子体辅助氧化工艺的工艺条件为：
氧化反应气体为o2或o3或n2o；
射频源功率为300w；
衬底温度为300℃～400℃，
氧化时间为20min～30min。
可选的，所述在所述介质层上制备上电极的步骤具体包括：
在所述介质层上光刻上电极区域，并利用电子束蒸发工艺制作上电极；
对制作好上电极的器件进行退火；
在下电极上光刻开孔区，并利用感应耦合等离子工艺(icp，inductivelycoupledplasma)刻蚀掉开孔区的介质层。
进一步，本发明提供一种mos器件，包括半导体材料层和下电极、阻挡层、介质层和上电极；
所述介质层上设置有上电极；
所述阻挡层和半导体材料、以及所述阻挡层经过氧化处理。
本发明实施例不同于传统的界面氧化工艺，利用了扩散控制的热氧化或等离子体辅助氧化工艺使半导体表面氧化形成晶状的氧化物界面层，反应的速率由氧在介质中的扩散速率决定。这种方法可以减少介质层与半导体之间的界面电荷，改善mos器件的界面特性和可靠性。此外，本发明实施例利用等离子增强原子层沉积peald工艺生长介质层，提高了介质的结晶质量，同时介质生长所需的温度较低，即仅有300℃左右，可以有效避免高温条件对器件的损伤。
附图说明：
图1为本发明实施例提供的mos器件制作方法主要流程示意图；
图2为本发明一种实施例提供的mos器件主要结构示意图；
图3为本发明另一种实施例提供的mos器件主要结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例首先提供一种mos器件的制作方法及器件，该mos器件的衬底材料为ge、gaas衬底材料，或者为gan外延基片。如图1所示，本发明实施例提供的方法包括如下步骤：
步骤101：在ge、gaas衬底材料或gan外延基片上制作下电极。
步骤102：在制作好下电极的样品上用nh3/n2等离子体进行表面预处理，随后用peald工艺预沉积厚度为0.5nm～2nm的阻挡层，阻挡层材料为al2o3、hfo2、或zro2。
步骤103：在预沉积的介质层上，通过扩散控制的界面氧化方法，利用热氧化工艺或者等离子体辅助工艺对样品进行处理，使得半导体材料层表面形成晶状的表面氧化层。
步骤104：在氧化处理后的器件上继续用peald工艺沉积厚度为5nm～10nm的介质层，介质层材料为al2o3、hfo2、或zro2。
步骤105：在介质层上光刻上电极区域，并利用电子束蒸发工艺制作上电极。
步骤106：对制作好上电极的器件进行退火。
步骤107：在下电极上光刻开孔区，并利用icp工艺刻蚀掉开孔区的介质层，完成器件制作。在下述实施例一、实施例二、实施例三中，介质层和阻挡层的材料和制作方法相同，介质层视为阻挡层的一部分，从而能够简化工艺，减少因为不同的工艺数量多而耗费较多的工艺准备时间。
在本发明其它实施例中，介质层和阻挡层也可分别采用不同的材料制作，制作工艺也可以不相同。
具体实施例一，利用热氧化工艺制作ge基mos器件，介质层材料为hfo2、厚度为5nm。
步骤11，在ge单晶基片上制作下电极。步骤11具体包括下述步骤11a-步骤11c。
步骤11a：在ge单晶基片上光刻下电极区域。
首先，将外延基片放在200℃的热板上烘烤5min；
然后，在基片上进行剥离胶的涂胶和甩胶，其甩胶厚度为0.35μm，并将样品放在200℃的热板上烘烤5min；
接着，在剥离胶上进行光刻胶的涂胶和甩胶，其甩胶厚度为0.77μm，并将样品放在90℃的热板上烘烤1min；
最后，将完成涂胶和甩胶的样品放入光刻机中对已涂胶的表面进行曝光，并将完成曝光的样品放入显影液中移除光刻胶和剥离胶，再对其进行超纯水冲洗和氮气吹后形成下电极区域。
步骤11b：在下电极区域内的ge上以及下电极区域外的光刻胶上蒸发下电极。
首先，将有下电极光刻图形的样品放入等离子去胶机中进行底膜处理，其处理的时间为5min；
然后，将样品放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2×10-6torr之后在下电极区域内的ge上以及下电极区域外的光刻胶上蒸发金属，该金属是自下电极方向至上电极方向上依次由ti、al、ni和au四层金属组成的金属堆栈结构；
接着，对完成金属蒸发的样品进行剥离，以移除下电极区域外的金属、光刻胶和剥离胶；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干。
步骤11c：将完成金属蒸发和剥离的样品放入快速热退火炉中进行退火处理，退火的工艺条件为：退火气氛为n2，退火温度为830℃，退火时间为30s。
步骤12，在下电极区域和ge单晶上，利用peald工艺预生长hfo2介质层。步骤12具体包括下述步骤12a-本步骤12c。
步骤12a：对完成下电极制作的样品进行表面清洗。
首先，将样品放入丙酮溶液中超声清洗3mim，其超声强度为3.0；
然后，将样品放入温度为60℃的剥离液中水浴加热5min；
接着，将样品依次放入丙酮和乙醇溶液中超声清洗3min，其超声强度为3.0；最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干。
步骤12b：将完成表面清洗的样品放入peald设备中，对样品表面进行原位预处理，其处理的工艺条件为：反应气体为nh3和n2混合气体，衬底温度为300℃，射频功率设置为200w，处理时间为5min。
步骤12c：在下电极区域和ge单晶上，利用等离子增强原子层沉积peald工艺预生长厚度为1nm的hfo2介质层，其生长的工艺条件为：采用h2o和tdmah作为反应前驱体源，反应前驱体源温度为80℃，衬底温度为300℃，反应腔室压力为0.3torr。
步骤13，利用热氧化工艺对预生长了hfo2介质层的样品进行氧化处理。步骤13具体包括下述步骤13a-步骤13b。
步骤13a：对完成hfo2介质层预生长的样品进行表面清洗。
首先，将样品放入丙酮溶液中超声清洗3mim，其超声强度为3.0；
然后，将样品放入乙醇溶液中超声清洗3min，其超声强度为3.0；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干。
步骤13b：将完成表面清洗的样品放入热氧化炉中，通过扩散控制的氧化方法使得ge单晶表面氧化形成晶状的氧化界面层，其热氧化的工艺条件为：氧化气体为o2，反应腔室温度为400℃，氧化时间为1h。
步骤14，在预沉积的hfo2介质层上，利用peald工艺继续生长hfo2的介质层。步骤14包括下述步骤14a-步骤14b。
步骤14a：对完成热氧化处理的样品进行表面清洗。
首先，将样品放入丙酮溶液中超声清洗3mim，其超声强度为3.0；
然后，将样品放入乙醇溶液中超声清洗3min，其超声强度为3.0；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干；
步骤14b：将完成表面清洗的样品放入等离子增强原子层沉积peald设备中，在预沉积的hfo2介质层上，利用peald工艺继续生长厚度为4nm的hfo2的介质层。
步骤15，在介质层上光刻上电极区域，并利用电子束蒸发工艺制作上电极。步骤15包括下述步骤15a-步骤15b。
步骤15a：在介质层上光刻上电极区域。
首先，将完成介质层生长的样品放在200℃的热板上烘烤5min；
然后，在介质层上进行剥离胶的涂胶和甩胶，其甩胶厚度为0.35μm，并将样品放在200℃的热板上烘烤5min；
接着，在剥离胶上进行光刻胶的涂胶和甩胶，其甩胶厚度为0.77μm，并将样品放在90℃的热板上烘烤1min；
之后，将完成涂胶和甩胶的样品放入光刻机中对上电极区域内的光刻胶进行曝光；
最后，将完成曝光的样品放入显影液中移除上电极区域内的光刻胶和剥离胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。
步骤15b：在上电极区域内的介质层和上电极区域外的光刻胶上蒸发上电极。
首先，将有上电极光刻图形的样品放入等离子去胶机中进行底膜处理，处理时间为5min；
然后，将样品放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2×10-6torr之后在上电极区域内的介质层和上电极区域外的光刻胶上蒸发上电极金属，该金属是自下向上依次由ni、au和ni三层金属组成的金属堆栈结构；
接着，对完成金属蒸发的样品进行剥离，以移除上电极区域外的金属、光刻胶和剥离胶；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干。
步骤16，对制作好上电极的样品进行退火。将制作好上电极的样品放入快速热退火炉中进行退火处理，其退火的工艺条件为：退火气体为n2，退火温度为450℃，退火时间为2min。
步骤17，在下电极上光刻开孔区域，并利用icp工艺刻蚀掉互联开孔区的介质层，完成器件制作。步骤17包括步骤17a-步骤17b。
步骤17a：在介质层上光刻金属互联层开孔区。
首先，将样品放在200℃的热板上烘烤5min；
然后，进行光刻胶的涂胶和甩胶，其甩胶转速为3500转/mim，并将样品放在90℃的热板上烘烤1min；
接着，将样品放入光刻机中对金属互联层开孔区域内的光刻胶进行曝光；
最后，将完成曝光后的样品放入显影液中以移除互联开孔区域内的光刻胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。
步骤17b：利用icp刻蚀工艺在反应气体为cf4和o2，反应腔室压力为10mtorr，上电极和下电极的射频功率分别为100w和10w的条件下，移除开孔区域内的5nm厚的hfo2介质层。
然后，将样品依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除开孔区域外的光刻胶；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干，完成器件制作。
实施例二，利用等离子辅助氧化工艺制作gaas基mos器件，介质层材料为zro2，厚度为8nm。
步骤21，在gaas单晶基片上制作下电极。步骤21包括下述步骤21a-步骤21c。
步骤21a：在gaas单晶基片上光刻下电极区域。
本步骤的具体实现与实施例一种的步骤11a相同。
步骤21b：在下电极区域内的gaas上以及下电极区域外的光刻胶上蒸发下电极。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤11b相同。
步骤21c：将完成金属蒸发和剥离的样品放入快速热退火炉中进行退火处理，退火的工艺条件为：退火气氛为n2，退火温度为850℃，退火时间为30s。
步骤22，在下电极区域和gaas单晶上，利用peald工艺预生长zro2介质层。步骤22包括下述步骤22a-步骤22c。
步骤22a：对完成下电极制作的样品进行表面清洗。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤12a相同。
步骤22b：将完成表面清洗的样品放入等离子增强原子层沉积peald设备中，对样品表面进行原位预处理，其处理的工艺条件为：反应气体为nh3和n2混合气体，衬底温度为300℃，射频功率设置为200w，处理时间为5min。
步骤22c：在下电极区域和gaas单晶上，利用等离子增强原子层沉积peald工艺预生长厚度为1nm的zro2介质层，其生长的工艺条件为：采用h2o和tdmaz作为反应前驱体源，源温80℃，衬底温度为300℃，反应腔室压力为0.3torr。
步骤23，利用原位等离子体辅助氧化工艺对预生长了zro2介质层的样品进行氧化处理。步骤23包括下述步骤23a-步骤23b。
步骤23a：对完成zro2介质层预生长的样品进行表面清洗。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤13a相同。
步骤23b：将完成表面清洗的样品利用peald设备对其进行原位等离子体辅助氧化处理，通过扩散控制的氧化方法使得gaas单晶表面氧化形成晶状的氧化界面层。
其中，上述等离子体辅助氧化的工艺条件为：反应气体为n2o，衬底温度为300℃，射频源功率为300w，氧化时间为20min。
步骤24：在预沉积的zro2介质层上，利用peald工艺继续生长zro2的介质层。将完成原位等离子体辅助氧化处理的样品继续在等离子增强原子层沉积peald设备中生长厚度为7nm的zro2的介质层。
步骤25，在介质层上光刻上电极区域，并利用电子束蒸发工艺制作上电极。步骤25包括步骤25a-步骤25b。
步骤25a：在介质层上光刻上电极区域。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤15a相同。
步骤25b：在上电极区域内的介质层和上电极区域外的光刻胶上蒸发上电极。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤15b相同。
步骤26，对制作好上电极的样品进行退火。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤16相同。
步骤27，在下电极上光刻开孔区域，并利用icp工艺刻蚀掉互联开孔区的介质层，完成器件制作。步骤27包括步骤27a-步骤27b。
步骤27a：在介质层上光刻金属互联层开孔区。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤17a相同。
步骤27b：利用icp刻蚀工艺在反应气体为cf4和o2，反应腔室压力为10mtorr，上电极和下电极的射频功率分别为100w和10w的条件下，移除开孔区域内的8nm厚的zro2介质层。
然后，将样品依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除开孔区域外的光刻胶；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干，完成器件制作。
实施例三，利用等离子辅助氧化工艺制作gan基mos器件，介质层材料为al2o3介质层厚度为10nm的。
步骤31：在gan外延基片上制作下电极。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤11相同。
步骤32：在下电极区域和gan外延基片上，利用peald工艺预生长al2o3介质层。
步骤32a：对完成下电极制作的样品进行表面清洗。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤12a相同。
步骤32b：将完成表面清洗的样品放入等离子增强原子层沉积peald设备中，对样品表面进行原位预处理，其处理的工艺条件为：反应气体为nh3和n2混合气体，衬底温度为300℃，射频功率设置为200w，处理时间为5min。
步骤32c：在下电极区域和gan外延基片上，利用等离子增强原子层沉积peald工艺预生长厚度1nm的al2o3介质层，其生长的工艺条件为：采用h2o和tma作为反应前驱体源，衬底温度为300℃，反应腔室压力为0.3torr。
步骤33，利用原位等离子辅助氧化工艺对预生长了al2o3介质层的样品进行氧化处理。
步骤33a：对完成al2o3介质层预生长的样品进行表面清洗。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤13a相同。
步骤33b：将完成表面清洗的样品利用peald设备对其进行原位等离子体辅助氧化处理，通过扩散控制的氧化方法使得gan表面氧化形成晶状的氧化界面层，其等离子体辅助氧化的工艺条件为：反应气体为o3，衬底温度为400℃，射频源功率为300w，氧化时间为30min。
步骤34，在预沉积的al2o3介质层上，利用peald工艺继续生长al2o3的介质层。将完成原位等离子体辅助氧化处理的样品继续在等离子增强原子层沉积peald设备中，生长厚度为9nm的al2o3的介质层。
步骤35，在介质层上光刻上电极区域，并利用电子束蒸发工艺制作上电极。
步骤35a：在介质层上光刻上电极区域。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤15a相同。
步骤35b：在上电极区域内的介质层和上电极区域外的光刻胶上蒸发上电极。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤15b相同。
步骤36，对制作好上电极的样品进行退火。本步骤的具体实现与实施例一中的步骤16相同。
步骤37，在下电极上光刻开孔区域，并利用icp工艺刻蚀掉互联开孔区的介质层，完成器件制作。步骤37包括下述步骤37a和步骤37b。
步骤37a：在介质层上光刻金属互联层开孔区。
本步骤的具体实现与实施例一中的步骤17a相同。
步骤37b：利用icp刻蚀工艺在反应气体为cf4和o2，反应腔室压力为10mtorr，上电极和下电极的射频功率分别为100w和10w的条件下，移除开孔区域内的10nm厚的al2o3介质层。
然后，将样品依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除开孔区域外的光刻胶；
最后，用超纯水冲洗样品并用氮气吹干，完成器件制作。
本发明实施例提供的mos器件，包括衬底，还包括设置于衬底上的成核层、半导体材料层和下电极、阻挡层、介质层和上电极；所述阻挡层和所述钝化层靠近所述阻挡层的一面经过氧化处理。
在本发明一种具体实施例中，参照图2，当mos器件为ge和gaas基mos器件，初始材料是购买的ge或gaas的单晶片201。衬底、成核层和半导体材料层包含于单晶片201中，单晶片201包括电极区域和非电极区域，在单晶片201上的非电极区域中依次设置阻挡层202、介质层203，所述单晶片201的电极区域中设有mos器件的下电极205，介质层203上设有mos器件的上电极204。介质层203采用al2o3、hfo2或zro2介质，介质层203和阻挡层202的总厚度为5～10nm。在本发明一些实施例中，阻挡层202可采用与介质层203同样的材料，从而减少阻挡层202和介质层203的工艺时间，在预沉积0.5～2nm的介质层材料后，通过扩散控制的界面氧化方法对预沉积的介质层也就是阻挡层202，进行氧化处理，可以改善介质层与半导体之间的界面质量。
在本发明另一种具体实施例中，参照图3，当mos器件为gan基mos器件，初始材料是购买的外延基片，该外延基片包括衬底301、aln成核层302、gan材料层303。包括厚度为400μm～500μm的衬底301，在衬底301一侧依次设置有厚度为180nm的aln成核层302、厚度为1.3μm～2μm的gan材料层303、阻挡层304、介质层305，gan材料层303上设有mos器件的下电极306，介质层305上设有mos器件的上电极307。介质层305采用al2o3、hfo2或zro2，介质层305和阻挡层304的总厚度为5～10nm的介质。在本发明一些实施例中，阻挡层304可采用与介质层305同样的材料，从而减少阻挡层304和介质层305的工艺时间，在介质预沉积0.5～2nm后，通过扩散控制的界面氧化方法对预沉积的介质层也就是阻挡层304进行氧化处理，可以改善阻挡层304与gan材料层303之间的界面质量。
在本发明其他实施例中，除了ge、gaas或gan之外，半导体材料层也可以采用其他半导体材料。
综上，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。