技术特征：
技术总结
本发明公开了一种含多个双异质结子电池的五结太阳能电池及其制备方法，采用金属有机物化学气相沉积技术，以双面抛光的n型GaAs单晶片为衬底，在GaAs衬底的上表面自下而上依次设置有GaAs缓冲层、GaAs子电池、GaInAsP双异质结子电池和AlGaInP子电池；在GaAs衬底的下表面自上而下依次设置有GamIn1‑mP渐变层、第一GaxIn1‑xAs双异质结子电池、GanIn1‑nP渐变层和第二GayIn1‑yAs双异质结子电池，各子电池之间通过隧道结连接。该五结太阳电池带隙组合为2.06eV、1.7eV、1.4eV、1.0eV、0.75eV，各个子电池的电流失配小，减少光电转换过程中的热能损失，且双异质结子电池可有效的增大电池的开路电压，提高光电转换效率。
技术研发人员：黄辉廉;潘旭;黄珊珊;张小宾;张露
受保护的技术使用者：中山德华芯片技术有限公司
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.02.12