显示面板及其制造方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(英文：organiclight-emittingdiode；缩写：oled)显示面板可以包括阳极、像素界定层、有机发光层和阴极等。其中，可以通过阴极与阳极之间形成的电压差控制有机发光层的亮度。但是，当阴极的电阻较大时，该阴极对该电压差的影响显著，导致显示面板的显示出现亮度梯度。

相关技术中，可以通过设置阴极结构来代替原有的阴极的功能，该阴极结构包括：并联的阴极和辅助阴极，且该辅助阴极由金属制成。该阴极结构的电阻为阴极与辅助阴极的并联电阻，且该并联电阻小于原有的阴极的电阻。

但是，为了保证显示面板中像素单元的开口率，辅助阴极的面积通常较小，导致阴极与辅助阴极的并联电阻仍较大，显示面板的显示效果仍然会受到影响。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中阴极与辅助阴极的并联电阻较大，显示面板的显示效果会受到影响的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种显示面板，包括：

设置在衬底基板上的辅助阴极层和阳极层，以及，在设置有所述阳极层的衬底基板上层叠设置的发光层和阴极层，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；

所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上设置有至少一个凹槽，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。

可选地，所述辅助阴极结构中的各凹槽为通槽。

可选地，所述发光层在所述衬底基板上的正投影与所述辅助阴极层在所述衬底基板上的正投影不重叠。

可选地，所述阴极层填充各个所述凹槽。

可选地，所述显示面板包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括显示区域和非显示区域，所述辅助阴极结构位于所述非显示区域中。

可选地，所述显示面板包括多个像素单元组，每个像素单元组包括至少一个像素单元，每个所述像素单元组中的阴极与同一个辅助阴极结构连接。

可选地，每个所述像素单元组包括四个像素单元，与所述四个像素单元中的阴极连接的辅助阴极结构位于所述四个像素单元所在区域的几何中心。

可选地，所述显示面板还包括：设置在所述衬底基板上的源漏极图形，所述辅助阴极层在所述衬底基板上的正投影与所述源漏极图形在所述衬底基板上的正投影不重叠；

所述源漏极图形位于所述衬底基板与所述辅助阴极层之间，或者，所述源漏极图形与所述辅助阴极层同层设置。

第二方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层，所述辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个所述辅助阴极结构远离所述衬底基板的表面上形成有至少一个凹槽，所述阳极层与所述辅助阴极层绝缘；

在形成有所述阳极层的衬底基板上形成发光层；

在形成有所述发光层的衬底基板上形成阴极层，所述阴极层在所述凹槽内与所述辅助阴极层接触。

第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一所述的显示面板。

本发明实施例提供的显示面板，通过在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上设置的至少一个凹槽，使得阴极层能够在凹槽内与辅助阴极结构接触，相较于相关技术，增大了辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的接触电阻，进而减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果，有效的保证了显示面板的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种辅助阴极结构在衬底基板上的正投影的示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种辅助阴极结构在衬底基板上的正投影的示意图；

图7是本发明实施例提供的一种多个辅助阴极结构在显示面板上的分布示意图；

图8是本发明实施例提供的另一种多个辅助阴极结构在显示面板上的分布示意图；

图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；

图11是本发明实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图；

图12是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成有源层后的结构示意图；

图13是本发明实施例提供的一种在形成有有源层的衬底基板上形成第一栅绝缘层、栅极和第二栅绝缘层后的结构示意图；

图14是本发明实施例提供的一种在形成有第二栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极图形后的结构示意图；

图15是本发明实施例提供的一种在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层后的结构示意图；

图16是本发明实施例提供的另一种在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层后的结构示意图；

图17是本发明实施例提供的一种在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层后的结构示意图；

图18是本发明实施例提供的另一种在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层后的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

近年来，由于柔性oled显示面板具有较高色彩饱和度和柔性可变形等优点，其应用越来越广泛。随着显示面板屏幕的增大，显示面板上像素单元的面积相应增大。且由阴极的电阻引起的电位下降趋于显著，导致阳极和阴极间的电压差减小，进而导致显示面板的显示区域中出现亮度梯度。例如，对于顶发射型显示面板，为了保证位于出光侧的电极(即阴极)的透过率，且由于该电极通常由镁银合金制成，通常会将电极做的很薄，导致电极的电阻较大。

相关技术中，通过设置阴极结构来代替原有的阴极的功能，该阴极结构包括：并联的阴极和辅助阴极，且该辅助阴极由金属制成。该阴极结构的电阻为阴极与辅助阴极的并联电阻，且该并联电阻小于原有的阴极的电阻。由于该阴极结构的电阻小于原有的阴极的电阻，使得阴极结构的电位下降程度减小，进而减小了阳极和阴极结构间的电压差的减小程度，可以避免显示面板的显示区域中出现亮度梯度。其中，该阴极结构的设置方式为：该辅助阴极设置在像素单元的非显示区域中，该阳极设置在像素单元的显示区域中，该形成有辅助阴极的衬底基板上形成有发光层，该发光层的厚度小于该辅助阴极的厚度，且由于在非显示区域中该辅助阴极上形成了膜层段差，使得该发光层在该辅助阴极处断开，相应的，在该形成有发光层的衬底基板上形成阴极时，阴极能够在该断开处与辅助阴极接触。可选地，该像素单元可以包括红子像素单元、绿子像素单元和蓝子像素单元。

但是，由于辅助阴极远离衬底基板的表面上覆盖有发光层，使得阴极仅能与辅助阴极的侧壁接触，导致阴极与辅助阴极的有效电接触面积较小，以使阴极与辅助阴极的接触电阻较大，进而导致阴极结构的电阻仍较大。并且，若通过增大辅助阴极的面积减小阴极结构的电阻，该增大后的辅助阴极会影响像素单元的开口率，使得显示面板的显示效果受到影响。

为此，本发明实施例提供了一种显示面板，如图1所示，该显示面板可以包括：设置在衬底基板101上的辅助阴极层102和阳极层103，以及，在设置有阳极层103的衬底基板101上层叠设置的发光层104和阴极层105。该阳极层103与该辅助阴极层102绝缘。可选地，该辅助阴极层102在衬底基板101上的正投影与该阳极层103在衬底基板101上的正投影可以不重叠，使得无需在辅助阴极层102和阳极层103之间设置绝缘层，即可保证该阳极层103与该辅助阴极层102绝缘。其中，发光层104可以包括空穴传输层htl、空穴注入层hil、电子传输层etl、电子注入层eil、空穴阻挡层hbl、电子阻挡层ebl和发光材料层。

该辅助阴极层102包括至少一个辅助阴极结构1021，每个辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上设置有至少一个凹槽(图1以该辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上设置有四个凹槽为例进行示意)，阴极层105在凹槽内与辅助阴极层102接触。该阴极层105和该辅助阴极层102可组成阴极结构。且该辅助阴极层102可以由金属钼(mo)、金属铜(cu)、金属铝(al)或其合金材料等制成。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板，通过在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上设置的至少一个凹槽，使得阴极层能够在凹槽内与辅助阴极结构接触，相较于相关技术，增大了辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的接触电阻，进而减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果，有效的保证了显示面板的显示效果。

其中，阴极层105在凹槽内与辅助阴极层102接触的实现方式至少可以包括以下几种可实现方式：

在第一种可实现方式中，阴极层105和发光层104可以填充各个凹槽。在显示面板的制造过程中，由于需要先形成发光层104再形成阴极层105，使得各个凹槽中可以层叠地填充有发光层104和阴极层105，使得发光层104和阴极层105均与各凹槽的侧壁接触。图1为该阴极层105和发光层104填充各个凹槽的示意图。

例如，发光层104可以为整层结构，且该凹槽的槽深可以大于发光层104的厚度。当辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上设置有凹槽时，在形成发光层104的过程中，凹槽内会形成有用于形成发光层104的材料。当凹槽的槽深大于发光层104的厚度时，在形成阴极层105的过程中，凹槽内会填充有用于形成阴极层105的材料，使得阴极层105在凹槽内与辅助阴极结构1021接触，进而使阴极层105和发光层104填充各个凹槽。可选地，该凹槽的槽深所在的方向和发光层104的厚度所在的方向可以均垂直于衬底基板101的表面，以便于能够在凹槽中形成发光层104和阴极层105。

在第二种可实现方式中，阴极层105可以填充各个凹槽，该阴极层105与各凹槽的侧壁接触。图2为该阴极层填充各个凹槽的示意图，如图2所示，各个凹槽中仅形成有阴极层105。当凹槽中仅形成有阴极层105时，能够使各个凹槽的侧壁完全与阴极层105接触，有效地增大了辅助阴极层102与阴极层105的接触面积。

例如，在形成发光层104之前，可以在凹槽的顶面设置挡板，使得在形成发光层104的过程中，用于形成发光层104的材料无法形成在凹槽中，并在形成阴极层105之前去除该挡板，使得用于形成该阴极层105的材料形成在该凹槽中，以使凹槽中仅形成有阴极层105。或者，可以在形成发光层104后，通过构图工艺等方式去除形成在该凹槽中的发光层104，然后再形成阴极层105，使得凹槽中仅形成有阴极层105。

在一种可实现方式中，如图3所示，该发光层104在衬底基板101上的正投影可以与辅助阴极层102在衬底基板101上的正投影不重叠，此时，阴极层105不仅能够在凹槽内与辅助阴极层102接触，该阴极层105还能够在辅助阴极层102远离衬底基板101的表面与该辅助阴极层102接触。这样以来，能够进一步地增大阴极层105与辅助阴极层102的接触面积。

示例地，在形成发光层104之前，可以在辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上设置挡板，使得辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上未形成有用于形成发光层104的材料。或者，可以在形成发光层104后，通过构图工艺等方式去除形成在辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上的发光层，使得辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上未形成有发光层104。当辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上未形成有发光层104时，在形成有发光层104的衬底基板101上形成阴极层105时，该辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面可以形成有用于形成该阴极层105的材料，使得该阴极层105不仅能够在凹槽内与辅助阴极层102接触，还能够在辅助阴极层102远离衬底基板101的表面与该辅助阴极层102接触。

可选地，辅助阴极层102与阳极层103的设置方式可以有多种，例如：辅助阴极层102可以与阳极层103同层设置。或者，阳极层103可以设置在辅助阴极层102远离衬底基板101的一侧，即在制造显示面板时，可以先形成辅助阴极层102，然后在形成有辅助阴极层102的衬底基板101上形成阳极层103。或者，辅助阴极层102可以设置在阳极层103远离衬底基板101的一侧，即在制造显示面板时，可以先形成阳极层103，然后在形成有阳极层103的衬底基板101上形成辅助阴极层102。

当辅助阴极层102与阳极层103同层设置时，该辅助阴极层102与阳极层103可以在一次构图工艺中形成，以简化显示面板的制造过程和制造成本。

并且，该辅助阴极结构1021中的至少一个凹槽可以为通槽。示例地，如图4所示，该辅助阴极结构1021中的各个凹槽可以为通槽。在发光层104的厚度不变的情况下，当该凹槽的槽深越大时，阴极层105在凹槽内与辅助阴极结构1021接触面积越大，相应的，辅助阴极层102与阴极层105的总接触面积越大。因此，当辅助阴极结构1021的凹槽为通槽时，可以较大程度地增加辅助阴极层102与阴极层105的接触面积，以减小辅助阴极层102与阴极层105的并联电阻，进而有效地减小阴极结构的电阻。

并且，当辅助阴极结构1021远离衬底基板101的表面上设置的凹槽数量越多时，阴极层105在凹槽内与辅助阴极结构1021接触面积越大，相应的，辅助阴极层102与阴极层105的总接触面积越大，可进一步减小阴极层105与辅助阴极层102的并联电阻。

可选地，当该凹槽为通槽时，该辅助阴极结构1021的凹槽在衬底基板101上的正投影可以呈环形。可选地，该环形可以为圆环形或方环形。并且，该每个辅助阴极结构1021的整体形状可以为柱状。该柱状可以为圆柱或棱柱。当辅助阴极结构1021的整体形状为柱状时，可以保证辅助阴极结构1021的稳定性。并且，当该辅助阴极结构1021的整体形状为圆柱时，能够使该辅助阴极结构1021不易出现因断线而导致的接触不良。当该辅助阴极结构1021的整体形状为棱柱时，能够减小该辅助阴极结构1021所占用的面积，进而增大像素单元的开口率。

示例的，请参考图5，其示出了本发明实施例提供的一种当该凹槽为通槽时，辅助阴极结构1021在衬底基板101上的正投影b的示意图。其中，图5中阴影a表示凹槽在衬底基板101上的正投影。通过该图5可以看出，凹槽在衬底基板101上的正投影为圆环形，且图5中辅助阴极结构1021的整体形状为圆柱。

请参考图6，其示出了本发明实施例提供的另一种当该凹槽为通槽时，辅助阴极结构1021在衬底基板101上的正投影b的示意图。其中，图6中阴影a表示凹槽在衬底基板101上的正投影。通过该图6可以看出，凹槽在衬底基板101上的正投影为方环形，且图6中辅助阴极结构1021的整体形状为棱柱。

可选地，如图7或图8所示，显示面板可以包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元具有显示区域和非显示区域(为便于观看，该图7和图8中采用带有阴影的矩形块表示每个像素单元的显示区域，每个像素单元的非显示区域为其显示区域的周边区域，图7和图8中采用空白区域表示该非显示区域)，该辅助阴极结构1021可以位于非显示区域中。当辅助阴极结构1021设置在非显示区域时，可以有效的保证显示面板的透过率。

进一步的，如图7或图8所示，在显示面板中，该多个像素单元可以划分为多个像素单元组。每个像素单元组包括至少一个像素单元，每个像素单元组所包括的每个像素单元中的阴极可以与同一个辅助阴极结构1021连接。当每个像素单元组所包括的每个像素单元中的阴极与同一个辅助阴极结构1021连接时，可以减少显示面板中辅助阴极结构1021的设置个数，进而减小显示面板的制造成本。示例的，如图7或图8所示，每个像素单元组可以包括四个像素单元(每个实线框中的四个像素单元组成一个像素单元组)。每个像素单元组的四个像素单元中的阴极可以与同一个辅助阴极结构1021连接，且与四个像素单元中的阴极连接的辅助阴极结构1021位于四个像素单元所在区域的几何中心。

其中，显示面板上所有辅助阴极结构1021可以呈网格状分布，每个辅助阴极结构1021可以视为对应网格的一个顶点(例如，可以将每个辅助阴极结构1021的几何中心视为对应网格的一个顶点)，该网格的网孔可以呈平行四边形。示例的，请参考图7，显示面板上所有辅助阴极结构1021呈网格状分布，且该网格的网孔均呈矩形。请参考图8，显示面板上所有辅助阴极结构1021呈网格状分布，且该网格的网孔均呈平行四边形，该平行四边形中每相交的两条边的夹角小于90度。

可选地，如图9所示，该显示面板还可以包括：薄膜晶体管。当该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该薄膜晶体管可以包括：设置在衬底基板上的有源层、第一绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极图形106等。当该薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，该薄膜晶体管可以包括：设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极图形106等。其中，源漏极图形106可以由金属钼(mo)、金属铜(cu)、金属铝(al)或其合金材料制成。且辅助阴极层102与阳极103、源漏极图形106和栅极可以由相同材料制成。可选地，该源漏极图形106可以位于衬底基板101与辅助阴极层102之间。或者，该源漏极图形106可以与辅助阴极层102同层设置。

辅助阴极层102在衬底基板101上的正投影与源漏极图形106在衬底基板101上的正投影可以不重叠。此时，可以避免因辅助阴极层102与源漏极图形106接触导致的阳极层103与阴极层105短路。

可选地，该辅助阴极层102可以由叠加设置的多个子辅助阴极层构成。例如，当该辅助阴极层102由叠加设置的两个子辅助阴极层构成时，靠近衬底基板的子辅助阴极层可以与源漏极图形106同层设置，远离衬底基板的子辅助阴极层可以与阳极层103同层设置。此时，可以增大辅助阴极层102的厚度，以进一步增加辅助阴极层102与阴极层105的接触面积，减小辅助阴极层102与阴极层105的并联电阻，进而有效地减小阴极结构的电阻。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板，通过在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上设置的至少一个凹槽，使得阴极层能够在凹槽内与辅助阴极结构接触，相较于相关技术，增大了辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的接触电阻，进而减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果。并且，通过使阴极层在凹槽内与辅助阴极结构接触，使得无需改变辅助阴极结构的面积即可增大阴极与辅助阴极结构的接触面积，使得该辅助阴极结构的设置不会影响像素单元的开口率，有效的保证了显示面板的显示效果。

本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法可用于制造本发明实施例所提供的显示面板。请参考图10，该方法可以包括：

步骤201、提供一衬底基板。

步骤202、在衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层，辅助阴极层包括至少一个辅助阴极结构，每个辅助阴极结构远离衬底基板的表面上形成有至少一个凹槽，阳极层与辅助阴极层绝缘。

步骤203、在形成有阳极层的衬底基板上形成发光层。

步骤204、在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层，阴极层在凹槽内与辅助阴极层接触。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上形成至少一个凹槽，使得阴极层能够在凹槽内与辅助阴极结构接触，相较于相关技术，增大了辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的接触电阻，进而减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果，有效的保证了显示面板的显示效果。

本发明实施例提供了另一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法可用于制造本发明实施例所提供的显示面板。请参考图11，该方法可以包括：

步骤301、提供一衬底基板。

可选地，基板可以为透明基板，其具体可以是由玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的透光且非金属材料制成的基板。

步骤302、在衬底基板上形成薄膜晶体管。

可选地，该薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。当该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该形成薄膜晶体管的过程可以包括：依次在衬底基板上形成有源层、第一绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极图形。当该薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，该形成薄膜晶体管的过程可以包括：依次在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极图形。

可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：plasmaenhancedchemicalvapordeposition；简称：pecvd)等方法在衬底基板上沉积一层具有一定厚度的半导体材料，得到半导体材质层，然后通过一次构图工艺对半导体材质层进行处理得到有源层。其中，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。半导体材料可以为铟镓锌氧化物(英文：indiumgalliumzincoxide；简称：igzo)、非晶硅(英文：amorphoussilicone；简称：a-si)或多晶硅(英文：polycrystallinesilicon；简称：p-si)等材料。且该有源层的厚度可以根据实际需要确定。其中，形成薄膜晶体管中其他膜层的实现过程可以相应参考该形成有源层的实现过程。

示例的，图12示出了本发明实施例提供的一种在衬底基板101上形成有源层107后的结构示意图，图13示出了本发明实施例提供的一种在形成有有源层107的衬底基板101上形成第一栅绝缘层108、栅极109和第二栅绝缘层110后的结构示意图，图14示出了本发明实施例提供的一种在形成有第二栅绝缘层110的衬底基板101上形成源漏极图形106后的结构示意图。

步骤303、在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层。

可选地，该步骤303的实现方式可以有多种，本发明实施例以以下几种为例进行说明：

在第一种可实现方式中，可以在形成有源漏极图形的衬底基板上形成辅助阴极层，然后在形成有辅助阴极层的衬底基板上形成阳极层。

可以采用磁控溅射、热蒸发或者pecvd等方法在形成有源漏极图形的衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的辅助阴极材料，得到辅助阴极材质层，然后通过一次构图工艺对该辅助阴极材质层进行处理得到辅助阴极层。然后，采用磁控溅射、热蒸发或者pecvd等方法在形成有辅助阴极层的衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的阳极材料，得到阳极材质层，然后通过一次构图工艺对阳极材质层进行处理得到阳极层。可选地，辅助阴极材料和阳极材料均可以为金属钼(mo)、金属铜(cu)、金属铝(al)或其合金材料，或者，也可以为金属氧化物(如氧化铟锡(ito)等)材料制成。并且，辅助阴极材料也可以与制造栅极的材料和/或制造源漏极的材料相同。且该辅助阴极层的厚度和该阳极层的厚度均可以根据实际需要确定。示例的，图15示出了在形成有薄膜晶体管的衬底基板101上形成辅助阴极层102和阳极层103后的结构示意图。

需要说明的是，如图15所示，在形成辅助阴极层102和阳极层103之前，还可以在形成有源漏极图形106的衬底基板101上形成平坦化层111，然后在形成有该平坦化层111的衬底基板101上形成辅助阴极层102和阳极层103。

还需要说明的是，当辅助阴极层与源漏极图形的材料相同时，可以通过一次构图工艺形成辅助阴极层与源漏极图形。这样可以简化显示面板的制造工艺，并节约制造成本。此时，可以在形成有该辅助阴极层和该源漏极图形的衬底基板上形成平坦化层，然后在形成有该平坦化层的衬底基板上形成阳极层。图16示出了在形成有薄膜晶体管的衬底基板101上通过一次构图工艺形成辅助阴极层102和源漏极图形106，并在形成有该辅助阴极层102和源漏极图形106的衬底基板101依次形成平坦化层111和阳极层103后的结构示意图。

在第二种可实现方式中，可以在形成有源漏极图形的衬底基板上形成阳极层，然后在形成有阳极层的衬底基板上形成辅助阴极层。

可以采用磁控溅射、热蒸发或者pecvd等方法在形成有源漏极图形的衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的阳极材料，得到阳极材质层，然后通过一次构图工艺对阳极材质层进行处理得到阳极层。然后，采用磁控溅射、热蒸发或者pecvd等方法在形成有阳极层的衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的辅助阴极材料，得到辅助阴极材质层，然后通过一次构图工艺对该辅助阴极材质层进行处理得到辅助阴极层。其中，阳极材料和辅助阴极材料均可以为金属钼(mo)、金属铜(cu)、金属铝(al)或其合金材料等。且该阳极层和该辅助阴极层的厚度可以根据实际需要确定。示例的，在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成辅助阴极层和阳极层后的结构示意图请参考图15。

需要说明的是，当阳极材料和辅助阴极材料相同时，也可以通过一次构图工艺在形成有源漏极图形的衬底基板上形成阳极层和辅助阴极层。当通过一次构图工艺形成阳极层和辅助阴极层时，可以减少至少一次构图工艺，以简化显示面板的制造过程和制造成本。

还需要说明的是，如图15所示，在形成有薄膜晶体管的衬底基板101上形成辅助阴极层102和阳极层103之前，还可以在形成有源漏极图形106的衬底基板101上形成平坦化层111，然后在形成有该平坦化层111的衬底基板101上形成辅助阴极层102和阳极层103。

在该两种实现方式中，该辅助阴极层可以包括至少一个辅助阴极结构。每个辅助阴极结构远离衬底基板的表面上设置有至少一个凹槽。可选地，该辅助阴极结构中的各个凹槽可以为盲槽或通槽(请参考图15)。并且，辅助阴极层在衬底基板上的正投影可以与该阳极层在衬底基板上的正投影不重叠，以保证辅助阴极层与阳极层之间绝缘。和/或，该辅助阴极层在衬底基板上的正投影可以与该源漏极图形在衬底基板上的正投影不重叠，以保证辅助阴极层与源漏极图形之间绝缘，进而保证阳极层与阴极层不会短路。

需要说明的是，该辅助阴极层可以由叠加设置的多个子辅助阴极层构成。例如，当该辅助阴极层由叠加设置的两个子辅助阴极层构成时，可以通过一次构图工艺形成源漏极图形和靠近衬底基板的子辅助阴极层，通过一次构图工艺形成阳极层和远离衬底基板的子辅助阴极层。此时，可以增大辅助阴极层的厚度，以进一步增加辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小辅助阴极层与阴极层的并联电阻，进而有效地减小阴极结构的电阻。

步骤304、在形成有阳极层的衬底基板上形成发光层。

当步骤303的实现过程包括：在形成有源漏极图形的衬底基板上形成辅助阴极层，然后在形成有辅助阴极层的衬底基板上形成阳极层时，该步骤304的第一种实现过程可以包括：在形成有该阳极层的衬底基板上形成发光层。当步骤303的实现过程包括：在形成有源漏极图形的衬底基板上形成阳极层，然后在形成有阳极层的衬底基板上形成辅助阴极层时，该步骤304的第二种实现过程可以包括：在形成有该辅助阴极层的衬底基板上形成发光层。此时，由于已在衬底基板上形成有阳极层，因此，该第二种实现过程也可视为在形成有阳极层的衬底基板上形成发光层。

下面以第一种实现过程为例，对该形成发光层的实现过程进行说明：可以采用蒸镀制程或溶液制程在形成有阳极层的衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的发光材料，得到发光材质层，然后通过一次构图工艺对发光材质层进行处理得到发光层。其中，该发光材料和该发光层的厚度可以根据实际需要确定。例如，发光层的厚度可以小于凹槽的槽深，以保证后续形成的阴极层能够在凹槽内与辅助阴极层接触。可选地，该凹槽的槽深所在的方向和发光层的厚度所在的方向可以均垂直于衬底基板的表面。

溶液制程可以包括：喷墨打印、涂覆、旋涂及丝网印刷等方式。且当采用喷墨打印方式形成发光层之前，可以预先在形成有阳极层的衬底基板上形成像素界定层，以限定喷墨打印时溶解发光材料的溶液精确地流入指定的像素区域中。

并且，该形成的发光层在衬底基板上的正投影可以与辅助阴极层在衬底基板上的正投影不重叠，使得辅助阴极结构远离衬底基板的表面上未形成有发光层。其实现方式可以包括：在形成发光层之前，在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上设置挡板，使得在形成发光层的过程中，该辅助阴极结构远离衬底基板的表面上无法形成有用于形成发光层的材料。或者，可以在形成发光层后，通过构图工艺等方式去除形成在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上的发光层，使得辅助阴极结构远离衬底基板的表面上未形成有发光层。

可选地，在形成发光层之前，也可以在凹槽的顶面设置挡板，使得用于形成发光层的材料无法形成在凹槽中，并在形成阴极前去除该挡板，以便于在后续形成阴极层的过程中，用于形成阴极层的材料能够形成在该凹槽中，使得凹槽中仅形成有阴极层。或者，在形成发光层后，可以通过构图工艺等方式去除形成在该凹槽中的发光层，使得凹槽中仅形成有阴极层。

步骤305、在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层，该阴极层在凹槽内与辅助阴极层接触。

可以采用磁控溅射、热蒸发或者pecvd等方法在形成有发光层的衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的阴极材料，得到阴极材质层，然后通过一次构图工艺对阴极材质层进行处理得到阴极层。其中，阴极材料可以为金属银(ag)、金属镁(mg)、金属铝(al)或其合金材料。且该阴极层在衬底基板上的正投影可以覆盖辅助阴极层在衬底基板上的正投影。以及，该阴极层的厚度可以根据实际需要确定。

当该阴极层在衬底基板上的正投影覆盖辅助阴极层在衬底基板上的正投影，且辅助阴极层远离衬底基板的表面上设置的凹槽的槽深大于发光层的厚度时，在形成该阴极层的过程中，凹槽内会形成有用于形成阴极层的材料，使得阴极层在凹槽内与辅助阴极结构接触。通过使阴极层在凹槽内与辅助阴极结构接触，增加了阴极层与辅助阴极结构的总接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果，有效的保证了显示面板的显示效果。并且，当该辅助阴极结构的凹槽为通槽时，可以较大程度地增加辅助阴极层与阴极层的接触面积。

示例的，请参考图17，其示出了本发明实施例提供的一种在形成有发光层104的衬底基板101上形成阴极层105后的结构示意图，如图17所示，辅助阴极层102远离衬底基板101的表面上形成有凹槽，该凹槽中形成有用于形成发光层104的材料和用于形成阴极层105的材料，此时，阴极层105可以在该凹槽中与辅助阴极层102接触，增大了阴极层105与辅助阴极结构1021的总接触面积。

需要说明的是，该辅助阴极层还可以与源漏极图形同层设置，并通过平坦化层弥补辅助阴极层和源漏极图形之间的膜层段差。此时，由于平坦化层通常具有较大的厚度，可以使该辅助阴极层具有较大的厚度，以进一步增大阴极层与辅助阴极结构的总接触面积。示例地，图18示出了本发明实施例提供的另一种在衬底基板101上形成阴极层105后的结构示意图，如图18所示，该辅助阴极层102与该源漏极图形106同层设置，且该辅助阴极层102具有较大的厚度，此时，阴极层105与辅助阴极结构1021具有较大的接触面积。

并且，当发光层在衬底基板上的正投影与辅助阴极层在衬底基板上的正投影不重叠时，由于辅助阴极结构远离衬底基板的表面上未形成有发光层时，在形成有发光层的衬底基板上形成阴极层时，该辅助阴极结构远离衬底基板的表面可以形成有用于形成该阴极层的材料，使得形成的阴极层能够在凹槽内与辅助阴极层接触，且该阴极层能够在辅助阴极层远离衬底基板的表面与该辅助阴极层接触，以进一步地增大阴极层与辅助阴极层的接触面积。

综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过在辅助阴极结构远离衬底基板的表面上形成的至少一个凹槽，使得阴极层能够在凹槽内与辅助阴极结构接触，相较于相关技术，增大了辅助阴极层与阴极层的接触面积，减小了阴极层与辅助阴极层的接触电阻，进而减小了阴极层与辅助阴极层的并联电阻，达到了减小阴极结构的电阻的效果。并且，通过使阴极层在凹槽内与辅助阴极结构接触，使得无需改变辅助阴极结构的面积即可增大阴极与辅助阴极结构的接触面积，使得该辅助阴极结构的设置不会影响像素单元的开口率，有效的保证了显示面板的显示效果。

需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。

本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置可以包括：本发明实施例所提供的显示面板。

可选地，该显示装置可以为：源矩阵有机电致发光二极管显示面板(英文：activematrixorganiclightemittingdiode；简称：amoled)、液晶面板、电子纸、有机发光二极管面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等装置的部件。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。