技术特征：
技术总结
本申请提供了一种HEMT。该HEMT包括依次叠置设置的衬底、第一半导体层和第二半导体层，且第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，HEMT还包括位于第二半导体层的远离第一半导体层的表面上的栅极和钝化层，钝化层包括位于栅极一侧且设置在第二半导体层的表面上的钝化部，钝化部的厚度小于栅极的厚度，HEMT还包括设置在钝化部的远离第二半导体层表面上的场板。该HEMT在提高器件的工作电压的同时保证了器件的寄生电容较小。
技术研发人员：张昇;魏珂;张一川
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.06.15
技术公布日：2018.11.09