技术特征：
技术总结
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅MOS栅控晶闸管。本发明对常规碳化硅MCT的阴极区进行改造，通过在P+场截止层下增加一层N‑IEB层，由于N型注入增强缓冲层掺杂浓度较低，提高了该区域内少数载流子寿命及迁移率，从而增大了阴极结构中的少数载流子扩散长度，进而增大了阴极注入效率。且由于在N型衬底与N型注入增强缓冲层之间由于浓度差会产生内建电场，其方向由N型衬底指向N型注入增强缓冲层，阻止少子空穴由N型注入增强缓冲层层向N型衬底扩散，从而降低少子空穴扩散电流，进而也增大了阴极注入效率。
技术研发人员：陈万军;谯彬;高吴昊;张柯楠;夏云;刘超
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.11.15
技术公布日：2019.02.15