本发明涉及半导体器件生产
技术领域：
，具体涉及一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法。
背景技术：
：随着科技的日新月异，对半导体的加工能力要求越来越高。在加工过程中，存在着半导体的形变，这主要是在加工过程中受应力影响造成的。当前，减少内应力的办法主要是研磨和热处理。然而内应力消除的效果不是非常理想，效果较差。技术实现要素：本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法。为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，烘烤至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50～65μm；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.5～0.8mm，切割刀转速为4500～5500rpm，切割速度为90～110mm/s；(3)切割完成后依次用酸溶液、加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入臭氧水、氯水、有机溶剂中处理。本发明的方法通过负性光刻胶将长形条半导体固定于夹具上进行机械切割，通过特定的光刻胶厚度和切割参数使得本发明的方法很好的消除了制备的长形条半导体的内应力；通过酸溶液、加热的碱溶液、臭氧水、氯水、有机溶剂的清洗处理，去除了黏附在半导体上的光刻胶。优选地，步骤(1)中烘烤的温度为120～150℃。优选地，步骤(1)中烘烤的时间为20min。优选地，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s。优选地，所述切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，刀片集中度为100～110。优选地，步骤(2)中机械切割时的刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃。优选地，步骤(1)中涂布的光刻胶厚度为55～65μm。优选地，步骤(2)中机械切割时的切割刀转速为5000～5500rpm，切割速度为100～110mm/s。更优选地，步骤(2)中机械切割时的切割刀转速为5500rpm，切割速度为110mm/s。优选地，半导体上切割槽深度为0.6～0.8mm。更优选地，半导体上切割槽深度为0.7～0.8mm。本发明的有益效果在于：本发明提供了一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，本发明的方法制备工艺简单，对长形条半导体的内应力的消除具有很好的效果。具体实施方式为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。实施例1一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为50μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例2一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例3一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为60μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例4一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为65μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例5一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.5mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例6一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.6mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例7一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.8mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例8一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为4500rpm，切割速度为90mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例9一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为4500rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例10一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为4500rpm，切割速度为110mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例11一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为90mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例12一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为110mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例13一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5500rpm，切割速度为90mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例14一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5500rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实施例15一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5500rpm，切割速度为110mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。对比例1一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为70μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.7mm，切割刀转速为5500rpm，切割速度为110mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。对比例2一种长形条半导体背面开槽以消除应力的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在夹具上涂布一层负性光刻胶，将长形条半导体黏贴在光刻胶表面，在120～150℃烘烤20min至光刻胶干燥使长形条半导体固定于夹具上，其中，涂布的光刻胶厚度为55μm，所述光刻胶的粘度为：25℃下425～475mpa·s；(2)用切割刀片对固定于夹具上的长形条半导体进行机械切割，其中，半导体上切割槽深度为0.4mm，切割刀转速为5000rpm，切割速度为100mm/s，切割刀片为金刚石砂轮刀片，刀片的颗粒大小3.0～4.5μm，机械切割时的刀片集中度为100～110，刀刃露出量为1.0～1.5mm，切割水温25～30℃；(3)切割完成后用酸溶液洗涤长条形半导体，然后用加热的碱溶液洗涤长形条半导体使其从夹具上脱落，然后将长条形半导体依次放入水中通入臭氧处理，然后用氯水浸泡，最后用有机溶剂浸泡。实验例1对实施例1-15的方法的应用效果进行比较。1、对实施例1-4、对比例1的方法应用统计后其切割过程中的脱落比例和检测长条形半导体的应力大小，并进行比较的结果如表1所示。表1光刻胶厚度50μm55μm60μm65μm70μm脱落比率5％0.30％0.25％0.10％0.08％应力效果应力最小应力较小应力较小应力较大应力太大由表1的结果，说明当光刻胶厚度超过65μm时，长条形半导体的应力过大，发明方法消除长条形半导体的应力的效果差；说明当光刻胶厚度低于50μm时，长条形半导体黏固效果差，脱落比率高，损失大；因此，光刻胶厚度为55μm-65μm时效果较好。2、对实施例2、实施例5-7、对比例2的方法应用得到的长条形半导体的应力大小进行检测，并进行比较应力去除的效果如表2所示。表2由表3的结果，说明切割槽深度为0.6-0.8mm时，效果较好，通过实验还发现，切割槽深度超过0.8mm时，超出了半导体的承受力。3、对实施例8-15的方法应用得到的长条形半导体的应力大小进行检测，并进行比较应力去除的效果如表3所示。表3应力去除效果4500rpm5000rpm5500rpm90mm/s最差较差较好100mm/s较差一般好110mm/s一般较好最好由表3的结果，说明机械切割时的切割刀转速为5000～5500rpm，切割速度为100～110mm/s，本发明方法的应力去除效果较好。最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。当前第1页12