技术特征：
技术总结
本发明提供了一种倒T型隧穿场效应晶体管，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层，SOI晶圆的衬底绝缘层上方为重掺杂源区、两个单晶硅薄膜和两个重掺杂漏区，两个单晶硅薄膜L型两侧分别有一个栅极绝缘层，栅极绝缘层的两侧分别有绝缘介质阻挡层，栅极绝缘层两侧且绝缘介质阻挡层的上方为栅极，两个栅极分别位于两侧绝缘介质阻挡层之上且分别与两侧栅极绝缘层接触；栅电极位于栅极上方；源电极位于重掺杂源区上方；漏电极位于重掺杂漏区上方。本发明具有良好的栅极控制能力，具有优秀的亚阈值特性和正向导通能力，使得器件保证在正向特性的同时，具有良好的低反向泄露电流和静态功耗。
技术研发人员：韩茹;张海潮;王党辉;安建峰;黄小平;张萌;陈超
受保护的技术使用者：西北工业大学
技术研发日：2019.03.01
技术公布日：2019.06.18