显示基板及其制作方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术：

现有的oled显示基板中，由于源漏金属层图形的厚度较大，导致位于源漏金属层图形上的平坦层的表面为不平整的，进而导致形成在平坦层上的阳极的表面也是不平整的，这样在大视角下观看oled显示屏幕时会出现colorshift(色移)的问题。亚像素的像素宽度越小，colorshift的影响越大，影响了oled显示基板的显示效果。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善显示基板的显示效果。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的导电图形；

与所述导电图形同层设置的绝缘图形，所述绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面与所述导电图形远离所述衬底基板的上表面齐平。

进一步地，所述导电图形为源漏金属层图形。

进一步地，所述显示基板还包括：

覆盖所述绝缘图形和所述导电图形的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的上表面为平整的。

进一步地，所述显示基板为oled显示基板，所述显示基板还包括：

位于所述平坦层上的阳极，所述阳极远离所述衬底基板的上表面为平整的。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成导电图形后，形成与所述导电图形同层的绝缘图形，所述绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且所述绝缘图形的远离所述衬底基板的上表面与所述导电图形远离所述衬底基板的上表面齐平。

进一步地，所述形成与所述导电图形同层的绝缘图形包括：

在形成有所述导电图形的衬底基板上形成绝缘层，所述绝缘层的厚度不小于所述导电图形的厚度；

刻蚀掉所述绝缘层超出所述导电图形的上表面所在水平面的部分，形成所述绝缘图形。

进一步地，所述绝缘层的厚度与所述导电图形的厚度相等。

进一步地，所述导电图形为源漏金属层图形，所述显示基板的制作方法还包括：

形成覆盖所述绝缘图形和所述导电图形的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的上表面为平整的。

进一步地，所述显示基板为oled显示基板，所述显示基板的制作方法还包括：

在所述平坦层上形成阳极，所述阳极远离所述衬底基板的上表面为平整的。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，在衬底基板上形成导电图形后，形成与导电图形同层的绝缘图形，绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且绝缘图形的远离衬底基板的上表面与导电图形远离衬底基板的上表面齐平，这样可以为后续形成平坦层提供平整的表面，使得平坦层以及位于平坦层上的阳极的表面也是平整的，从而避免出现colorshift，改善显示基板的显示效果；此外，绝缘图形还可以对导电图形的侧表面进行保护，避免后续工艺对导电图形造成损伤。

附图说明

图1为现有显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例形成绝缘层后的示意图；

图3为本发明实施例形成绝缘图形后的示意图；

图4为本发明实施例形成阳极后的示意图。

附图标记

1显示基板

2源漏金属层图形

3平坦层

4阳极

5绝缘层

6绝缘图形

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图1所示，现有的oled显示基板中，由于源漏金属层图形2的厚度较大，导致位于源漏金属层图形2上的平坦层3的表面为不平整的，进而导致形成在平坦层3上的阳极4的表面也是不平整的，这样在大视角下观看oled显示屏幕时会出现colorshift(色移)的问题。亚像素的像素宽度越小，colorshift的影响越大，影响了oled显示基板的显示效果。

本发明的实施例针对上述问题，提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善显示基板的显示效果。

本发明的实施例提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的导电图形；

与所述导电图形同层设置的绝缘图形，所述绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面与所述导电图形远离所述衬底基板的上表面齐平。

本实施例中，在衬底基板上形成导电图形后，形成与导电图形同层的绝缘图形，绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且绝缘图形的远离衬底基板的上表面与导电图形远离衬底基板的上表面齐平，这样可以为后续形成平坦层提供平整的表面，使得平坦层以及位于平坦层上的阳极的表面也是平整的，从而避免出现colorshift，改善显示基板的显示效果；此外，绝缘图形还可以对导电图形的侧表面进行保护，避免后续工艺对导电图形造成损伤。

一具体实施例中，所述导电图形可以为源漏金属层图形，这样在后续形成覆盖源漏金属层图形的平坦层时，可以使得形成的平坦层的表面也是平整的。当然，导电图形并不局限为源漏金属层图形，还可以为栅金属层图形，这样在后续形成覆盖栅金属层图形的栅绝缘层时，可以使得形成的栅绝缘层的表面也是平整的。

进一步地，所述显示基板还包括：

覆盖所述绝缘图形和所述导电图形的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的上表面为平整的，这样在后续形成平坦层上的阳极或其他功能图形时，可以保证阳极或其他功能图形远离所述衬底基板的上表面也是平整的。

一具体实施例中，所述显示基板为oled显示基板，所述显示基板还包括：

位于所述平坦层上的阳极，所述阳极远离所述衬底基板的上表面为平整的，这样可以避免出现colorshift，改善oled显示基板的显示效果。

另外，本实施例的显示基板并不局限为oled显示基板，还可以为其他类型的显示基板，比如液晶显示面板的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成导电图形后，形成与所述导电图形同层的绝缘图形，所述绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且所述绝缘图形的远离所述衬底基板的上表面与所述导电图形远离所述衬底基板的上表面齐平。

本实施例中，在衬底基板上形成导电图形后，形成与导电图形同层的绝缘图形，绝缘图形填充相邻导电图形之间的间隙，且绝缘图形的远离衬底基板的上表面与导电图形远离衬底基板的上表面齐平，这样可以为后续形成平坦层提供平整的表面，使得平坦层以及位于平坦层上的阳极的表面也是平整的，从而避免出现colorshift，改善显示基板的显示效果；此外，绝缘图形还可以对导电图形的侧表面进行保护，避免后续工艺对导电图形造成损伤。

一具体实施例中，所述形成与所述导电图形同层的绝缘图形包括：

在形成有所述导电图形的衬底基板上形成绝缘层，所述绝缘层的厚度不小于所述导电图形的厚度；

刻蚀掉所述绝缘层超出所述导电图形的上表面所在水平面的部分，形成所述绝缘图形。

由于绝缘层超出所述导电图形的上表面所在水平面的部分都需要被去除，优选地，所述绝缘层的厚度与所述导电图形的厚度相等，这样可以节省绝缘层的材料，同时无需去除相邻导电图形之间间隔对应的绝缘层部分。

进一步地，所述导电图形为源漏金属层图形，所述显示基板的制作方法还包括：

形成覆盖所述绝缘图形和所述导电图形的平坦层，所述平坦层远离所述衬底基板的上表面为平整的，这样在后续形成平坦层上的阳极或其他功能图形时，可以保证阳极或其他功能图形远离所述衬底基板的上表面也是平整的。

当然，导电图形并不局限为源漏金属层图形，还可以为栅金属层图形，这样在后续形成覆盖栅金属层图形的栅绝缘层时，可以使得形成的栅绝缘层的表面也是平整的。

进一步地，所述显示基板为oled显示基板，所述显示基板的制作方法还包括：

在所述平坦层上形成阳极，所述阳极远离所述衬底基板的上表面为平整的，这样可以避免出现colorshift，改善oled显示基板的显示效果。

另外，本实施例的显示基板并不局限为oled显示基板，还可以为其他类型的显示基板，比如液晶显示面板的显示基板。

下面以显示基板为oled显示基板为例，结合附图以及具体的实施例对本发明的显示基板的制作方法进行进一步介绍，本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤：

步骤1、提供一衬底基板1；

衬底基板1可以为柔性基底或硬质基板，柔性基底可以采用聚酰亚胺，硬质基板可以为石英基板或玻璃基板。

其中，在本实施例的导电图形为源漏金属层图形时，衬底基板1上已经形成有栅金属层图形、栅绝缘层、有源层等功能膜层。

步骤2、在衬底基板1上形成源漏金属层图形2；

具体地，可以在衬底基板1上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为的源漏金属层，源漏金属层可以是cu，al，ag，mo，cr，nd，ni，mn，ti，ta，w等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如cu\mo，ti\cu\ti，mo\al\mo等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源漏金属层图形2所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层，剥离剩余的光刻胶，形成源漏金属层图形2，源漏金属层图形2可以包括薄膜晶体管的源极、漏极和数据线。

步骤3、如图2所示，在形成有源漏金属层图形2的衬底基板1上形成绝缘层5；

具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法在完成步骤2的衬底基板1上沉积厚度为的绝缘层5，绝缘层5可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对应的反应气体是sih4、nh3、n2或sih2cl2、nh3、n2。

步骤4、如图3所示，采用刻蚀工艺去除绝缘层5超出源漏金属层图形2的上表面的部分，形成绝缘图形51；

绝缘图形51填充相邻源漏金属层图形2之间的间隙，能够为后续形成平坦层提供平整的表面，绝缘图形51还能够对源漏金属层图形2的侧表面进行保护，防止后续工艺对源漏金属层图形2的侧表面造成损伤。

步骤5、如图4所示，形成平坦层3；

具体地，可以在源漏金属层图形2和绝缘图形51的上表面涂覆一层厚度约为的有机树脂作为平坦层3，有机树脂可以是苯并环丁烯(bcb)，也可以是其他的有机感光材料，平坦层3的表面为平整的。

步骤6、如图4所示，形成阳极4。

具体地，可以在完成步骤5的衬底基板1上通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为的透明导电层，透明导电层可以是ito、izo或者其他的透明金属氧化物，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于阳极4的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成阳极4，由于平坦层3的表面为平整的，因此，阳极4的表面也是平整的。

之后形成有机发光层、阴极以及封装薄膜层即可得到oled显示基板。本实施例制作的oled显示基板中，阳极4的表面是平整的，能够避免出现colorshift，改善oled显示基板的显示效果。

在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。