一种毫米波垂直功分网络结构的制作方法

文档序号:16350750发布日期:2018-12-21 20:01阅读:327来源:国知局
一种毫米波垂直功分网络结构的制作方法

本实用新型属于功率分配器领域,尤其涉及一种毫米波垂直功分网络结构。



背景技术:

目前在瓦片式TR模块中,采用的传统一分四功分分网络,如图3所示,需采用三个微带T形节组合成一分四的功分网络,整个网络处在同一个平面上。此结构有两个缺点:1)占用空间大:因具体实现是由三个一分二的T型节组合构成一分四的功分网络,因此会占用更大的空间,集成度不高;2)不易空间集成:此种结构的一分四功分网络处在同一个平面,如果需要向垂直方向上传输,则需要另外单独在Port1处做垂直过渡电路,占用更大的空间。3)信号传输损耗大,辐射干扰严重:由于传统的功分网络采用的是微带线,而微带线属于半开放的传输形式,信号传输的损耗大,空间辐射大,易造成相邻端口间的信号相互串扰。



技术实现要素:

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种结构简单、易于加工,方便装配且插入损耗低、空间辐射小、易集成的一种毫米波垂直功分网络结构,具体的,包括射频绝缘子(1)、介质基片(2)、结构腔体(3)和金属层(4),所述射频绝缘子(1)焊接在结构腔体(3)内,所述介质基片(2)的底层Bottom面粘接在结构腔体(3)上,所述介质基片(2)的顶层Top面与金属层(4)连接,所述射频绝缘子(1)的针从介质基片(2)的底层Bottom面中心的孔贯穿到介质基片(2)的顶层Top面,并与金属层(4)焊接在一起。

进一步地,所述介质基片(2)的顶层Top面设置有Port1~Port5五个端口,其中Port1为信号输入端口,Port2~Port5为信号输出端口。所述Port1位于顶层Top面中心,且端口方向垂直于顶层Top面。所述Port2~Port5均匀分布于顶层Top面四端,且端口方向平行于顶层Top面。所述Port1分别与Port2~Port5垂直互联。

进一步地,所述介质基片(2)内还设置有若干金属化过孔以构成基片集成波导结构。

进一步地,所述Port2~Port5均具有漏斗状的过渡结构,所述过渡结构用于将介质基片(2)与微带连接起来,从而实现与平面微波电路的互联。

进一步地,所述介质基片(2)的中心还设置有金属层圆环,所述金属层圆环与射频绝缘子(1)的针焊接连接。

进一步地,所述介质基片(2)和结构腔体(3)之间注有导电银胶,所述介质基片(2)和结构腔体(3)通过导电银胶固定装配到一起。

进一步地,所述金属化过孔对称且均匀地分布在介质基片(2)内。

进一步地,所述结构腔体(3)为长方体形状。

本实用新型的有益效果在于:

1)结构简单、易于加工,便于装配,和传统微带线式的功分网络相比,传输损耗小,空间辐射干扰更少,集成度更高的优势 ;

2)通过将垂直过渡部分和输入端口Port1集成到一起,在不增加平面面积的基础上完成了从平面功分网络到空间的转换,有利于相空间第三维方向上集成;

3)采用基片集成波导结构的形式,该结构具有传输损耗小,无空间辐射干扰,功率容量大以及易加工制造等优势;

4)Port2~Port5四个端口输出都做了基片集成波导结构到微带的转换结构,这样就使得该垂直功分网络兼具了微带的平面集成优势,使其与平面有源电路的集成也非常便利。

附图说明

图1是垂直功分网络结构的输入口垂直装配示意图;

图2是介质基片结构图;

图3是传统功分网络结构图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图说明本实用新型的具体实施方式。

本实用新型提出一种毫米波垂直功分网络结构,如图1所示,包括射频绝缘子(1)、介质基片(2)、结构腔体(3)和金属层(4),所述射频绝缘子(1)焊接在结构腔体(3)内,所述介质基片(2)和结构腔体(3)之间注有导电银胶,所述介质基片(2)和结构腔体(3)通过导电银胶固定装配到一起,所述介质基片(2)的顶层Top面与金属层(4)连接,所述射频绝缘子(1)的针从介质基片(2)的底层Bottom面中心的孔贯穿到介质基片(2)的顶层Top面,并与金属层(4)焊接在一起。

所述结构腔体(3)用于支撑整个结构,且所述结构腔体(3)为中空的长方体形状。

所述介质基片(2)的顶层Top面设置有Port1~Port5五个端口,其中Port1为信号输入端口,Port2~Port5为信号输出端口。所述Port1位于顶层Top面中心,且端口方向垂直于顶层Top面。所述Port2~Port5均匀分布于顶层Top面四端,且端口方向平行于顶层Top面。所述Port1分别与Port2~Port5垂直互联,信号经Port1垂直进入后,等分为四份从Port2~Port5四个端口输出,完成一分四等比例功分。

所述介质基片(2)内还设置有若干金属化过孔以构成基片集成波导结构,所述金属化过孔对称且均匀地分布在介质基片(2)内。所述Port2~Port5均具有漏斗状的过渡结构,所述过渡结构用于将介质基片(2)与微带连接起来,从而实现与平面微波电路的互联。所述介质基片(2)的中心还设置有金属层圆环,所述金属层圆环与射频绝缘子(1)的针焊接连接。

实际使用时,Port1~Port5根据实际需要采用不同的连接方式与其他功能部件进行连接。

特别地,本垂直功分网络结构的实施例在21.5~23.5GHz的频率范围内,其插入损耗达到了0.5dB,驻波系数低至1.2的优良水平,完全满足科研生产要求,并且具有结构简单、易于加工、空间辐射干扰少、集成度高、成本低、便于装配等诸多技术优点。

在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、 “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是本实用新型使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接。

以上所揭露的仅为本实用新型较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型的权利范围,因此依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。

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