一种大功率半导体散热器的吸热装置的制作方法

文档序号:17016419发布日期:2019-03-02 02:28阅读:309来源:国知局
一种大功率半导体散热器的吸热装置的制作方法

本实用新型涉及散热设备领域,特别是一种大功率半导体散热器的吸热装置。



背景技术:

半导体散热器,也叫半导体制冷片散热器、半导体制冷片,同时也叫热电制冷片,是一种热泵。利用半导体材料的Peltier效应,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。

现下使用的半导体散热器往往制冷效果一般,其主要原因不仅仅在于功率的大小,同时也在于半导体散热器冷端的吸热效率上;由于半导体散热器冷端的吸热效率一般,吸热面积(与空气的接触面积)较小,导致半导体散热器的制冷效果不尽人意。



技术实现要素:

本实用新型针对上述问题,公开了一种大功率半导体散热器的吸热装置。

具体的技术方案如下:

一种大功率半导体散热器的吸热装置,包括吸热块和外接吸热块,其特征在于,所述吸热块呈矩形,其上端面上设有多个吸热板和4个导热块,多个所述吸热板之间呈等间隔平行设置,4个所述导热块之间呈方形分布,导热块由导热柱和多个下导热环构成,所述导热柱呈圆柱形,下导热环呈圆环形,多个下导热环之间呈同轴设置;

所述外接吸热块的数量与导热块一致,且一一对应,外接吸热块包括下端的导热杆和上端的多个吸热环,所述导热杆的下端设有多个上导热环,所述上导热环呈圆环形,多个上导热环之间呈同轴设置,且与导热柱、下导热环互相嵌合,实现外接吸热块与导热块的插接相连;

所述吸热环呈圆环形,且多个吸热环之间呈同轴设置;

进一步的,所述下导热环与导热柱之间呈同轴设置;

进一步的,所述吸热块的周边设有用于连接半导体散热器的连接板;

进一步的,所述上导热环、导热柱、下导热环之间注入有导热硅脂。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型提出的一种大功率半导体散热器的吸热装置,通过连接板安装于半导体散热器的冷端,包括吸热块和外接吸热块,吸热块上设吸热板和导热块,外接吸热块通过导热块与吸热板连接,本实用新型结构简单,吸热块上设吸热板,进行吸热,进而向半导体散热器的冷端传递热能,通过半导体散热器的热泵效应,将热能排出;而且,通过导热块连接外接吸热块,进一步加快热能传导,进而大幅度提高半导体散热器冷端的吸热效率,提高半导体散热器的制冷效果;同时,上导热环、导热柱、下导热环之间注入有导热硅脂,可有效提高吸热块和外接吸热块之间的热能传递,间接提高冷端的吸热效率。

附图说明

图1为本实用新型示意图。

图2为吸热块俯视图。

图3为外接吸热块与导热块连接连接图。

图4为本实用新型安装示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的技术方案更加清晰明确,下面结合附图对本实用新型进行进一步描述,任何对本实用新型技术方案的技术特征进行等价替换和常规推理得出的方案均落入本实用新型保护范围。

如图所示的一种大功率半导体散热器的吸热装置,包括吸热块1和外接吸热块21,其特征在于,所述吸热块1呈矩形,其上端面上设有多个吸热板2和4个导热块3,多个所述吸热板2之间呈等间隔平行设置,4个所述导热块3之间呈方形分布,导热块3由导热柱4和多个下导热环5构成,所述导热柱4呈圆柱形,下导热环5呈圆环形,多个下导热环5之间呈同轴设置;

所述外接吸热块21的数量与导热块3一致,且一一对应,外接吸热块21包括下端的导热杆6和上端的多个吸热环7,所述导热杆6的下端设有多个上导热环8,所述上导热环8呈圆环形,多个上导热环8之间呈同轴设置,且与导热柱4、下导热环5互相嵌合,实现外接吸热块21与导热块3的插接相连;

所述吸热环7呈圆环形,且多个吸热环7之间呈同轴设置;

进一步的,所述下导热环5与导热柱4之间呈同轴设置;

进一步的,所述吸热块1的周边设有用于连接半导体散热器的连接板9;

进一步的,所述上导热环8、导热柱4、下导热环5之间注入有导热硅脂。

本实施例的一种大功率半导体散热器的吸热装置,通过连接板安装于半导体散热器10的冷端11,吸热块的下端面与冷端11紧贴,并通过涂覆导热硅脂的方式提高热能传导效果;

本实施例中为提高的半导体散热器的冷端的吸热效率进行设置,吸热块上设吸热板,进行吸热,进而向半导体散热器的冷端传递热能,通过半导体散热器的热泵效应,将热能排出;而且,通过导热块连接外接吸热块,进一步加快热能传导,进而大幅度提高半导体散热器冷端的吸热效率,提高半导体散热器的制冷效果;同时,上导热环、导热柱、下导热环之间注入有导热硅脂,可有效提高吸热块和外接吸热块之间的热能传递,间接提高冷端的吸热效率。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

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