技术特征：
技术总结
本发明涉及微电子材料技术领域，具体涉及一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用。Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜中单层Sb70Se30薄膜和单层Si薄膜交替堆叠排列成多层膜结构，单层Sb70Se30薄膜的厚度范围为1～10nm，单层Si薄膜的厚度范围为1～10nm，所述Sb70Se30/Si复合相变薄膜总厚度为50～60nm。通过交替溅射沉积Sb70Se30层和Si层，在纳米量级复合而成。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的Sb70Se30/Si复合薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。
技术研发人员：张丹;胡益丰;卢雅琳;朱小芹;孙月梅;邹华
受保护的技术使用者：江苏理工学院
技术研发日：2018.08.28
技术公布日：2019.01.08