本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种铝线电阻的晶圆允收测试图形。
背景技术
如图1所示，是现有铝线电阻的晶圆允收测试(wat)的测试图形(testkey)的版图，铝线电阻的测试采用开尔文双电桥结构实现，在开尔文双电桥结构中，被测试的电阻需要采用四个端口，图1所示的结构实现了铝线电阻的四端口引出结构，图1中所示的现有铝线电阻的晶圆允收测试图形包括：
被测试铝线101和4个衬垫，4个所述衬垫分别为沿直线依次排列的第一衬垫102a、第二衬垫102b、第三衬垫102c和第四衬垫102d。
图1所示可知，被测试铝线101的长度方向和4个所述衬垫的排列方向垂直，第一衬垫102a通过连线103a连接到被测试铝线101的第一宽度边侧的一个端点上，第二衬垫102b通过连线103b连接到被测试铝线101的第一宽度边侧的一个端点上，第三衬垫102c通过连线103c连接到被测试铝线101的第二宽度边侧的一个端点上，第四衬垫102d分别通过连线103d连接到被测试铝线101的第二宽度边侧的一个端点上。
晶圆允收测试图形在测试过程中需要和晶圆允收测试机台的探针卡上的探针相配合，通过探针扎在对应的衬垫上实现测试信号的加入。实际测试中，探针和衬垫的接触不是垂直接触，而是倾斜扎入。图1中用箭头线aa表示了探针的扎针方向，探针和箭头线aa的箭头端呈钝角以及探针和箭头线aa的尾端呈锐角。由图1所示可知，由于衬垫的沿箭头线aa的上下两侧都具有连线，其中连线103a和103b位于衬垫对应的箭头线aa的上侧即箭头端侧。而由于探针是倾斜扎入，故在扎针过程中，容易产生探针滑动，且探针滑动的方向是沿箭头线aa的箭头所指方向，故连线103a和103b容易被探针扎到，这样容易使连线103a和103b产生断裂，最后出现测试异常。
例如，为了满足前面照度(fsi)的cmos图像传感器(cis)的光通量的需求，后段铝线的厚度通常采用
在wat测试时会出现针向上滑动，碰触testkeypad上方铝线，导致ap_rs测试异常(oos)，通过优化测试结构，使铝线在pad下方走线，有效解决了因探针向上滑动导致的测试异常。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种铝线电阻的晶圆允收测试图形，能防止探针触碰到测试图形的连线并防止由此产生的测试异常。
为解决上述技术问题，本发明提供的铝线电阻的晶圆允收测试图形包括：被测试铝线和4个衬垫，4个所述衬垫分别为沿直线依次排列的第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫和第四衬垫。
4个所述衬垫的排列方向和所述被测试铝线的长度方向相同。
所述被测试铝线设置在所述第二衬垫和所述第三衬垫之间，所述被测试铝线设置在所述第二衬垫和所述第三衬垫之间，所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边接触，所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边接触。
所述第一衬垫通过第一连线和所述被测试铝线上的第一接点连接。
所述第四衬垫通过第二连线和所述被测试铝线上的第二接点连接。
所述第一接点位于所述被测试铝线的第一宽度边侧，所述第二接点位于所述被测试铝线的第二宽度边侧。
4个所述衬垫和晶圆允收测试机台的探针卡的探针相对应，所述探针和对应的所述衬垫接触为带倾角接触，所述探针和从所述被测试铝线的第一长度边到第二长度边的方向的夹角为锐角，所述探针打滑时会滑向所述被测试铝线的第一长度边的外侧，所述第一连线和所述第二连线都位于所述被测试铝线的第二长度边的外侧，使所述探针打滑时不会接触到所述第一连线和所述第二连线。
进一步的改进是，所述晶圆允收测试机台通过4个探针和4个所述衬垫分别连接后形成开尔文双电桥结构。
进一步的改进是，所述被测试铝线所模拟的对象为cmos图像传感器的后段铝线，所述被测试铝线和所述后段铝线由同一层铝进行光刻刻蚀形成。
进一步的改进是，所述第一连线和所述第二连线都采用和所述后段铝线同一层次的铝金属光刻刻蚀形成。
进一步的改进是，所述cmos图像传感器为前面照度式cmos图像传感器。
进一步的改进是，所述后段铝线的厚度为
进一步的改进是，4个所述衬垫的俯视面结构相同。
进一步的改进是，4个所述衬垫的俯视面结构都为矩形。
进一步的改进是，4个所述衬垫对应的俯视面的矩形的尺寸为45μm×40μm。
进一步的改进是，所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边通过第三连线接触。
进一步的改进是，所述第三连线和所述第一连线的金属材料相同且采用相同层的金属光刻刻蚀形成。
进一步的改进是，所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边通过第四连线接触。
进一步的改进是，所述第四连线和所述第一连线的金属材料相同且采用相同层的金属光刻刻蚀形成。
进一步的改进是，所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边通过连线接触。
进一步的改进是，所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边直接接触。
进一步的改进是，所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边直接接触。
本发明对铝线电阻的晶圆允收测试图形的版图进行了特定的设置，主要为将被测试铝线的长度方向设置为和衬垫的排列方向相同，这样被测试铝线两侧相邻的衬垫直接和对应的被测试铝线宽度边接触，而被测试铝线两侧较远的衬垫则通过连线连接到对应的被测试铝线宽度边接点，本发明中连线的位置设置是根据探针扎针的倾角方向进行设置的且将连线都设置在探针扎针的锐角一侧，而探针滑动时都是沿探针扎针的钝角一侧滑动，故本发明能防止探针扎针过程中触碰即扎到连线，从而能防止探针触碰到测试图形的连线并防止由此产生的测试异常。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有铝线电阻的晶圆允收测试图形的版图；
图2是本发明实施例铝线电阻的晶圆允收测试图形的版图。
具体实施方式
如图2所示，是本发明实施例铝线电阻的晶圆允收测试图形的版图，本发明实施例铝线电阻的晶圆允收测试图形包括：被测试铝线1和4个衬垫，4个所述衬垫分别为沿直线依次排列的第一衬垫2a、第二衬垫2b、第三衬垫2c和第四衬垫2d。
4个所述衬垫的俯视面结构相同。图2中，4个所述衬垫的俯视面结构都为矩形。本发明实施例中，4个所述衬垫对应的俯视面的矩形的尺寸为45μm×40μm。
4个所述衬垫的排列方向和所述被测试铝线1的长度方向相同。
所述被测试铝线1设置在所述第二衬垫2b和所述第三衬垫2c之间，所述第二衬垫2b和所述被测试铝线1的第一宽度边1a通过第三连线3c接触，所述第三衬垫2c和所述被测试铝线1的第二宽度边1b通过第四连线3d接触。在其它实施例中也能为：所述第二衬垫2b和所述被测试铝线1的第一宽度边1a之间直接接触，所述第三衬垫2c和所述被测试铝线1的第二宽度边1b之间直接接触。
所述第一衬垫2a通过第一连线3a和所述被测试铝线1上的第一接点连接。
所述第四衬垫2d通过第二连线3b和所述被测试铝线1上的第二接点连接。
所述第一接点位于所述被测试铝线1的第一宽度边1a侧，所述第二接点位于所述被测试铝线1的第二宽度边1b侧。
4个所述衬垫和晶圆允收测试机台的探针卡的探针相对应，所述探针和对应的所述衬垫接触为带倾角接触，所述探针和从所述被测试铝线1的第一长度边1c到第二长度边1d的方向的夹角为锐角，所述探针打滑时会滑向所述被测试铝线1的第一长度边1c的外侧，即打滑时会沿图2中的箭头线bb的箭头方向打滑；所述第一连线3a和所述第二连线3b都位于所述被测试铝线1的第二长度边1d的外侧，使所述探针打滑时不会接触到所述第一连线3a和所述第二连线3b。而第三连线3c和第四连线3d的位置都位于和所述探针滑动方向相同的对应的所述衬垫的侧面，所述探针滑动时也不会接触到所述第三连线3c和所述第四连线3d。
所述晶圆允收测试机台通过4个探针和4个所述衬垫分别连接后形成开尔文双电桥结构。
所述被测试铝线1所模拟的对象为cmos图像传感器的后段铝线，所述被测试铝线1和所述后段铝线由同一层铝进行光刻刻蚀形成。
所述第一连线3a、所述第二连线3b、所述第三连续3c和所述第四连续3d都采用和所述后段铝线同一层次的铝金属光刻刻蚀形成。所述cmos图像传感器为前面照度式cmos图像传感器。所述后段铝线的厚度为
本发明实施例对铝线电阻的晶圆允收测试图形的版图进行了特定的设置，主要为将被测试铝线1的长度方向设置为和衬垫的排列方向相同，这样被测试铝线1两侧相邻的衬垫直接和对应的被测试铝线1宽度边接触，而被测试铝线1两侧较远的衬垫则通过连线连接到对应的被测试铝线1宽度边接点，本发明实施例中连线的位置设置是根据探针扎针的倾角方向进行设置的且将连线都设置在探针扎针的锐角一侧，而探针滑动时都是沿探针扎针的钝角一侧滑动，故本发明实施例能防止探针扎针过程中触碰即扎到连线，从而能防止探针触碰到测试图形的连线并防止由此产生的测试异常。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。