液处理装置和液处理方法与流程

公开的实施方式涉及一种液处理装置和液处理方法。

背景技术：

以往，已知如下一种液处理装置：使半导体晶圆(以下也称作晶圆。)等基板用的处理液在循环管线中循环，并且经由从该循环管线分支出的分支管线向处理部供给处理液。在该液处理装置的循环管线中设置有用于从处理液中去除异物的过滤器(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2015-220318号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，在以往的循环管线中，存在以下风险：在紧接开始进行处理液的循环之后，由于泵的喷出压力引起异物穿过过滤器，由此使循环管线内的处理液被污染。

实施方式的一个方式是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够抑制在紧接开始进行处理液的循环之后使循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。所述罐用于贮存处理液。所述循环管线用于使从所述罐送出的处理液返回所述罐。所述泵用于形成所述循环管线中的所述处理液的循环流。所述过滤器设置于所述循环管线中的所述泵的下游侧。所述背压阀设置于所述循环管线中的所述过滤器的下游侧。所述控制部控制所述泵和所述背压阀。而且，所述控制部控制所述泵的喷出压力，以使在开始进行所述循环管线中的所述处理液的循环时，所述泵的喷出压力上升到规定的第一压力，并且在经过规定的时间后，所述泵的喷出压力增加到比所述第一压力大的第二压力。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够抑制在紧接开始进行处理液的循环之后使循环管线内的处理液被污染。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。

图2是表示处理单元的结构的示意图。

图3是表示处理单元的具体的结构例的示意图。

图4是表示实施方式中的基板清洗处理的概要的图。

图5是表示实施方式所涉及的处理流体供给源的概要结构的图。

图6是表示实施方式中的泵的喷出压力与背压阀的阀开度的变化的图。

图7是表示实施方式和参考例中的过滤器的上游侧与下游侧的压差的变化的图。

图8是表示基板处理系统执行的基板处理的过程的流程图。

图9是表示处理流体供给源执行的液处理的过程的流程图。

附图标记说明

w：晶圆；1：基板处理系统；16：处理单元；18：控制部；70：处理流体供给源；102：罐；104：循环管线；106：泵；108：过滤器；110：连接部；114：背压阀。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明本申请公开的液处理装置和液处理方法的实施方式。此外，本发明并不受以下所示的实施方式的限定。

<基板处理系统的概要>

首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构。

图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。下面，为了使位置关系清楚，对互相正交的x轴、y轴及z轴进行规定，将z轴正方向设为铅垂朝上方向。

如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。

搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有多个承载件c，所述多个承载件c用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆w)以水平状态收容。

搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，搬送部12在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动且能够以铅垂轴为中心进行转动，基板搬送装置13使用晶圆保持机构在承载件c与交接部14之间搬送晶圆w。

处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在搬送部15的两侧排列设置。

搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动且能够以铅垂轴为中心进行转动，基板搬送装置17使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆w。

处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送的晶圆w进行规定的基板处理。

另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理系统1的动作。

此外，该程序既可以是记录在计算机可读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、光磁盘(mo)、存储卡等。

在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆w自载置于承载件载置部11的承载件c取出，并将取出的晶圆w载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将被载置于交接部14的晶圆w自交接部14取出并将其搬入到处理单元16中。

在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆w进行处理之后，利用基板搬送装置17将该晶圆w自处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆w返回到载置部11的承载件c。

<处理单元的概要>

接着，参照图2对处理单元16的概要进行说明。图2是表示处理单元16的结构的示意图。

如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。

腔室20用于收容基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有ffu(fanfilterunit：风机过滤单元)21。ffu21用于在腔室20内形成下降流。

基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆w保持水平。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部水平支承保持部31。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴旋转。

该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转，来使被支柱部32保持的保持部31旋转，由此使被保持部31保持的晶圆w旋转。

处理流体供给部40对晶圆w供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。在后文中叙述该处理流体供给源70的结构。

回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于收集因保持部31的旋转而自晶圆w飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液自该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将自ffu21供给的气体排出到处理单元16的外部。

接着，参照图3对处理单元16的具体的结构例进行说明。图3是表示处理单元16的具体的结构例的示意图。

如图3所示，在基板保持机构30所具备的保持部31的上表面设置从晶圆w的侧面保持晶圆w的保持构件311。晶圆w以从保持部31的上表面隔开一些间隔的状态被该保持构件311保持水平。此外，晶圆w以要进行基板处理的表面朝向上方的状态被保持部31保持。

处理流体供给部40具备多个(在此为四个)喷嘴41a～41d、水平地支承该喷嘴41a～41d的臂42、以及使臂42转动和升降的转动升降机构43。

喷嘴41a经由阀44a及流量调整器45a而与hfc供给源46a连接。在hfc供给源46a例如贮藏hfc(hydrofluorocarbon：氢氟烃)等用于对晶圆w进行处理的cf系清洗液。此外，该cf系清洗液不限于hfc，也可以使用pfc(perfluorocarbon：全氟化碳)、hfo(hydrofluoroolefins：氢氟烯烃)等。

喷嘴41b经由阀44b及流量调整器45b而与dhf供给源46b连接。在dhf供给源46b中例如贮藏dhf(dilutedhydrofluoricacid：稀氟氢酸)等用于对晶圆w的残渣进行清洗的清洗液。此外，用于对晶圆w的残渣进行清洗的清洗液不限于dhf，也可以使用有机剥离液等。

喷嘴41c经由阀44c及流量调整器45c而与diw供给源46c连接。diw(deionizedwater：去离子水)例如使用于冲洗处理。此外，使用于冲洗处理的处理液不限于diw，只要能够将dhf从晶圆w上去除即可，也可以使用其它种类的处理液。

喷嘴41d经由阀44d及流量调整器45d而与ipa供给源46d连接。ipa(isopropylalcohol：异丙醇)例如使用于置换处理。此外，使用于置换处理的处理液不限于ipa，只要是表面张力比diw的表面张力低的溶剂即可，也可以使用其它种类的溶剂。

从喷嘴41a喷出自hfc供给源46a供给的hfc。从喷嘴41b喷出自dhf供给源46b供给的dhf。从喷嘴41c喷出自diw供给源46c供给的diw。从喷嘴41d喷出自ipa供给源46d供给的ipa。

<清洗处理的详细内容>

接着，参照图4对处理单元16中的晶圆w的清洗处理的详细内容进行说明。图4是表示实施方式中的基板清洗处理的概要的图。此外，设为在进行该基板清洗处理之前的工序中对晶圆w进行干蚀刻处理。

首先，利用基板搬送装置17将晶圆w搬入到处理单元16的腔室20内。然后，将晶圆w以要进行基板处理的表面朝向上方的状态保持于保持构件311。之后，通过驱动部33来使基板保持机构30与晶圆w一起以规定的旋转速度旋转。

接着，如图4的(a)所示，在处理单元16中利用hfc进行第一清洗处理。在该第一清洗处理中，处理流体供给部40的喷嘴41a移动到晶圆w的中央的上方。之后，通过使阀44a打开规定时间，来对晶圆w的表面供给作为cf系清洗液的hfc。通过该第一清洗处理，能够将在对晶圆w进行干蚀刻时附着于晶圆w的氟系聚合物去除。

接着，如图4的(b)所示，在处理单元16中利用dhf进行第二清洗处理。在该第二清洗处理中，处理流体供给部40的喷嘴41b移动到晶圆w的中央的上方。之后，通过使阀44b打开规定时间，来对晶圆w的表面供给作为清洗液的dhf。

通过该第二清洗处理，能够将在对晶圆w进行干蚀刻时附着于晶圆w且难以通过第一清洗处理去除的、氟系聚合物以外的残渣去除。

接着，在处理单元16中利用diw进行冲洗处理。在该冲洗处理中，使处理流体供给部40的喷嘴41c移动到晶圆w的中央的上方，且使阀44c打开规定时间，由此对晶圆w的表面供给作为冲洗液的diw。通过该冲洗处理来将残留在晶圆w上的dhf去除。

接着，在处理单元16中利用ipa进行置换处理。在该置换处理中，使处理流体供给部40的喷嘴41d移动到晶圆w的中央的上方，且使阀44d打开规定时间，由此对晶圆w的表面供给ipa。由此，将残留于晶圆w的表面的diw置换为ipa。

接下来，在处理单元16中进行使晶圆w干燥的干燥处理。在该干燥处理中，例如通过驱动部33来使基板保持机构30高速旋转，由此甩掉被保持构件311保持的晶圆w上的ipa。

之后，在处理单元16中进行搬出处理。在搬出处理中，在使晶圆w停止旋转后，利用基板搬送装置17将晶圆w从处理单元16搬出。当该搬出处理完成时，针对一张晶圆w的一系列的基板处理完成。

如至此所说明的那样，在实施方式中，将利用cf系清洗液(例如hfc)进行的第一清洗处理和利用残渣去除用的清洗液(例如dhf)进行的第二清洗处理连续地进行。由此，根据实施方式，能够将在进行干蚀刻处理时附着的氟系聚合物和氟系聚合物以外的残渣从晶圆w良好地去除。

此外，在实施方式中示出了利用cf系的清洗液来实施用于将氟系聚合物去除的第一清洗处理的情况，但第一清洗处理不限于使用清洗液的情况。例如，也可以利用使用cf系的溶剂的蒸汽清洗或高温高压清洗、超临界清洗等来进行第一清洗处理。

另外，在实施方式中示出了在第一清洗处理之后进行用于去除残渣的第二清洗处理的情况，但在通过第一清洗处理也能够去除残渣的情况下，不一定需要进行第二清洗处理。

<处理流体供给源的概要>

接着，参照图5对基板处理系统1所具备的处理流体供给源70的概要结构进行说明。图5是表示实施方式所涉及的处理流体供给源70的概要结构的图。

如图5所示，基板处理系统1所具备的处理流体供给源70向多个处理单元16供给处理液。此外，在实施方式中，利用图5所示的处理流体供给源70分别单独地构成图3所示的hfc供给源46a、dhf供给源46b、diw供给源46c以及ipa供给源46d。

处理流体供给源70具有用于贮存处理液的罐102、从该罐102出来并返回罐102的循环管线104。在该循环管线104中，从以罐102为基准的上游侧起依次设置泵106、过滤器108、连接部110以及背压阀114。

泵106用于形成从罐102流出、通过循环管线104而返回罐102的处理液的循环流。此外，在实施方式中，泵106的喷出压力能够由控制部18控制。

过滤器108用于将在循环管线104内循环的处理液中包含的微粒等污染物质去除。

连接部110与一个或多个分支管线112连接。各分支管线112用于向对应的各处理单元16供给在循环管线104中流动的处理液。此外，能够根据需要在各分支管线112中设置流量控制阀等流量调整机构、过滤器等。

背压阀114具有如下功能：在该背压阀114的上游侧的处理液的压力比期望的压力大的情况下，增大阀开度，在上游侧的处理液的压力比期望的压力小的情况下，减小阀开度，由此将上游侧的处理液的压力保持为期望的压力。此外，在实施方式中，背压阀114的阀开度能够由控制部18控制。

此外，在循环管线104中除了设置有至此所说明的各构成构件之外，还可以根据需要设置辅助构件(例如加热器、流量计等)。

另外，罐102具有罐液补充部116和排液部118。罐液补充部116用于向罐102中补充处理液或处理液构成成分。在更换罐102内的处理液等时，排液部118将罐102内的处理液排出。

在至此所说明的处理流体供给源70中，使用背压阀114将与分支管线112连接的连接部110的压力保持为期望的压力，由此能够顺畅地从处理流体供给源70向各处理单元16供给处理液。

另一方面，在循环管线104中，存在如下情况：在进行处理液的更换操作、故障后的复原操作等之后，在紧接开始进行处理液的循环之后，由于泵106的喷出压力引起异物穿过过滤器108，由此使循环管线104内的处理液被污染。在像这样处理液在循环管线104内被污染的情况下，需要再次进行长时间的循环，由此利用过滤器108将处理液内的异物去除，因此有时基板处理系统1需花费时间才能复原。

因此，在实施方式中，设为通过恰当地控制泵106的喷出压力和背压阀114的阀开度来抑制在紧接开始进行处理液的循环之后异物穿过过滤器108。接下来，参照图6和图7来说明该控制的详细内容。

图6是表示实施方式中的泵106的喷出压力和背压阀114的阀开度的变化的图。如图6所示，在处理流体供给源70中，在泵106启动的时间t1之前进行阀开度保持处理(步骤s1)。

在该阀开度保持处理中，通过控制背压阀114来将该背压阀114的阀开度固定地保持为规定的阀开度v1。换言之，在阀开度保持处理中，不管背压阀114的上游侧的处理液的压力值为多少都不对背压阀114进行通常的阀开度的控制。

在阀开度保持处理中，例如将背压阀114固定地保持为全开。而且，在启动泵106时也维持该阀开度的保持状态。

继阀开度保持处理之后，在处理流体供给源70中进行循环开始处理(步骤s2)。在该循环开始处理中，通过控制泵106来使泵106在时间t1启动。

在此，在进行循环开始处理时，进行控制以使泵106的喷出压力成为规定的第一压力p1，来启动泵106。此外，该第一压力p1比泵106中的最大喷出压力即第二压力p2小。此外，例如对泵106追加调节器来作为使泵106以比最大喷出压力(第二压力p2)小的第一压力p1动作的部件，利用该调节器使喷出压力在低压(第一压力p1)与高压(第二压力p2)之间切换即可。

图7是表示实施方式和参考例中的过滤器108的上游侧与下游侧的压差的变化的图。此外，在图7所示的参考例中，与实施方式不同的是，在时间t1以最大喷出压力即第二压力p2启动泵106。另外，在启动泵106之前，未对背压阀114的上游侧施加泵106的喷出压力，因此处于不进行背压阀114的控制的状态。

因而，在参考例中，泵106以第二压力p2启动，从对背压阀114的上游侧施加喷出压力起开始进行背压阀114的控制。然而，在该控制稳定地动作之前存在规定的时间滞后，因此在控制稳定的时间ta之前处于不对背压阀114进行控制的状态。

即，处于在过滤器108的上游侧从泵106以最大喷出压力喷出处理液并且在过滤器108的下游侧不对背压阀114进行控制的状态。由此，如图7所示，从泵106启动的时间t1到对背压阀114进行控制的时间ta的期间，在过滤器108的上游侧与下游侧之间施加了超过过滤器108的耐压差那么大的压差dc。因而，在参考例中，存在由于该大的压差dc而使异物穿过过滤器108的风险。

另一方面，在实施方式中，一边进行控制以使泵106的喷出压力成为比最大喷出压力(第二压力p2)小的第一压力p1，一边开始进行循环管线104内的处理液的循环。由此，在启动泵106时，能够将向过滤器108的上游侧施加的压力抑制成低的压力。

即，通过进行控制以使泵106的喷出压力成为第一压力p1来开始进行处理液的循环，能够将施加于过滤器108的上游侧与下游侧之间的压差抑制为比参考例中的压差dc小的压差da。因而，根据实施方式，能够抑制紧接在开始进行处理液的循环之后由于泵106的喷出压力引起异物穿过过滤器108。

另外，在实施方式中，通过阀开度保持处理，在启动泵106时将背压阀114固定地控制为全开。由此，即使在从泵106以比最大喷出压力小的第一压力p1喷出处理液的情况下，也能够充分确保循环管线104内的处理液的流量。由此，即使泵106中混入了空气也能够防止空气留存在泵106内，从而能够防止由于空气混入泵106中而导致的不良。

此外，在阀开度保持处理中，也可以不使背压阀114为全开，而将背压阀114固定为能够确保循环管线104内的处理液的流量的阀开度v1即可。由此，即使在以第一压力p1进行喷出的情况下，也能够充分确保循环管线104内的处理液的流量。

返回图6的说明。继循环开始处理之后，在处理流体供给源70中进行阀开度控制处理(步骤s3)。在该阀开度控制处理中，在时间t2开始对背压阀114进行阀开度的控制。

此外，该“阀开度的控制”为如下的控制：在背压阀114的上游侧的处理液的压力比期望的压力大的情况下，增大阀开度，在上游侧的处理液的压力比期望的压力小的情况下，减小阀开度，由此将背压阀114的上游侧的压力固定为期望的压力。

另外，如图6所示，在该阀开度控制处理之后(即时间t2之后)，进行控制以使背压阀114的阀开度变小。这是因为：由于泵106的喷出压力为比最大喷出压力小的第一压力p1，因此需要使要通过背压阀114的处理液集中以使背压阀114的上游侧的压力升压到期望的压力。

继该阀开度控制处理之后，在处理流体供给源70中进行升压处理(步骤s4)。在该升压处理中，在从时间t1起经过规定的时间后的压差稳定的时间t3，使泵106的喷出压力从第一压力p1升压到最大喷出压力即第二压力p2。此外，如图6所示，在时间t3的时间点，背压阀114的阀开度减少到比阀开度保持处理中的阀开度v1小的阀开度v2。

通过该升压处理，过滤器108的上游侧的压力增加。然而，在实施方式中，通过阀开度控制处理，背压阀114的阀开度减少到阀开度v2，因此背压阀114的上游侧(即过滤器108的下游侧)的压力也增加。

由此，如图7所示，能够抑制紧接在开始以最大喷出压力进行喷出之后(即紧接在时间t3之后)，施加于过滤器108的上游侧与下游侧之间的压差db大幅度增加。因而，根据实施方式，能够抑制紧接在升压处理之后异物穿过过滤器108。

<处理的过程>

接下来，参照图8和图9来说明实施方式所涉及的各种处理的过程。图8是表示基板处理系统1执行的基板处理的过程的流程图。

如图8所示，在处理单元16中，首先进行搬入处理(步骤s101)。在搬入处理中，控制部18控制基板搬送装置17来将晶圆w搬入到处理单元16的腔室20内。将晶圆w以要进行基板处理的表面朝向上方的状态保持于保持构件311。之后，控制部18控制驱动部33来使基板保持机构30以规定的旋转速度旋转。

接着，在处理单元16中进行第一清洗处理(步骤s102)。在第一清洗处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41a移动到晶圆w的中央的上方。之后，控制部18将阀44a打开规定时间，由此对晶圆w的表面供给作为cf系清洗液的hfc。

被供给到晶圆w的表面的hfc通过伴随晶圆w的旋转产生的离心力而在晶圆w的整个表面扩散。由此，利用hfc将附着于晶圆w的氟系聚合物去除。

接着，在处理单元16中进行第二清洗处理(步骤s103)。在第二清洗处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41b移动到晶圆w的中央的上方。之后，控制部18将阀44b打开规定时间，由此对晶圆w的表面供给作为残渣用的清洗液的dhf。

被供给到晶圆w的表面的dhf通过伴随晶圆w的旋转产生的离心力而在晶圆w的整个表面扩散。由此，利用dhf将附着于晶圆w的残渣去除。

接着，在处理单元16中进行冲洗处理(步骤s104)。在冲洗处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41c移动到晶圆w的中央的上方，将阀44c打开规定时间，由此向晶圆w的表面供给作为冲洗液的diw。

被供给到晶圆w的表面的diw通过伴随晶圆w的旋转产生的离心力而在晶圆w的整个表面扩散。由此，利用diw将残留于晶圆w的表面的dhf去除。

接着，在处理单元16中进行置换处理(步骤s105)。在置换处理中，控制部18使处理流体供给部40的喷嘴41d移动到晶圆w的中央的上方，将阀44d打开规定时间，由此向晶圆w的表面供给作为溶剂的ipa。

被供给到晶圆w的表面的ipa通过伴随晶圆w的旋转产生的离心力而在晶圆w的整个表面扩散。由此，将残留于晶圆w的表面的diw置换为ipa。

接下来，在处理单元16中进行使晶圆w干燥的干燥处理(步骤s106)。在干燥处理中，例如控制部18控制驱动部33来使基板保持机构30高速旋转，由此甩掉被保持构件311保持的晶圆w上的ipa。

之后，在处理单元16中进行搬出处理(步骤s107)。在搬出处理中，控制部18控制驱动部33来使晶圆w停止旋转，之后控制基板搬送装置17来将晶圆w从处理单元16搬出。当该搬出处理完成时，针对一张晶圆w的一系列的基板处理完成。

图9是表示处理流体供给源70执行的液处理的过程的流程图。在进行处理液的更换操作、故障后的复原操作等之后进行本处理。如图9所示，在处理流体供给源70中，首先进行阀开度保持处理(步骤s111)。在阀开度保持处理中，控制部18控制背压阀114来将背压阀114的阀开度固定地保持为规定的阀开度v1。在该阀开度保持处理中，例如将背压阀114固定地保持为全开。

接着，在处理流体供给源70中进行循环开始处理(步骤s112)。在循环开始处理中，控制部18控制泵106来开始进行循环管线104内的处理液的循环。此外，将在循环开始处理中启动泵106时的喷出压力控制为比最大喷出压力(第二压力p2)小的第一压力p1。

接着，在处理流体供给源70中进行阀开度控制处理(步骤s113)。在阀开度控制处理中，控制部18控制背压阀114来进行阀开度的控制，以使该背压阀114的上游侧的压力固定地成为期望的压力。此外，在实施方式中，泵106的喷出压力为比最大喷出压力小的第一压力p1，因此进行控制以使背压阀114的阀开度减小。

之后，在处理流体供给源70中进行升压处理(步骤s114)。在升压处理中，控制部18控制泵106以使泵106的喷出压力从第一压力p1升压到最大喷出压力即第二压力p2。当升压处理完成时，处理流体供给源70中的一系列的液处理完成。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，只要不脱离其主旨就能够进行各种变更。例如，在实施方式中，示出在升压处理中将泵106的喷出压力升压到最大喷出压力即第二压力p2的例子，但第二压力p2不一定是泵106的最大喷出压力。

实施方式所涉及的液处理装置具备罐102、循环管线104、泵106、过滤器108、背压阀114以及控制部18。罐102用于贮存处理液。循环管线104用于使从罐102送出的处理液返回罐102。泵106用于形成循环管线104中的处理液的循环流。过滤器108设置于循环管线104中的泵106的下游侧。背压阀114设置于循环管线104中的过滤器108的下游侧。控制部18控制泵106和背压阀114。而且，控制部18控制泵106的喷出压力，以使在开始进行循环管线104中的处理液的循环时，泵106以喷出压力为规定的第一压力p1启动，并且在经过规定的时间后泵106的喷出压力增加到比第一压力p1大的第二压力p2。由此，能够抑制紧接在处理液开始循环之后由于泵106的喷出压力引起异物穿过过滤器108。

另外，在实施方式所涉及的液处理装置中，控制部18控制背压阀114，以使在开始进行循环管线104中的处理液的循环时，将背压阀114固定为规定的阀开度v1。由此，在从泵106以比最大喷出压力小的第一压力p1喷出处理液的情况下，也能够充分确保循环管线104内的处理液的流量。

另外，在实施方式所涉及的液处理装置中，控制部18控制背压阀114，以使在开始进行循环管线104中的处理液的循环时将背压阀114固定为全开。由此，即使空气混入泵106中也能够防止空气留存在泵106内，从而能够防止由于空气混入泵106而导致的不良。

另外，在实施方式所涉及的液处理装置中，控制部18控制背压阀114，以使在泵106的喷出压力从第一压力p1增加到第二压力p2之前，阀开度从规定的阀开度v1逐渐变小。由此，能够抑制紧接在进行升压处理之后，施加于过滤器108的上游侧与下游侧之间的压差过度增加。

另外，实施方式所涉及的液处理装置还具备连接部110，所述连接部110设置于循环管线104中的、过滤器108与背压阀114之间，并且与用于向对基板(晶圆w)进行处理的处理部(处理单元16)供给处理液的分支管线112连接。由此，能够顺畅地从处理流体供给源70向处理单元16进行处理液的供给。

另外，实施方式所涉及的液处理方法包括循环开始工序(步骤s112)和升压工序(步骤s114)。在循环开始工序(步骤s112)中，在用于使从罐102送出的处理液返回罐102的循环管线104中开始进行处理液的循环时，使用于形成循环管线104中的处理液的循环流的泵106的喷出压力上升到规定的第一压力p1。在升压工序(步骤s114)中，在经过规定的时间之后使泵106的喷出压力增加到比第一压力p1大的第二压力p2。由此，能够抑制紧接在开始进行处理液的循环之后，由于泵106的喷出压力引起异物穿过过滤器108。在使泵106的喷出压力上升到第一压力p1时、或者使该喷出压力从第一压力p1增加到第二压力p2时，可以使喷出压力逐渐增加。由此，能够进一步抑制由于泵106的喷出压力引起异物穿过过滤器108。

本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的方式并不限定为以上表述及记述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因而，只要不脱离由所附的权利要求书及其等同物定义的概括性的发明构思或范围就能够进行各种变更。