1.加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：该滤波器包含介质基板(1)，半模基片集成波导谐振器(2)，金属通孔(21)，微带馈线(22)，连接端口(5)和有源non-Foster电路；
所述介质基板(1)的截面呈矩形，所述介质基板(1)的下表面完全覆盖有接地板(3)，所述半模基片集成波导谐振器(2)设置在所述介质基板(1)的上表面，在所述半模基片集成波导谐振器(2)的窄边一侧设置有金属通孔(21)，所述金属通孔(21)沿着半模基片集成波导谐振器(2)的窄边呈直线排列，在所述半模基片集成波导谐振器(2)的窄边对侧两边分别设置有微带馈线(22)，两根微带馈线(22)分别从半模基片集成波导谐振器(2)的两条边直线延伸至所述介质基板(1)的边沿，并分别形成馈电端口Ⅰ(4)和馈电端口Ⅱ(6)；
连接端口(5)设置在两根微带馈线(22)之间，所述半模基片集成波导谐振器(2)通过所述连接端口(5)连接至所述有源non-Foster电路。
2.根据权利要求1所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述有源non-Foster电路包含电源，电阻R1，电阻R1_1，RLC谐振电路(7)，负阻抗变换电路(8)和接地电路(9)；
所述电源的负极接直流电源地，正极分别连接至电阻R1和电阻R1_1的一端；
所述RLC谐振电路(7)包含电阻R2，电阻R2_1，电感L1和电容C1，电阻R1的另一端分别连接至电阻R2和电感L1的一端，电阻R2和电感L1的另一端相互连接并连接至电容C1和电阻R2_1的一端，电容C1和电阻R2_1的另一端连接至电阻R1_1的另一端。
3.根据权利要求2所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述负阻抗变换电路(8)包含电阻R3，电阻R3_1，电容C2，电容C2_1，三极管BJT1和三极管BJT2，三极管BJT1的基级通过电容C2后与三极管BJT2的集电极相连接，三极管BJT2的基极通过电容C2_1连接至三极管BJT1的集电极，电阻R3跨接在三极管BJT1的基极和集电极之间，电阻R3_1跨接在三极管BJT2的基极和集电极之间。
4.根据权利要求3所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述接地电路(9)包含电阻R4，电阻R4_1，电容C3和电容C3_1，所述三极管BJT1的发射极通过电阻R4和电容C3并联接地，三极管BJT2的发射极通过电阻R4_1和电容C3_1并联接地；
三极管BJT1的发射极作为有源non-Foster电路的输出端。
5.根据权利要求4所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述金属通孔(21)贯穿介质基板，用于形成半模基片集成波导谐振器(2)，所述有源non-Foster电路为接地型电路，且所述有源non-Foster电路与半模基片集成波导谐振器(2)共用接地板(3)。
6.根据权利要求1所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述金属通孔(21)呈等间距排列，连接端口(5)设置在两根微带馈线(22)之间的中间位置，整个滤波器关于半模基片集成波导谐振器(2)的轴线成镜像对称。
7.根据权利要求1所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述微带馈线(22)的结构均为50欧姆的微带线结构。
8.根据权利要求1所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述介质基板(1)的尺寸为66mm*50mm，厚度为0.508mm，选用Taconic TLF-35A材料制成。
9.根据权利要求8所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述半模基片集成波导谐振器(2)长边长度为50-60mm，窄边长度为28-35mm。
10.根据权利要求6所述的加载non-Foster电路的小型化宽带基片集成波导滤波器，其特征在于：所述金属通孔(21)的半径为0.5-1.5mm，金属通孔(21)中心间间距为3-4mm。