本实用新型涉及一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器，属于脉冲激光器技术领域。
背景技术：
今年来，随着新型二维半导体材料的发展，一些过渡金属氧化物、过渡金属硫属化合物、石墨烯等新兴材料成为研究人员的重点关注对象。其中以二硫化钼MoS2为代表的新型二维半导体材料，因存在直接带隙结构而成为当前激光器材料的研究热点。二硫化钼晶体是由Mo和S原子以S-Mo-S结构所构成，其中用共价键联接，呈三棱柱状配位结构，层与层之间由微弱的范德华力联接。MoS2为层状物质，随着二硫化钼层数的减少，带隙会越来越大；单层二硫化钼是从间接带隙变成直接带隙，其直接带隙可达到1.8ev，在晶体管、半导体及传感器方面有很大的应用前景。
但是微米尺寸的MoS2本身对氧化还原反应的催化能力非常低，因此在二硫化钼的基础上，想要通过复合材料达到更好的效果。二硫化钼与氮掺杂的石墨烯复合材料，MoS2沉积在NG表面，复合物具有卓越的ORR催化活性和可饱和吸收特性，扩展了二硫化钼在光学领域的应用范围。
技术实现要素：
目的：为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器。
技术方案：为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器，包括依次连接的半导体激光器、耦合透镜组、Tm:YLF晶体、平面镜、第一平凹镜、第二平凹镜、反射镜、MoS2/NG复合材料可饱和吸收体、输出镜；所述第一平凹镜的凹面与第二平凹镜的凹面相对，反射镜的反射面朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的输入端，MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的输出端朝向输出镜。
进一步地，所述半导体激光器发射的连续光波长为 792nm。
进一步地，所述平面镜朝向Tm:YLF晶体的一面镀有792nm增透膜。
进一步地，所述第一平凹镜的凹面镀有1910nm高反膜。
进一步地，所述第二平凹镜的凹面镀有1910nm高反膜。
进一步地，所述反射镜朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的反射面镀有1910nm高反膜。
进一步地，所述输出镜朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的一面镀有1910nm高透膜。
有益效果：本实用新型提供的基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器，使用MoS2/NG复合材料作为可饱和吸收体，在波长为1910nm泵浦源下可产生中红外脉冲激光；激光器中Tm:YLF晶体，平面镜、第一平凹镜、第二平凹镜、反射镜、MoS2/NG复合材料可饱和吸收体、输出镜组合形成W型腔，拉长腔长，腔内模式增多，使激光谐振腔处于稳区；MoS2/NG复合材料的制作过程条件温和，操作简单，成本低，对能源领域和光学领域的发展具有重大意义。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
如图1所示，一种基于MoS2/NG复合材料的全固态中红外脉冲激光器，包括依次连接的半导体激光器1、耦合透镜组2、Tm:YLF晶体3、平面镜4、第一平凹镜5、第二平凹镜6、反射镜7、MoS2/NG复合材料可饱和吸收体8、输出镜9；所述第一平凹镜5的凹面与第二平凹镜6的凹面相对，反射镜7的反射面朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体8的输入端，MoS2/NG复合材料可饱和吸收体8的输出端朝向输出镜9。
所述半导体激光器1发射的连续光波长为792nm。
所述平面镜4朝向Tm:YLF晶体3的一面镀有792nm增透膜。
所述第一平凹镜5的凹面镀有1910nm高反膜；所述第二平凹镜6的凹面镀有1910nm高反膜。
所述反射镜7朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体8的反射面镀有1910nm高反膜。
所述输出镜9朝向MoS2/NG复合材料可饱和吸收体8的一面镀有1910nm高透膜。
MoS2/NG复合材料可饱和吸收体的工作原理是：可饱和吸收体对腔内激光的吸收会随广场强度变化而变化，当光强较弱时对光吸收强，腔内损耗大，光透过率低；随着光强增大，可饱和吸收体对光的吸收减弱，腔内损耗不断减小，当光强超过阈值时吸收饱和，光透过率可达100%，此时光强获得最大激光脉冲同时受到最小的损耗，输出强脉冲激光。
本实用新型提供的激光器的工作过程如下：通过带尾纤输出的半导体激光器1产生792nm连续光经耦合透镜组2聚焦后射向Tm:YLF晶体3，由平面镜4输出1910nm连续光，经过第一平凹镜5、第二平凹镜6的两次反射射向反射镜7，再经过反射镜7反射进入MoS2/NG复合材料可饱和吸收体8后，再经过输出镜9输出1910nm的中红外脉冲激光。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。