一种TNC连接器的制作方法

本实用新型属于一种连接器，具体涉及一种TNC连接器，属于电子元器件的技术领域。

背景技术：

在二十世纪七、八十年代，射频连接器的发展在国际上达到鼎盛时期，相继研制出21mm、14mm、7mm和3.5mm精密同轴连接器和精密转接器，工程用射频连接器的电压驻波比性能也有显著提高，扫频测量取代了点频测量，并且出现了时域测量技术。目前，射频连接器的频率在不断增高。K型连接器工作频率上限达到46GHz，V型连接器工作频率上限达到65GHz，HP公司研制的1.9毫米、l.0毫米连接器己分别把工作频率上限拓宽到65GHz、110GHz。我国军用连接器的研制和生产，虽然经历了几十年的历史，有了较丰富的经验和一定的规模，基本上满足了军工、航天航空事业的发展要求，但和国外相比，差距仍然很大。在国内，随着微波通信技术和测量方法的进步，射频连接器的发展也取得了很大的进步。军用通讯系统工作频率己跨入毫米波段，国内武器系统的研究也早已从8mm波段转向了3mm波段。目前国家正在着手研制频率上限高达 l10GHz的毫米波射频同轴连接器。为适应毫米波技术发展，射频同轴连接器日趋高性能、高频化，均已进入毫米波工作频段。目前军事上使用最多的型号为N、 BNC、TNC、SMA、K型连接器。随着外导体内径的减小，介质支撑的精心选择和设计，精密加工的RF同轴连接器精密型的工作频率上限不断提高。在射频连接器的工作频率不断增高的同时，还希望电压驻波比小到接近l，插入损耗小到无穷小，来满足愈来越高的稳相与调相要求。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中的问题，提供一种TNC连接器来解决上述问题，使得电压驻波比小到接近l。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种TNC连接器，包括内导体、外导体，其特征在于：还包括设置在内导体与外导体之间的PTFE支撑，所述的PTFE支撑的中心位置设置有第一中心通孔，所述的第一中心通孔内贯通设置有内导体，所述的外导体与PTFE支撑的端面连接处设置有长方形凹槽，所述的内导体的端部与外导体之间设置有PEI绝缘支撑，所述的PEI绝缘支撑的支撑面的中心位置设置有第二中心通孔，与所述的PEI绝缘支撑压配合设置有环形垫片，所述的内导体的两端各设置有盲孔I与盲孔II，所述的外导体的尾部设置有焊接套筒，所述的焊接套筒与外导体螺纹连接。

本实用新型相比现有技术具有以下优点：

1、电压驻波比值小到接近l，为1.1；

2、高阻抗补偿，形成好的阻抗匹配。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的PEI绝缘支撑的立体结构图；

其中：10-连接器内导体；11-盲孔I；12-盲孔II；20-外导体；21-台阶补偿槽； 22-焊接套筒；30-PTFE支撑；31-圆环形倒刺；32-内导体凹槽；40-PEI绝缘支撑； 41-穿孔；50-环形垫片。

具体实施方式

为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：

如图1-2所示，一种TNC连接器，包括连接器内导体10、外导体20，其特征在于：还包括设置在连接器内导体10与外导体20之间的PTFE支撑30，所述的PTFE支撑30的中心位置设置有第一中心通孔，所述的第一中心通孔内贯通设置有连接器内导体10，所述的外导体20与PTFE支撑30的端面连接处设置有台阶补偿槽21，此处的台阶补偿槽21形成高阻抗补偿，更好匹配信号。所述的连接器内导体10的端部与外导体20之间设置有PEI绝缘支撑40，所述的 PEI绝缘支撑40的支撑面的中心位置设置有第二中心通孔，与所述的PEI绝缘支撑40压配合设置有环形垫片50，电缆焊接时，电缆内绝缘介质会发胀，很难在焊接断面形成一个高阻抗补偿，加环形垫片50方便形成高阻抗补偿。所述的连接器内导体10的两端各设置有盲孔I11与盲孔II12，用于与电缆内导体焊接。所述的外导体20的尾部设置有焊接套筒22，所述的焊接套筒22与外导体20螺纹连接。

优选的，所述的PEI绝缘支撑40的支撑面上设置有穿孔41，所述的穿孔41沿支撑面均匀布置，高阻抗补偿。

优选的，电缆与焊接套筒22的焊接处通过增加环形垫片50实现准确补偿；由于电缆受热时绝缘支撑膨胀严重，补偿的宽度约0.2到0.4mm很难通过调整焊接套筒22来准确实现。

优选的，电缆内导体与连接器内导体10插拔弹性配合，无需焊接。

优选的，通过增加PEI绝缘支撑40防止连接器内导体10往电缆方向后缩，俗称缩针。

优选的，所述的PEI绝缘支撑40的支撑面上设置有穿孔41，所述的穿孔 41沿支撑面均匀布置，前后面均有环形槽，实现高阻抗匹配。

优选的，所述的外导体20与PTFE支撑30的端面连接处设置有台阶补偿槽21，槽宽0.15到0.2mm。形成高阻抗补偿，更好匹配信号。

优选的，所述的PTFE支撑30的内壁上设置有圆环形倒刺31对PTFE支撑 30进行限位，所述的连接器内导体10对应的设置有内导体凹槽32，圆环形倒刺 31的位置对应的连接器内导体10上面增加一个内导体凹槽32和圆环形倒刺31 对应补偿。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。