技术特征：
技术总结
本发明涉及一种具有超薄GaAs发射层的变Al组分透射式GaAlAs光电阴极，该阴极自下而上由Corning 7056#玻璃基底、SiO2保护层、Si3N4增透层、Ga1‑x1Alx1As窗口层、变Al组分Ga1‑x2Alx2As吸收层、超薄GaAs发射层以及Cs/O激活层组成，采用超高真空Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。制备得到的具有超薄GaAs发射层的变Al组分GaAlAs光电阴极的光谱响应对蓝绿光敏感，结合微通道板构成蓝绿光响应像增强器，可应用于海洋探测、水下通信、水下搜救等领域。
技术研发人员：陈鑫龙;唐光华;杨杰;杨佩佩;刘昌春
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2018.05.15
技术公布日：2018.10.12