技术特征：
技术总结
该发明公开了一种通过填充Ga替换Sb提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法，属于热电材料领域及其制备邻域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb3基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产。
技术研发人员：王超;张蕊;姜晶;牛夷;周婷;潘燕
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.07.16
技术公布日：2018.12.28