技术特征：
技术总结
一种基于CMOS工艺的太赫兹微测辐射热计，是采用0.18um BiCMOS工艺，在应用标准0.18um BiCMOS工艺制成的硅衬底上分别设置有宽带频率选择表面结构、窄带频率选择表面结构和PTAT温度传感电路，所述的宽带频率选择表面结构和窄带频率选择表面结构均是设置在Metal4金属层，所述的宽带频率选择表面结构和窄带频率选择表面结构分别接收外部电磁波f，所述PTAT温度传感电路输入端分别接收宽带频率选择表面结构和窄带频率选择表面结构所传递的信号，所述PTAT温度传感电路的输出端构成微测辐射热计的输出端，所述宽带频率选择表面结构确定有无太赫兹信号，窄带频率选择表面结构确定信号的精确频率，实现28.3THz信号的准确探测。
技术研发人员：马建国;王旭;傅海鹏;马凯学
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2018.09.19
技术公布日：2019.01.15