芯片贴装膜的制作方法

本发明涉及芯片贴装膜(daf)。

背景技术：

在将半导体晶片或光器件晶片等被加工物分割成各个器件芯片之后，使用用于将器件芯片固定于基板等的daf(dieattachedfilm：芯片贴装膜)(例如，参照专利文献1)。作为被加工物的加工方法之一已知的sdbg(stealthdicingbeforegrinding：磨削前隐形切割)工序在将daf和扩展带粘贴在已沿着分割预定线在内部形成有改质层的被加工物的背面上之后，对扩展带进行扩展而将被加工物分割成各个器件芯片，并且按照每个器件芯片对daf进行分割。

另外，作为将作为专利文献1等所记载的被加工物的加工方法的dbg(dicingbeforegrinding：磨削前切割)和通过激光光线等将daf切断的工序组合而得的工序，在将daf粘贴在已分割成各个器件芯片的被加工物的背面上之后，利用烧蚀加工等按照每个器件芯片对从分割槽露出的daf进行分割。

专利文献1：日本特开2015-207724号公报

在sdbg工序中，根据加工条件，有可能无法按照每个器件芯片将daf完全分割。另外，在将dbg和daf的切断组合而得的工序中，在对被加工物的背面进行磨削时，器件芯片略微移动而在该器件芯片的排列上产生偏差。因此，由于与器件芯片的偏差相对应的对准以及用于对daf进行分割的烧蚀加工等，使对被加工物进行加工时的所需时间变。

技术实现要素：

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供芯片贴装膜(daf)，能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间，并且能够按照每个器件芯片容易地进行分割。

为了解决上述课题实现目的，本发明的芯片贴装膜的特征在于，该芯片贴装膜在内部形成有作为断裂起点的改质层。

根据该结构，在粘贴于被加工物之前的状态下，在daf的内部形成有作为断裂起点的改质层，因此能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间长时间化，并且能够按照每个芯片容易地对daf进行分割。

在该结构中，也可以是，该改质层形成为点状。另外，也可以构成为该daf的形状与作为粘贴对象的被加工物相同，中央部的该改质层比外周部的该改质层多。这里，改质层多是指与daf的中央部相对应的区域中的改质层的比例大于与daf的外周部相对应的区域中的改质层的比例。

另外，也可以是，该daf具有：第1改质层，其作为该改质层而形成于在该芯片贴装膜的正面露出的位置；以及第2改质层，其作为该改质层而形成于在该芯片贴装膜的背面露出的位置，该第1改质层和该第2改质层交替形成。

另外，也可以是，该daf层叠在扩展带上而与该扩展带一体地成型。另外，也可以是，该daf卷绕成卷状。

根据本发明，在粘贴于被加工物之前的状态下，在daf的内部形成有作为断裂起点的改质层，因此能够抑制对被加工物进行加工时的所需时间变长，并且能够按照每个芯片容易地对daf进行分割。

附图说明

图1是示出具有实施方式1的daf的粘接片的一例的立体图。

图2是图1的i-i剖视图。

图3是示出形成于daf的改质层的一例的俯视图。

图4是示出要粘贴daf的被加工物的一例的立体图。

图5是示出粘贴有daf和扩展带的被加工物的一例的立体图。

图6是示出形成于实施方式2的daf的改质层的图案的局部放大图。

图7是示出形成于实施方式2的daf的改质层的图案的局部放大剖视图。

图8是示出形成于实施方式3的daf的改质层的图案的局部放大图。

图9是示出形成于实施方式3的daf的改质层的图案的局部放大剖视图。

图10是示出形成于实施方式4的daf的改质层的图案的图。

图11是示出形成于实施方式4的daf的改质层的图案的局部剖视图。

图12是示出形成于实施方式5的daf的改质层的图案的局部放大图。

图13是示出形成于实施方式5的daf的改质层的图案的局部放大剖视图。

图14是示出激光加工装置的概略结构的立体图。

图15是从与图14所示的y轴方向平行的方向观察激光加工装置的一部分时的示出概略结构的图。

图16是示出激光光线照射单元的结构的一例的图。

标号说明

1：激光加工装置；20：改质层；20a：第1改质层；20b：第2改质层；102：分割预定线；103：器件；111：粘接片；113：剥离片；115、115a、115b、115c、115d：daf；115c1：中央部；115c2：外周部；115d1：正面；115d2：背面；117：扩展带；117a：树脂层；117b：粘接层；121：晶片(被加工物)；121a：正面；121b：背面；133：框架；200：板状物。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。

[实施方式1]

对实施方式1的daf(dieattachedfilm：芯片贴装膜)进行说明。图1是示出具有实施方式1的daf的粘接片的一例的立体图。图2是图1的i-i剖视图。图3是示出形成于daf的改质层的一例的俯视图。图4是示出要粘贴daf的被加工物的一例的立体图。图5是示出粘贴有daf和扩展带的被加工物的一例的立体图。

在本实施方式中，作为要粘贴daf的被加工物的晶片121是以硅为母材的圆板状的半导体晶片或以蓝宝石、sic(碳化硅)等为母材的光器件晶片。如图4所示，晶片121具有正面121a和背面121b，在由形成于正面121a的多条分割预定线102划分的多个区域内分别形成有器件103。这些分割预定线102相互垂直而配置成格子状，晶片121通过已有的加工方法(例如，sdbg方法或dbg方法)沿着分割预定线102分割成各器件芯片。

如图1所示，粘接片111具有：剥离片113、daf115以及扩展带117。粘接片111是将daf115和扩展带117一体地成型而得的复合型的片。粘接片111(扩展带117)形成为长条状并卷绕成卷状。粘接片111例如使被加热的树脂一边沿着第1方向10移动一边在第1方向10和相对于该第1方向10垂直的第2方向11上延伸而卷绕至第1辊106。在本实施方式中，第1方向10是所谓的流动方向(md：machinedirection，纵向)，第2方向11是所谓的垂直方向(td：transversedirection，横向)。

如图2所示，扩展带117具有由合成树脂构成的树脂层117a和粘接层117b。粘接层117b层叠在树脂层117a上。树脂层117a中可以使用厚度为100μm左右的聚烯烃等，粘接层117b中可以使用厚度为10μm左右的丙烯酸系树脂系的糊料等。在本实施方式中，粘接层117b例如使用通过照射规定的波长(300nm～400nm)的紫外线而使粘接力降低的粘接材料。

daf115是芯片接合用的膜状的粘接性部件，其预先层叠在扩展带117的粘接层117b上。如图1所示，多个daf115在上述的第1方向10上隔开规定的间隔设置于扩展带117上。daf115例如可以使用丙烯酸系粘接剂或聚酰亚胺系粘接剂等配置于扩展带117的粘接层117b上。在本实施方式中，daf115具有与要粘贴的晶片121为相同形状的圆盘状的外形，其粘贴于图5所示的晶片121的背面121b上。daf115具有比晶片121所具有的直径大的直径，以便能够在覆盖晶片121的整个背面的状态下粘贴于晶片121。另外，将层叠有daf115的扩展带117切断成规定的长度和规定的形状(圆盘状)而将扩展带117的外周部粘贴于载置在晶片121的周围的环状框架133上。

通过在晶片121和框架133上粘贴daf115和扩展带117，从而生成图5所示的板状物(框架单元)200。扩展带117隔着daf115间接地粘贴于晶片121，并且直接粘贴于框架133。通过粘贴daf115和扩展带117，晶片121成为被支承于框架133的内侧的状态。即，晶片121和框架133成为借助daf115和扩展带117(粘接片111)而一体化的部件。

在实施dgb加工(即在晶片121的正面121a上形成沿着分割预定线102被切削的槽(未图示))的情况下，生成在已被分割成多个器件芯片的状态的晶片121的背面121b上粘贴有粘接片111的板状物200。另外，在实施sdbg加工(即在晶片121的内部形成沿着分割预定线102的改质层)的情况下，生成在分割成多个器件芯片之前的状态的晶片121的背面121b上粘贴有粘接片111的板状物200。在板状物200中，daf115按照覆盖晶片121的整个背面121b的方式进行粘贴。另外，在晶片121的正面121a上，在粘贴粘接片111之前粘贴正面保护部件(未图示)。

如图1和图2所示，剥离片113按照覆盖daf115和扩展带117的方式与daf115和扩展带117重叠。剥离片113对粘贴前的daf115和粘接层117b的正面进行保护，在粘贴于晶片121和框架133时被剥离，从而使daf115和粘接层117b的正面露出。

如图2和图3所示，对于粘接片111的daf115而言，在该daf115的内部形成有改质层20。改质层20是指密度、折射率、机械强度或其他物理特性处于与周围的这些性质不同的状态的改质区域，例如是对daf115进行扩展处理的情况下的断裂起点。改质层20例如通过对daf115照射对于该daf115具有透过性的波长的激光光线而形成。在俯视图中，改质层20形成于daf115的整个面，在图3的例子中，呈点状照射激光光线，从而在daf115的内部沿着上述的第1方向10和第2方向11分别间断地形成有点状的改质层20。根据该结构，在粘贴于晶片121之前，预先在daf115的内部形成有改质层20，因此与像以往那样具有通过烧蚀加工等将daf115切断的工序的情况相比，能够抑制将粘贴于晶片121的daf115按照每个器件芯片进行分割的时间，作为结果，能够抑制对粘贴有daf115的晶片121进行加工时的所需时间变长。

另外，例如在预先已知将要粘贴于daf115的晶片121中所形成的相邻的分割预定线102的间隔l1(图5)的情况下，优选使沿着第1方向10和第2方向11延伸的一系列的改质层20的行的间隔la与分割预定线102的间隔l1等同而形成改质层20。根据该结构，粘贴于晶片121的daf115的改质层20形成于与晶片121的分割预定线102相当的位置，因此能够更高效地对粘贴有daf115的晶片121进行分割。

另外，上述的一系列的改质层20的行的间隔la可以形成为相对于晶片121的分割预定线102的宽度l2满足下式(1)。

l2/2≤la＜l2(1)

根据该结构，一系列的改质层20的行的间隔la小于晶片121的分割预定线102的宽度l2，因此通过将daf115的改质层20形成于与分割预定线102相对应的位置，能够容易地将粘贴于晶片121的daf115按照每个器件芯片进行分割。另外，通过使一系列的改质层20的行的间隔la为晶片121的分割预定线102的宽度l2的1/2以上，能够抑制形成于daf115的改质层20，能够抑制形成该改质层20的工序的长时间化。

[实施方式2]

接着，对实施方式2的daf进行说明。图6是示出形成于实施方式2的daf的改质层的图案的局部放大图。图7是示出形成于实施方式2的daf的改质层的图案的局部放大剖视图。在该实施方式2中，形成改质层20的图案与上述的实施方式1不同，其他结构相同，因此对于相同的结构标记相同的标号，并省略了说明。

在实施方式1中，对在daf115的内部沿着第1方向10和第2方向11分别间断地形成有点状的改质层20的结构进行了说明，但如图6和图7所示，该实施方式2的daf115a使形成在该daf115a的内部的点状的改质层20沿着第1方向10和第2方向11分别相连。根据该结构，点状的改质层20沿着第1方向10和第2方向11分别相连，因此能够比实施方式1的daf115更容易地对粘贴有daf115的晶片121进行分割。

[实施方式3]

接着，对实施方式3的daf进行说明。图8是示出形成于实施方式3的daf的改质层的图案的局部放大图。图9是示出形成于实施方式3的daf的改质层的图案的局部放大剖视图。对于该实施方式3，也是形成改质层20的图案与上述的实施方式1不同，其他结构相同，因此对于相同的结构标记相同的标号，并省略了说明。

在实施方式1、2中，对沿着第1方向10和第2方向11延伸的改质层20的行的间隔la均相同地形成的结构进行了说明，但如图8所示，该实施方式3的daf115b使沿着第1方向10和第2方向11延伸的改质层20的行的间隔la不同。另外，使形成在各行上的改质层20的间隔lb相互不同。根据该结构，无需严格地管理对于daf115b照射激光光线时的照射条件以及例如粘接片111相对于激光照射装置的进给速度条件等，能够在daf115b的内部简易地形成改质层20。在该情况下，也优选改质层20的行的间隔la满足上述式(1)。据此，即使改质层20的行的间隔la不同，在与分割预定线102相对应的位置至少形成一个改质层20的行，从而也能够将粘贴于晶片121的daf115b按照每个器件芯片容易地进行分割。另外，在该实施方式3中，在上述行上设置间隔lb而形成改质层20，但当然也可以形成为使这些改质层20相连。

[实施方式4]

接着，对实施方式4的daf进行说明。图10是示出形成于实施方式4的daf的改质层的图案的图。图11是示出形成于实施方式4的daf的改质层的图案的局部剖视图。在该图11中，为了便于说明，仅描绘出沿着第1方向10延伸的改质层20，但当然可以具有沿着第2方向11延伸的改质层20。对于该实施方式4，也是形成改质层20的图案与上述的实施方式1不同，其他结构相同，因此对于相同的结构标记相同的标号，并省略了说明。

如图10和图11所示，该实施方式4的daf115c具有中央部115c1和外周部115c2，与daf115c的中央部115c1相对应的区域中的改质层20的比例大于与daf115c的外周部115c2相对应的区域中的改质层20的比例。即，相比于与外周部115c2相对应的区域，与中央部115c1相对应的区域中的每单位体积的改质层20的体积(量)更大。换言之，在daf115c的中央部115c1较密地形成有改质层20，与中央部115c1相比，在外周部115c2较疏地形成有改质层20。

要想使与daf115的中央部115c1相对应的区域中的改质层20的比例形成得比与外周部115c2相对应的区域中的改质层20的比例大，例如若使粘接片111相对于激光照射装置的进给速度在中央部115c1比外周部115c2慢，则即使不变更激光照射条件也能够实现。另外，也可以通过使激光光线的输出(功率)在中央部115c1比外周部115c2强而实现。存在改质层20的量通常依赖于激光光线的输出的大小的趋势，因此通过照射输出更大的激光光线，能够使与中央部115c1相对应的区域中的改质层20的比例形成得比与外周部115c2相对应的区域中的改质层20的比例大。

同样地，通过在daf115c的厚度方向上变更照射至与daf115c的中央部115c1相对应的区域的激光光线的聚光点，也能够使形成于与中央部115c1相对应的区域的厚度方向的改质层的行数比形成于与外周部115c2相对应的区域的改质层的行数多。若增加改质层的行数，则相应地增加改质层的比例，因此能够使与中央部115c1相对应的区域中的改质层20的比例形成得比与外周部115c2相对应的区域中的改质层20的比例大。另外，也可以使与中央部115c1相对应的区域中的改质层20的行的间隔la比与外周部115c2相对应的区域中的改质层20的行的间隔la窄，从而增加形成于与中央部115c1相对应的区域的改质层20的比例。另外，也可以使与中央部115c1相对应的区域中的激光光线的重复频率比与外周部115c2相对应的区域中的激光光线的重复频率高。

通常在将daf沿径向扩展而对该daf进行分割的情况下，与外周部相比，daf的中央部不容易扩展，因此存在中央部不容易被分割的趋势。根据实施方式4，使与daf115的中央部115c1相对应的区域中的改质层20的比例形成得比与外周部115c2相对应的区域中的改质层20的比例大，因此相比于与外周部115c2相对应的区域，与中央部115c1相对应的区域更容易分割。因此，在将daf115向径向上扩展而对该daf115进行分割时，能够防止daf115的中央部115c1的未分割。

[实施方式5]

接着，对实施方式5的daf进行说明。图12是示出形成于实施方式5的daf的改质层的图案的局部放大图。图13是示出形成于实施方式5的daf的改质层的图案的局部放大剖视图。在该图12中，为了便于说明，仅描绘出沿着第1方向10延伸的改质层20，但当然可以具有沿着第2方向11延伸的改质层20。对于该实施方式5，也是形成改质层20的图案与上述的实施方式1不同，其他结构相同，因此对于相同的结构标记相同的标号，并省略了说明。

如图12和图13所示，该实施方式5的daf115d作为改质层20具有形成于露出于daf115d的正面115d1的位置的第1改质层20a以及形成于露出于daf115d的背面115d2(粘接层117b侧)的位置的第2改质层20b。另外，第1改质层20a和第2改质层20b在这些第1改质层20a和第2改质层所20b延伸的行上交替形成。

第1改质层20a是将激光光线的焦点(聚光点)对齐在daf115d的正面115d1上进行照射而形成的。另外，第2改质层20b是将激光光线的焦点(聚光点)对齐在daf115d的背面115d2上进行照射而形成的。根据该结构，第1改质层20a和第2改质层20b分别形成于daf115d的不同的厚度位置，因此例如与在daf的内部形成有改质层的情况相比，增加了断裂起点，因此能够容易地对daf115d进行分割。另外，当在改质层所延伸的行上从daf的正面和背面这两侧在相同的位置形成有改质层时，该部分的强度降低，在daf粘贴时有可能使daf破损。与此相对，在该结构中，第1改质层20a和第2改质层20b在该第1改质层20a和第2改质层20b所延伸的行上交替形成，因此能够兼具daf115d的强度和分割的容易性。

接着，对用于在上述的实施方式的daf115、115a～115d上形成改质层20的激光加工装置进行说明。图14是示出激光加工装置的概略结构的立体图。图15是从与图14所示的y轴方向平行的方向观察激光加工装置的一部分时的示出概略结构的图。在图14和图15中，适当省略了本实施方式的激光加工装置的结构的一部分而示出。另外，在图14和图15中，激光加工装置的x轴方向与上述的粘接片111的与第1方向10平行的方向一致，激光加工装置的y轴方向与上述的粘接片111的与第2方向11平行的方向一致，激光加工装置的z轴方向与上述的粘接片111的与分别相对于第1方向10和第2方向11垂直的方向平行的方向一致。

激光加工装置1具有：主体部15；从主体部15竖立设置的壁部12；以及从壁部12相连而延伸的臂部13。在臂部13的前端部安装有激光光线照射单元150和拍摄装置154。

激光加工装置1在主体部15的上方配置有第1辊106，在该第1辊106上按照呈卷状卷绕的状态设置有上述的粘接片111。在第1辊106上设置有粘接片111，以便将粘接片111按照与主体部15的上表面平行地面对的状态送出。第1辊106作为将粘接片111送出的送出单元发挥功能。主体部15具有引导机构g1和引导机构g2。引导机构g1和引导机构g2设置于主体部15的上表面上，以便利用引导机构g1和引导机构g2从粘接片111的宽度方向两侧夹入粘接片111。

在第1辊106的下方配置有第2辊112和第3辊114。第2辊112的圆筒状的外周面和第3辊114的圆筒状的外周面隔着贯穿插入在第2辊112与第3辊114之间的粘接片111而间接地接触。第2辊112能够通过未图示的驱动机构绕与粘接片111的进给方向d1垂直的旋转轴旋转。第2辊112在将粘接片111送出时朝向方向r1旋转。第3辊114沿着与x轴方向平行的方向与第2辊112相邻地配置。第3辊114随着第2辊112的旋转运动而进行动作。

在与x轴方向平行的方向上与第2辊112和第3辊114稍微隔开间隔而配置有第4辊116和第5辊118。第4辊116的圆筒状的外周面和第5辊118的圆筒状的外周面隔着贯穿插入至第4辊116与第5辊118之间的粘接片111而间接地接触。第4辊116能够通过未图示的驱动机构绕与粘接片111的进给方向d1垂直的旋转轴旋转。第4辊116在将粘接片111送出时朝向方向r1旋转。第5辊118沿着与x轴方向平行的方向与第4辊116相邻地配置。第5辊118随着第4辊116的旋转运动而进行动作。

在第4辊116和第5辊118的上方配置有第6辊120，该第6辊120作为卷取单元发挥功能，其对通过激光光线照射单元150对第2辊112和第3辊114所送出的粘接片111照射了激光光线后的粘接片111进行卷取。第6辊120与粘接片111的送出的时机同步地执行粘接片111的卷取。在第6辊120上设置粘接片111的一个端部，以便能够对照射激光光线后的粘接片111进行卷取。

激光加工装置1对分别控制第1辊106、第2辊112以及第4辊116的驱动电路(未图示)进行控制，从而调整粘接片111的送出量。激光加工装置1对控制第6辊120的驱动电路(未图示)进行控制，从而使粘接片111的送出的时机与粘接片111的卷取的时机同步，并调整粘接片111的卷取量。另外，激光加工装置1还能够通过切换第2辊112或第4辊116的旋转方向而对粘接片111施加张力。

第2辊112和第4辊116所送出的粘接片111通过引导机构g1和引导机构g2而相对于主体部15的正面15sf(图15)平行地定位。

激光光线照射单元150对粘接片111的daf115照射激光光线。图16是示出激光光线照射单元的结构的一例的图。如图16所示，激光光线照射单元150具有激光光线振荡部51、照射角度调整机构52以及聚光机构53。

激光光线振荡部51根据预先设定的频率，振荡出对于daf115具有透过性的波长的激光光线l。照射角度调整机构52具有反射镜52a和致动器52b。反射镜52a能够使从激光光线振荡部51振荡出的激光光线l的光轴在y轴方向上偏转。致动器52b对反射镜52a的角度进行变更。聚光机构53对通过照射角度调整机构52偏转的激光光线l进行会聚，并且将所会聚的激光光线l照射至daf115。

控制装置100通过对激光加工装置1的各部进行控制而执行daf115的加工处理。即，daf115的加工处理包含粘接片111的送出处理以及对daf115的激光光线l的照射处理。控制装置100为了执行粘接片111的送出处理，能够对第1辊106、第2辊112、第4辊116以及第6辊120的动作进行控制。另外，控制装置100为了执行对daf115的激光光线l的照射处理，能够对激光光线照射单元150进行控制。

控制装置100一边对第1辊106、第2辊112、第4辊116以及第6辊120进行控制，一边使粘接片111的送出开始。粘接片111例如在使daf115与主体部15的正面15sf平行地面对的状态下被送出。当daf115到达激光光线l的照射开始位置时，控制装置100使粘接片111的送出停止。控制装置100根据拍摄装置154所拍摄的图像，能够确定所送出的daf115的位置并调整daf115的位置。另外，控制装置100使第2辊112或第4辊116向与进给方向d1相反的方向旋转，能够在开始对daf115照射激光光线l之前对daf115施加张力。

在将daf115定位于激光光线l的照射开始位置之后，控制装置100对聚光机构53进行控制而使从激光光线照射单元150照射的激光光线l的焦点(聚光点；未图示)会聚在daf115的内部。接着，控制装置100对来自激光光线振荡部51的激光光线l的振荡以及基于照射角度调整机构52的激光光线l的偏转进行控制，从而一边在y轴方向上扫描daf115一边对daf115照射激光光线l。即，控制装置100能够在使焦点(聚光点)会聚在daf115的内部的状态下照射对于daf115具有透过性的波长的激光光线l。

当激光光线的照射开始位置处的激光光线的照射完成时，控制装置100将daf115送出至下一个激光光线的照射位置，对定位于下一个激光光线的照射位置的daf115照射激光光线l。控制装置100反复执行daf115的送出和对daf115的激光光线l的照射，直至完成对daf115的整个面的激光光线l的照射为止。

通过激光光线l的照射，能够在daf115的内部形成用于使该daf115有效地断裂的改质层20。激光加工装置1能够预先在设置于粘接片111的daf115的内部形成改质层20，因此与通过烧蚀加工等将daf115切断的情况相比，能够抑制将粘贴于晶片121的daf按照每个器件芯片进行分割的时间，作为结果，能够抑制对粘贴有daf的晶片121(被加工物)进行加工时的所需时间变长。

控制装置100包含运算处理装置和存储装置。运算处理装置是cpu(centralprocessingunit：中央处理器)微处理器、微型计算机、dsp、系统lsi(largescaleintegration：大规模集成)等处理器。存储装置是ram(randomaccessmemory：随机存取存储器)、rom(readonlymemory：只读存储器)、闪速存储器、eprom(erasableprogrammablereadonlymemory：可擦可编程只读存储器)、eeprom(注册商标)(electricallyerasableprogrammablereadonlymemory：电可擦可编程只读存储器)等非易失性或易失性的半导体存储器、磁盘、软盘、光盘、压缩盘、迷你盘或dvd(digitalversatiledisc：数字多功能光盘)。

存储装置对实现本实施方式的激光加工装置1的处理的计算机程序以及用于计算机程序的处理的数据进行存储。计算机程序包含控制用程序，该控制用程序提供用于实现激光光线照射单元150和拍摄装置154等的控制的功能。运算处理装置所执行的计算机程序也可以说是具有计算机能够读取且非易失性(non-transitory)的记录介质的计算机程序产品，该记录介质包含计算机能够执行的用于进行数据处理的多个命令。存储装置可以用作运算处理装置执行计算机程序所记述的命令时的临时作业区域。

运算处理装置读出存储于存储装置的计算机程序，执行计算机程序所记述的命令，从而实现本实施方式的激光加工装置1的处理、即上述的粘接片111的送出处理和激光光线照射处理。

运算处理装置可以利用专用的硬件来实现。在该情况下，运算处理装置是单一电路、复合电路、程序化的处理器、并列程序化的处理器、asic(applicationspecificintegratedcircuit：专用集成电路)、fpga(fieldprogrammablegatearray：现场可编程门阵列)或它们的组合。

控制装置100可以具有：对第1辊106、第2辊112、第4辊116、以及第6辊120的动作进行控制的驱动电路；输出用于对激光光线照射单元150和拍摄装置154进行控制的控制信号的输出用的接口装置(未图示)；输入拍摄装置154的图像数据的输入用的接口装置(未图示)；由显示各种信息和图像等的液晶显示装置等构成的显示装置(未图示)；以及供操作者在登记加工内容信息等时使用的输入装置(未图示)等。控制装置100可以与输入用和输出用的接口装置、显示装置、输入装置连接。输入装置可以由设置于显示装置的触摸面板或键盘等用户接口构成。

另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。例如激光加工装置1可以对daf115的整个区域中的与形成在晶片121的正面121a的分割预定线102相对应的位置照射激光光线l。在该情况下，激光加工装置1可以如下执行daf115的激光加工：根据拍摄装置154所拍摄的daf115的图像，确定daf115的端部，在daf115的端部进行对准，从设定为距离daf115的端部规定的距离的加工开始位置按照规定的间距执行激光光线l的照射。另外，在上述的结构中，示出激光加工装置1隔着扩展带117的树脂层117a而对daf115照射激光光线l的例子，但并不限于该例子，也可以隔着剥离片113而对daf115照射激光光线l。

另外，在上述的结构中，激光光线照射单元150的照射角度调整机构52构成为使从激光光线振荡部51振荡出的激光光线l的光轴在y轴方向上偏转，但还可以另外设置使该激光光线l在x轴方向上偏转的照射角度调整机构。根据该结构，例如能够在使daf115(粘接片111)停止在主体部15的正面15sf上的状态下，在daf115的整个面上形成改质层20。