显示背板及其制作方法和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及显示背板及其制作方法和显示装置。

背景技术：

目前显示背板中薄膜晶体管的有源层是采用准分子激光技术(ela)对非晶半导体材料进行晶化后形成的。然而，该技术成本高、运行时间短、生产节拍长，且工艺控制较难，形成的晶粒尺寸均匀度差。另外，由于准分子激光光束的长度限制，因此该技术难以应用于高世代线(g≥6.5，g表示代，即显示背板中基板的尺寸)。

因而，现有的显示背板的相关技术仍有待改进。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种操作简单、方便、容易实现、易于工业化生产、效率高、工艺可控、成本较低、可应用于高世代线、或者制作所得的显示背板的性能较好的方法。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种制作显示背板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括在基板的一个表面上形成遮光层；在所述遮光层远离所述基板的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的有源层的步骤包括：形成半导体层；使所述遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化。该方法通过遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化，一方面，由于整个晶化过程是利用热效应进行的晶化过程，在对半导体层进行晶化的过程中，所述半导体层表面的温度梯度远小于相关技术中采用准分子激光技术对半导体层进行晶化时半导体层表面的温度梯度，因此采用该方法对所述半导体层进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高、生产效率高，工艺可控，成本较低，可应用于高世代线；另一方面，该方法直接采用遮光层产生热量并利用所述热量使所述半导体层晶化，充分利用了显示背板的现有结构，不需要额外设置用于产生热量的结构部件，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，同时由于在所述显示背板制作完成以后，所述遮光层的作用仅在于遮光，因此使所述遮光层产生热量后不会对显示背板的电学性能产生不良影响，可以使得制作所得的显示背板的性能较好。

根据本发明的实施例，形成所述遮光层的材料包括导电材料，使所述遮光层产生热量的方法包括使所述遮光层通电。

根据本发明的实施例，所述遮光层包括多个间隔设置的子遮光层，每个所述子遮光层连续设置且在所述基板上的正投影覆盖一个薄膜晶体管组中的所述有源层在所述基板上的正投影，每个所述薄膜晶体管组包括至少一个薄膜晶体管，使所述遮光层通电包括将所述子遮光层上的第一位点和第二位点分别与电源的正极和负极相连接，其中，所述第一位点和所述第二位点位于所述一个薄膜晶体管组中的所述有源层在所述遮光层上的正投影的两侧。

根据本发明的实施例，多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％，其中所述第一单位面积热量为一个所述子遮光层所产生的热量和所述子遮光层的面积的比值。

根据本发明的实施例，在形成所述遮光层的步骤中，根据所述遮光层的方块电阻分布调整每个所述子遮光层的面积，以使得在流经每个所述子遮光层的电流相同时，多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％。

根据本发明的实施例，形成所述遮光层包括在所述基板的一个表面上形成导电层；检测所述导电层上n个位点的方块电阻值r1、r2、……、rn，并根据测得的方块电阻值计算所述导电层的平均方块电阻值raverage；对所述导电层进行图案化，以形成m个所述子遮光层，第i个所述子遮光层的面积是根据公式ai’＝(raverage/ri)×ai确定的，其中，ai’为第i个所述子遮光层的实际面积，ai为第i个所述子遮光层的理论面积，ri为第i个所述子遮光层对应的方块电阻值，其中，n为正整数，i为1、2、3、…、m中的任意一个正整数。

根据本发明的实施例，在形成所述遮光层的步骤中，根据所述遮光层的方块电阻分布调整流经每个所述子遮光层的电流，以使得多个所述子遮光层的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％。

根据本发明的实施例，所述遮光层整层连续设置，使所述遮光层通电包括将所述遮光层上的第三位点和第四位点分别与电源的正极和负极相连接，其中，所述第三位点和所述第四位点位于所述薄膜晶体管阵列中的所述有源层在所述遮光层上的正投影的两侧。

根据本发明的实施例，所述遮光层整层连续设置，使所述遮光层通电包括根据所述遮光层的方块电阻分布将所述遮光层划分为多个预定区域；将多个所述预定区域分别与电压不同的电源相连接，以使得多个所述预定区域的第二单位面积热量之间的偏差不大于3％，其中，所述第二单位面积热量为一个所述预定区域所产生的热量和所述预定区域的面积的比值。

根据本发明的实施例，所述遮光层通过导线与所述电源电连接，所述方法还包括在所述遮光层与所述导线相接触的接触位点处形成过渡层，所述过渡层包覆所述接触位点和部分所述导线。

根据本发明的实施例，该方法还包括在所述基板和所述遮光层之间形成第一缓冲层。

在本发明的又一个方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括由前面所述的方法制作的显示背板。该显示装置可实现较大尺寸的显示，且具有前面所述的显示背板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。

附图说明

图1显示了本发明一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。

图2a、图2b显示了本发明另一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。

图3显示了本发明一个实施例中形成显示背板的薄膜晶体管的有源层的步骤的流程示意图。

图4a、图4b显示了本发明另一个实施例的形成显示背板的薄膜晶体管的有源层的步骤的流程示意图。

图5a、图5b、图5c、图5d显示了本发明一些实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的平面结构示意图。

图6显示了本发明一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。

图7a、图7b显示了本发明另一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。

图8a、图8b显示了本发明又一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。

图9a、图9b显示了本发明再一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。

图10a、图10b显示了本发明再一个实施例的形成遮光层方法的流程示意图。

图11显示了本发明一个实施例的导电层表面电阻分布情况及对应的选取位点的规则的平面示意图。

图12显示了本发明另一个实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的平面结构示意图。

图13显示了本发明一个实施例的使所述遮光层通电的方法的流程示意图。

图14显示了本发明一个实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的平面结构示意图。

图15显示了本发明一个实施例的使所述遮光层通电时所述遮光层的剖面结构示意图。

图16显示了本发明一个实施例的制作显示背板的方法的流程示意图。

图17显示了本发明一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。

图18显示了本发明另一个实施例的显示背板的剖面结构示意图。

附图标记：

100：基板199：导电层199a：第一子区域199b：第二子区域199c：第三子区域200：遮光层201：第一预定区域202：第二预定区203：第三预定区域204：第四预定区域210：子遮光层211：第一位点212：第二位点213：第三位点214：第四位点300：薄膜晶体管310：半导体层320：有源层330：栅极绝缘层340：栅极350：层间绝缘层360：源极370：漏极400：电源500：过渡层600：第一缓冲层700：第二缓冲层

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种制作显示背板的方法。根据本发明的实施例，参照图1和图2a、图2b，该方法包括以下步骤：

s100：在基板100的一个表面上形成遮光层200(结构示意图参照图2a)。

根据本发明的实施例，在所述基板100的一个表面上形成遮光层200的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s200：在所述遮光层200远离所述基板100的一侧形成薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管300(结构示意图参照图2b，需要说明的是，在本文的附图中，仅示出了显示背板中的部分薄膜晶体管300，本领域技术人员应当理解，在本文所述的显示背板中，除附图中所示出的薄膜晶体管300以外，还具有多个附图中未示出的薄膜晶体管；)。

根据本发明的实施例，在所述遮光层200远离所述基板100的一侧形成薄膜晶体管阵列的步骤可以包括：形成薄膜晶体管300的有源层、形成薄膜晶体管300的栅极、形成薄膜晶体管300的源极和漏极、形成栅极绝缘层、形成层间绝缘层等。具体工艺可以包括光刻、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述光刻、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规光刻、真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

在所述遮光层200远离所述基板100的一侧形成薄膜晶体管阵列的步骤(s200)中，参照图3，形成所述薄膜晶体管300的有源层320包括以下步骤：

s210：形成半导体层310(结构示意图参照图4a)。

根据本发明的实施例，所述半导体层310的材料可以包括非晶硅、非晶铟镓锌氧化物(igzo)等非晶半导体材料、以及各种结晶不良型半导体材料等。由此，材料来源广泛、易得，成本较低，且形成的所述薄膜晶体管300的电性能较好，适于利用热量进行晶化。

根据本发明的实施例，形成半导体层310的工艺可以步骤可以包括真空蒸镀、化学气相沉积等。所述真空蒸镀、化学气相沉积等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s220：使所述遮光层200产生热量并利用所述热量使所述半导体层310晶化(结构示意图参照图4b)。

根据本发明的实施例，由于整个晶化过程是利用热效应进行的晶化过程，在对半导体层310进行晶化的过程中，所述半导体层310表面的温度梯度远小于相关技术中采用准分子激光技术对半导体层进行晶化时半导体层表面的温度梯度，因此对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高、生产效率高，工艺可控，成本较低，可应用于高世代线；另外，由于直接采用遮光层200产生热量并利用所述热量使所述半导体层310晶化，充分利用了显示背板的现有结构，不需要额外设置用于产生热量的结构部件，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，同时由于在所述显示背板制作完成以后，所述遮光层200的作用仅在于遮光，因此使所述遮光层200产生热量后不会对显示背板的电学性能产生不良影响，可以使得制作所得的显示背板的性能较好。

根据本发明的实施例，形成所述遮光层200的材料包括导电材料时，使所述遮光层200产生热量的具体方式可以为使所述遮光层通电。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，更进一步地，形成所述遮光层200的材料可以包括金属材料。在本发明一些具体的实施例中，形成所述遮光层200的材料可以为钼、铝、铜、钨等的金属或者合金。由此，使所述遮光层200通电时所述遮光层200产生的热量较为稳定、易于控制，进一步使得在对半导体层310进行晶化的过程中，所述半导体层310表面的温度梯度减小，从而进一步使得对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高、生产效率高；另外，材料来源广泛、易得，且成本较低，遮光效果也较好。

在本发明的一些实施例中，使所述遮光层200通电的方式可以为以脉冲形式进行通电，每次通电的时间可以为1-800微秒，通电的次数可以为1-100次。在本发明一些具体的实施例中，使所述遮光层200单次通电的时间可以为1微秒、10微秒、50微秒、100微秒、200微秒、500微秒等；使所述遮光层200通电的次数可以为1次、10次、20次、50次、100次等。由此，通电时间较短，加热过程较短，不会对所述基板100产生不良影响。使所述遮光层200通电的电压可以为1000-1000000v。在本发明一些具体的实施例中，使所述遮光层200通电的电压可以为1000v、5000v、10000v、50000v、200000v、500000v、1000000v等。通过所述遮光层200的电流可以为10ma-1000a。在本发明一些具体的实施例中，通过所述遮光层200的电流可以为10ma、50ma、100ma、1a、10a、100a、500a、1000a等。由此，工艺操作简单、方便，容易实现，易于实现工业化。

在本发明的一些实施例中，参照图5a、图5b、图5c、图5d，所述遮光层200包括多个间隔设置的子遮光层210，每个所述子遮光层210连续设置且在所述基板100上的正投影覆盖一个薄膜晶体管组中的所述有源层320在所述基板100上的正投影，每个所述薄膜晶体管组包括至少一个薄膜晶体管(需要说明的是，在附图中仅示出了薄膜晶体管的有源层320)。具体的，每个所述薄膜晶体管组可以包括一个薄膜晶体管，每个所述子遮光层210连续设置且在所述基板100上的正投影覆盖一个薄膜晶体管中的所述有源层320在所述基板100上的正投影(结构示意图参照图5a)；在本发明的另一些实施例中，每个所述薄膜晶体管组可以包括多个薄膜晶体管，每个所述子遮光层210连续设置且在所述基板100上的正投影覆盖多个薄膜晶体管中的所述有源层320在所述基板100上的正投影，所述子遮光层210既可以横向设置(结构示意图参照图5b)，也可以纵向设置(结构示意图参照图5c)，还可以呈无规则设置(结构示意图参照图5d)。需要说明的是，在本发明的附图中所示出的子遮光层210的形状仅作示例性说明，并不对所述子遮光层210的具体形状作任何限制，本发明中的所述子遮光层210的形状可以根据实际需要进行设置，例如可以将子遮光层210的形状设置为圆形、不规则图形、或者中间具有镂空区域等，从而以避免所述子遮光层210对薄膜晶体管的电性能产生不良影响；另外，多个所述子遮光层210之间间隔设置，还可以降低薄膜晶体管中的栅极与源漏极之间产生的寄生电容，以使得所述薄膜晶体管的电性能较好。

在以上实施例中，参照图5a、图5b、图5c、图5d，使所述遮光层200通电包括：将所述子遮光层210上的第一位点211和第二位点212分别与电源的正极和负极相连接(图中未示出)，所述第一位点211和所述第二位点212位于所述一个薄膜晶体管组中的所述有源层320在所述遮光层200上的正投影的两侧，所述有源层320可以不覆盖所述第一位点211和所述第二位点212，也可以覆盖所述第一位点211和/或所述第二位点212。由此，可以进一步使得对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高、生产效率高，且操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，在形成所述遮光层200的步骤中，每个所述子遮光层210的面积可以根据所述遮光层200的方块电阻分布进行调整，以使得在流经每个所述子遮光层210的电流相同时，每个所述子遮光层210的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％(需要说明的是，本文中的偏差的计算方法均为偏差＝(最大值-最小值)/(最大值+最小值))，所述第一单位面积热量为一个所述子遮光层210所产生的热量和所述子遮光层210的面积的比值，从而进一步使得在对半导体层310进行晶化的过程中，所述半导体层310表面的温度均匀，从而对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高。

在本发明的一些实施例中，参照图6和图7a、图7b、图8a、图8b、图9a、图9b、图10a、图10b，根据所述遮光层200的方块电阻分布调整每个所述子遮光层210的面积可以包括以下步骤：

s110：在所述基板100的一个表面上形成导电层199(结构示意图参照图7a、图8a、图9a、图10a)。

根据本发明的实施例，在所述基板100的一个表面上形成导电层199的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

s120：检测所述导电层199上n个位点的方块电阻值r1、r2、……、rn，并根据测得的方块电阻值计算所述导电层199的平均方块电阻值raverage(结构示意图参照图7a、图8a、图9a、图10a，需要说明的是，在图7a、图8a、图9a、图10a中，分别以n等于12、3、4、6进行说明，但这并不代表对本发明中的n值进行限制，在本发明中，n可以为任意正整数)。

根据本发明的实施例，检测所述导电层199上n个位点的方块电阻值r1、r2、……、rn，可以利用方块电阻测试设备进行，与常规的方块电阻测试方式相同，在此不再过多赘述。所述导电层199的平均方块电阻值raverage的计算公式为raverage＝(r1+r2+r3+……+rn)/n。

根据本发明的实施例，选取位点的规则可以根据实际情况进行。在导电层199的制作过程中，制作所述导电层199的设备不同会影响导电层199的厚度均匀性，进而影响其表面上各点的方块电阻值的均匀性。在选取位点时可根据所述导电层199上的厚度分布情况进行选取，只要所选取的位点计算出的所述导电层199的平均方块电阻值raverage能够表示出整张导电层199的平均电阻值即可，对于所选取位点的数量，分布等均没有特别限制。

下面以图11中的导电层199为例对选取位点的规则进行详细说明。具体的，采用某一指定设备和参数条件下，通常获得的导电层的方块电阻分布情况是一致的(影响导电层方块电阻分布的因素主要有：导电层的厚度、形成导电层的材料的结晶程度等)，则可以根据上述导电层的方块电阻分布情况进行测试位点的选择。例如，参照图11，在采用一指定设备和参数的条件下，制作所得的导电层199的方块电阻可大致分为第一子区域199a、第二子区域199b以及第三子区域199c，其中上述三个子区域199a、199b和199c中导电层的方块电阻分布是均匀的，即所述第一子区域199a中各位点的方块电阻值相同，所述第二子区域199b中各位点的方块电阻值相同，所述第三子区域199c中各位点的方块电阻值相同。在本实施例中，定义所述第一子区域199a的面积为s199a、所述第二子区域199b的面积为s199b、所述第三子区域199c的面积为s199c，由图11可知，s199a>s199c>s199b，故而此时应当在第一子区域199a选取较多的位点(r1-r12)，在第三子区域199c内选取的位点数量次之(r14-r18)，第二子区域199b内选取的位点数量最少(r13)。由此，可以实现所选取的位点计算出的所述导电层199的平均方块电阻值raverage能够最大限度地准确表示出整张导电层199的平均方块电阻值。且如前所述，三个子区域中方块电阻分布是均匀的，因此在后续确定每个子遮光层的面积的步骤中，第一子区域199a对应形成的子遮光层的面积可以根据第一子区域199a中任一位点对应的方块电阻值进行计算，第二子区域199b以及第三子区域199c与此相同。

s130：对所述导电层199进行图案化，以形成m个所述子遮光层210，第i个所述子遮光层210的面积是根据公式ai’＝(raverage/ri)×ai确定的，其中，ai’为第i个所述子遮光层210的实际面积，ai为第i个所述子遮光层210的理论面积，ri为第i个所述子遮光层210对应的方块电阻值，其中，n为正整数，m为大于1的正整数，i为2、3、…、m中的任意一个正整数(结构示意图参照图7b、图8b、图9b、图10b，需要说明的是，此处的理论面积是指不考虑所述导电层199表面的方块电阻分布情况时子遮光层210的面积，实际面积是指根据导电层的方块电阻分布对上述理论面积进行调整后子遮光层的面积)。

根据本发明的实施例，对所述导电层进行图案化，形成m个所述子遮光层后，第i个所述子遮光层210的实际面积是根据公式ai’＝(raverage/ri)×ai确定的。下面以图7b所示出的子遮光层210为例进行详细说明。参照图7b，在不考虑导电层199的方块电阻分布的情况下，图7b中所示出的多个子遮光层210的理论面积应是相等的，但在实际制作过程中，由于工艺、参数等各方面原因，所述导电层199表面的各点的方块电阻值略有差异，直接根据每个所述子遮光层210的理论面积形成多个子遮光层210，无法保证多个子遮光层210的第一单位面积热量的均匀性和一致性。基于此，发明人创造性地利用形成每个所述子遮光层210的面积之间的差异来弥补因导电层199方块电阻分布不均匀性而导致的产生热量的不均匀性，进而使得多个子遮光层发热均匀，获得的多晶硅的晶粒尺寸均匀度高。由此，利用所述子遮光层210的实际面积之间的差异对多个所述子遮光层210的方块电阻值的差异进行补偿，进而可以使得每个所述子遮光层210的第一单位面积热量之间的偏差不大于3％，从而进一步使得在对半导体层310进行晶化的过程中，所述半导体层310表面的温度均匀，从而对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高。

需要说明的是，与图7b所示出的多个子遮光层一样，图8b和图9b中所示出的多个子遮光层的理论面积也都是相等的，而图10b中所示出的多个子遮光层的理论面积则不完全相同，由图10b可以看出，多个子遮光层在基板上的正投影覆盖的有源层在基板上的正投影的数量是不一致的，其理论面积必然不同，只有当不同的子遮光层在基板上的正投影覆盖的有源层在基板上的正投影的数量一致时，所述不同的子遮光层的理论面积是一致的，具体的理论面积根据产品设计需要确定。

根据本发明的实施例，在形成所述遮光层的步骤中，还可以根据所述遮光层的方块电阻分布调整流经每个所述子遮光层的电流，以使得每个所述子遮光层210的第一单位热量之间的偏差不大于3％，从而进一步使得在对半导体层310进行晶化的过程中，所述半导体层310表面的温度均匀，从而对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高。

在本发明的另一些实施例中，参照图12，所述遮光层200整层连续设置，使所述遮光层200通电可以包括：将所述遮光层200上的第三位点213和第四位点214分别与电源的正极和负极相连接(图中未示出)，其中，所述第三位点213和所述第四位点214位于所述薄膜晶体管阵列中的所述有源层320在所述遮光层200上的正投影的两侧，所述有源层320可以不覆盖所述第三位点213和所述第四位点214，也可以覆盖所述第三位点213和/或所述第四位点214。由此，可以进一步使得对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高、生产效率高，且操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，更进一步地，参照图13和图14，所述遮光层200整层连续设置，使所述遮光层200通电包括以下步骤：

s310：根据所述遮光层200的方块电阻分布将所述遮光层200划分为多个预定区域(结构示意图参照图14，需要说明的是，本文的附图中以划分为四个预定区域进行说明，分别划分为第一预定区域201、第二预定区域202、第三预定区域203、第四预定区域204，但这并不代表对本发明预定区域划分数量的限制，本领域技术人员可以理解，在本发明中，可根据所述遮光层200的方块电阻分布将所述遮光层200任意划分为多个所述预定区域)。

根据本发明的实施例，根据所述遮光层200的方块电阻分布将所述遮光层200划分为多个预定区域可以具体为：检测所述导电层199上n个位点的方块电阻值r1、r2、……、rn，将方块电阻值之间的偏差在3％范围以内的位点划分在同一个预定区域内。检测所述导电层199上n个位点的方块电阻值r1、r2、……、rn可以利用方块电阻测试设备进行，与常规的方块电阻测试方式相同，在此不再过多赘述。

s320：将多个所述预定区域分别与电压不同的电源相连接，以使得多个所述预定区域的第二单位面积热量之间的偏差不大于3％，其中，所述第二单位面积热量为一个所述预定区域所产生的热量和所述预定区域的面积的比值。

根据本发明的实施例，在将某一预定区域与电源相连接时，使该预定区域内相对的两个连接位置与电源的正负极相连接，由于在该相对的两个连接位置之间流过的电流通常会选择最短的路径流过，故在该相对的两个连接位置之间通过电流的强度通常会远高于不在该两个连接位置之间的部分通过电流的强度，因此在将某一预定区域与电源相连接时，通过合理设置电源的正负极与该预定区域连接的位置，可以只考虑该电源在该预定区域内所产生的电流，该电源在其他预定区域内所产生的电流可忽略不计。也就是说，在本发明中可近似认为通过不同预定区域的电流之间相互独立、互不干扰。在本发明的一些实施例中，可以先后将多个所述预定区域分别与电压不同的电源相连接，从而进一步使得各个预定区域之间通过的电流不会相互产生干扰，以使得多个所述预定区域的第二单位面积热量之间的偏差较小。

根据本发明的实施例，参照图14，以划分为四个预定区域进行说明，分别划分为第一预定区域201、第二预定区域202、第三预定区域203、第四预定区域204，分别将第一预定区域201、第二预定区域202、第三预定区域203、第四预定区域204与电压不同的电源相连接，以使得流经所述第一预定区域201、第二预定区域202、第三预定区域203、第四预定区域204的电流i201、i202、i203、i204不同。定义所述第一预定区域201、所述第二预定区域202、所述第三预定区域203、所述第四预定区域204的面积分别为s201、s202、s203、s204。所述第一预定区域201、所述第二预定区域202、所述第三预定区域203、所述第四预定区域204的第二单位面积热量之间的偏差不大于3％，即(i201²×r201)/s201、(i202²×r202)/s202、(i203²×r203)/s203、(i204²×r204)/s204的数值之间的偏差不大于3％。由此，在对半导体层310进行晶化的过程中，多个所述预定区域的第二单位面积热量之间的偏差不大于3％，所述半导体层310表面的温度均匀，从而对所述半导体层310进行晶化时形成的晶粒尺寸均匀度高。

根据本发明的实施例，所述遮光层200通过导线与所述电源400电连接，参照图15，所述方法还包括：在所述遮光层200与所述导线相接触的接触位点处形成过渡层500，所述过渡层500包覆所述接触位点和部分所述导线(需要说明的是，在图15中，虚线部分为所述过渡层500包覆的部分所述导线，图中虚线与遮光层200的交点为接触位点)。由此，可以防止在使所述遮光层200进行通电时发生异常放电。

根据本发明的实施例，所述过渡层500的材料可以包括非晶硅或者氧化铟锡(ito)等。由此，材料来源广泛、易得，且成本较低，同时防止在使所述遮光层200进行通电时发生异常放电的效果较好。

根据本发明的实施例，参照图16，该制作显示背板的方法还包括：在所述基板100和所述遮光层200之间形成第一缓冲层600。由此，可以使得所述显示背板在制作过程中，基板100不会发生软化，从而使得制作所述显示背板的良品率高、易于实现产业化。

根据本发明的实施例，所述第一缓冲层600的材料可以包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)等。由此，材料来源广泛、易得，且成本较低，同时可以在所述显示背板的制作过程中，有效避免基板100发生软化，从而使得制作所述显示背板的良品率高、易于实现产业化。

根据本发明的实施例，所述第一缓冲层600的制作工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种显示背板。根据本发明的实施例，该显示背板是由前面所述的方法制作的。该显示背板的性能较好，适用于大尺寸的显示面板，且制作该显示背板的方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，效率高、工艺可控、成本较低。

根据本发明的实施例，参照图17，该显示背板包括：基板100；遮光层200，所述遮光层200设置在所述基板100的一个表面上；第二缓冲层700，所述第二缓冲层600设置在所述遮光层200远离所述基板100的表面上，所述第二缓冲层600的材料可以包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)等；以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层320、栅极绝缘层330、栅极340、层间绝缘层350、源极360、漏极370，所述薄膜晶体管中的各层结构，如有源层320、栅极绝缘层330、栅极340、层间绝缘层350、源极360、漏极370之间的位置关系以及各个膜层的形成方法等，均为常规薄膜晶体管中各个层结构的位置关系和形成方法，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，参照图18，在该显示背板中，所述基板100和所述遮光层200之间也可以包括第一缓冲层600。由此，可以使得所述显示背板在制作过程中，基板100不会发生软化，从而使得制作所述显示背板的良品率高、易于实现产业化。

在本发明的又一个方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括由前面所述的方法制作的显示背板。该显示装置可实现较大尺寸的显示，且具有前面所述的显示背板的所有特征和优点，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，该显示装置的形状、构造、制备工艺等均可以为常规显示装置的形状、构造、制备工艺，且本领域技术人员可以理解，除了前面所述的显示背板，该显示装置具有常规显示装置的结构，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类可以包括但不限于手机、平板电脑、可穿戴设备、游戏机等。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。