本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种半导体侧面粗糙度改善方法。
背景技术：
半导体的正面和反面都是加工过程中主要控制部分，而半导体侧面的粗糙程度往往对半导体的工作性能产生巨大影响。一方面，粗糙的侧面主要是半导体在切割时形成，走刀位的光滑程度，取决于刀锋的锋利程度和切削速度，如果产生崩裂，就会造成工作时的掉落残渣的可能。而且，表面情况对nife的磁性能有很大的影响，如果侧面特别粗糙，那么磁灵敏度和稳定性都会受到影响。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体侧面粗糙度改善方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体侧面粗糙度改善方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供具有凹槽的半导体；
(2)用等离子体增强化学气相沉积的方法在半导体表面沉积氮化硅层，使得氮化硅层覆盖凹槽底部和凹槽侧壁，其中，反应气体为硅烷和氨气。
本发明的方法通过利用反应气体为硅烷和氨气的等离子体增强化学气相沉积的方法在半导体的表面沉积氮化硅层，改善了半导体表面的粗糙度，而且保护膜为氮化硅膜，由于成膜致密，也不会带来杂质颗粒，保证了半导体元件的质量。
优选地，所述等离子体增强化学气相沉积的方法的参数包括：功率为1000-2000w，温度为500-600℃，氨气的流量为1500sccm-2000sccm，硅烷的流量为100sccm-150sccm。
优选地，所述等离子体增强化学气相沉积的方法的沉积时的压力为1.5torr。
优选地，所述气相沉积的功率为1000w、1500w或者2000w。
优选地，所述等离子体增强化学气相沉积的方法的氨气的流量为1500sccm，硅烷的流量为100sccm。
优选地，所述半导体凹槽侧壁上的氮化硅层厚度为1000a至1500a。
发明人通过大量的实验研究发现，当气相沉积的采用上述参数时，半导体表面的粗糙度改善效果更好。
本发明的有益效果在于：本发明提供了一种半导体侧面粗糙度改善方法，本发明的方法通过利用反应气体为硅烷和氨气的等离子体增强化学气相沉积的方法在半导体的表面沉积氮化硅层，改善了半导体表面的粗糙度，并且通过对方法参数的选择，使得半导体表面的粗糙度获得了更好的改善效果，而且保护膜为氮化硅膜，由于成膜致密，也不会带来杂质颗粒，保证了半导体元件的质量。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本发明半导体侧面粗糙度改善方法的一种实施例，本实施例所述方法包括以下步骤：
(1)提供具有凹槽且凹槽的深度和宽度均为5μm的半导体；
(2)用等离子体增强化学气相沉积的方法在半导体表面沉积氮化硅层，使得氮化硅层覆盖凹槽底部和凹槽侧壁，其中，反应气体为硅烷和氨气；所述等离子体增强化学气相沉积的方法的参数包括：功率为1000w，温度为500-600℃，氨气的流量为1500sccm，硅烷的流量为100sccm。
实施例2
本发明半导体侧面粗糙度改善方法的一种实施例，本实施例与实施例1的唯一区别为：所述等离子体增强化学气相沉积的方法的功率为1500w。
实施例3
本发明半导体侧面粗糙度改善方法的一种实施例，本实施例与实施例1的唯一区别为：所述等离子体增强化学气相沉积的方法的功率为2000w。
实施例4
本发明半导体侧面粗糙度改善方法的一种实施例，本实施例与实施例1的唯一区别为：所述等离子体增强化学气相沉积的方法的氨气的流量为2000sccm，硅烷的流量为150sccm。
实施例5
本发明半导体侧面粗糙度改善方法的一种实施例，本实施例与实施例2的唯一区别为：所述等离子体增强化学气相沉积的方法的氨气的流量为2000sccm，硅烷的流量为150sccm。
实施例6
本发明半导体侧面粗糙度改善方法的一种实施例，本实施例与实施例6的唯一区别为：所述等离子体增强化学气相沉积的方法的氨气的流量为2000sccm，硅烷的流量为150sccm。
对实施例1-实施例6的半导体侧面粗糙度改善方法应用得到的半导体的表面粗糙度进行检测，结果如表1所示。
通过对比实施例1-3，实施例3-6，发现当气相沉积的功率为1000w时，半导体侧面粗糙度改善效果更好；通过比较实施例1与实施例4、实施例2与实施例5、实施例3与实施例6，发现等离子体增强化学气相沉积的方法的氨气的流量为1500sccm，硅烷的流量为100sccm时，半导体侧面粗糙度改善效果更好。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
1.一种半导体侧面粗糙度改善方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)提供具有凹槽的半导体；
(2)用等离子体增强化学气相沉积的方法在半导体表面沉积氮化硅层，使得氮化硅层覆盖凹槽底部和凹槽侧壁，其中，反应气体为硅烷和氨气。
2.根据权利要求1所述的半导体侧面粗糙度改善方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的方法的参数包括：功率为1000-2000w，温度为500-600℃，氨气的流量为1500sccm-2000sccm，硅烷的流量为100sccm-150sccm。
3.根据权利要求2所述的半导体侧面粗糙度改善方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的方法的沉积时的压力为1.5torr。
4.根据权利要求2所述的半导体侧面粗糙度改善方法，其特征在于，所述气相沉积的功率为1000w、1500w或者2000w。
5.根据权利要求2所述的半导体侧面粗糙度改善方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的方法的氨气的流量为1500sccm，硅烷的流量为100sccm。
6.根据权利要求2所述的半导体侧面粗糙度改善方法，其特征在于，所述半导体凹槽侧壁上的氮化硅层厚度为1000a至1500a。