使SiC表面平坦化的方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了使SiC表面平坦化的方法。一种使SiC衬底的粗糙表面平坦化的方法，包括：在SiC衬底的粗糙表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料具有在SiC衬底的密度的35%与120%之间的密度；穿过牺牲材料并且向SiC衬底的粗糙表面中注入离子以在SiC衬底中形成非晶区；以及通过湿法刻蚀去除牺牲材料和SiC衬底的非晶区。

技术研发人员：H.厄夫纳;R.鲁普;H-J.舒尔策
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2018.05.31
技术公布日：2018.12.11