电容器组件和用于制造电容器组件的方法与流程

本申请要求于2018年11月22日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0145453号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

本公开涉及一种电容器组件和用于制造电容器组件的方法。

背景技术：

多层陶瓷电容器是安装在各种电子产品(诸如包括液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)等的图像显示装置、计算机、智能手机、移动电话等)的印刷电路板上的片式电容器，以用于充电或放电。

这种多层陶瓷电容器由于其尺寸相对小而可用作各种电子装置的组件，并且能够确保高电容并且便于安装。随着诸如计算机的电子装置和移动装置变得越来越小型化并且功率增加，对具有紧凑尺寸和高电容的多层陶瓷电容器的需求增加。

此外，随着相关工业中对车辆组件的兴趣逐渐增加，多层陶瓷电容器越来越需要具有高可靠性和高强度特性，以便用于车辆或信息娱乐系统。

在上述背景下，为了实现高电容特性和可靠的电容温度系数(tcc)特性，可在中等或更强的氢还原气氛下执行烧结，而不是在通常用于常规制造工艺中的弱还原烧结条件下执行烧结。然而，当在中等或更强的氢还原气氛下执行烧结时，可能在介电层内部形成大量的氧空位，从而导致不期望的可靠性降低。

技术实现要素：

本公开的一方面提供一种具有优异可靠性的电容器组件及其制造方法。

根据本公开的一方面，一种用于制造电容器组件的方法包括：在中等或更强的氢还原气氛下对层叠有其上印刷有内电极的多个介电层的主体进行烧结的操作；在氧化气氛下对烧结的所述主体进行第一再氧化热处理的第一再氧化操作；以及在氧化气氛下对经过所述第一再氧化热处理的所述主体进行第二再氧化热处理的第二再氧化操作。

根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电容器包括：主体，包括介电层以及彼此相对的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面第六表面；以及第一外电极和第二外电极，分别设置在所述主体的外侧上并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述主体包括电容形成部、覆盖部以及边缘部，电容形成部包括彼此相对的所述第一内电极和所述第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间以形成电容，所述覆盖部设置在所述电容形成部的上表面和下表面上并且包括多个孔，所述边缘部设置在所述电容形成部的侧表面上，并且所述多个孔中的大部分填充有玻璃。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开中的示例性实施例的用于主体的热处理工艺的示意性曲线图；

图2示出了在第一再氧化操作之前和第二再氧化操作之后氧空位的变化；

图3示出了在第一再氧化操作之前和第二再氧化操作之后孔的变化；

图4是示出根据执行再氧化操作的次数的覆盖部的硬度变化的曲线图；

图5是示出根据执行再氧化操作的次数的覆盖部中的孔频数的曲线图；

图6是根据本公开中的另一示例性实施例的电容器组件的示意性透视图；

图7是沿图6中的线i-i'截取的电容器组件的示意性截面图；

图8是沿图6中的线ii-ii'截取的电容器组件的示意性截面图；

图9a示出了第一内电极印刷在介电层上的陶瓷生片，并且图9b示出了第二内电极印刷在介电层上的陶瓷生片；

图10是图7中所示的区域p1的放大图；

图11是图7中所示的区域p2的放大图；以及

图12是图10中所示的区域p3的放大图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。然而，本公开的实施例可以以许多不同的形式修改，因此，本公开的范围不应被解释为限于这里所阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例以向本领域技术人员提供彻底理解。因此，在附图中，为了清楚起见，可夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用来表示相同或相似的元件。

此外，在附图中，将省略不相关的描述以清楚地描述本公开，并且为了清楚地表达多个层和区域，可放大厚度。将使用相同的附图标记来描述在相同构思的范围内具有相同功能的元件。此外，在整个说明书中，将理解的是，除非另有说明，否则当某个部分“包括”某个构成要素时，该部分还可包括其它构成要素，而不排除其它构成要素。

在附图中，x方向可被定义为第二方向、l方向或长度方向，y方向可被定义为第三方向、w方向或宽度方向，并且z方向可被定义为第一方向、层叠方向、t方向或厚度方向。

在下文中，将描述根据本公开中的示例性实施例的用于制造电容器组件的方法，随后，将描述根据本公开中的示例性实施例的电容器组件。

制造电容器组件的方法

图1是示出根据示例性实施例的用于主体的热处理工艺的示意性曲线图。

参照图1，根据示例性实施例的用于制造电容器组件的方法包括：在还原气氛下烧结层叠有其上印刷有内电极的多个介电层的主体的操作；在氧化气氛下对烧结主体进行第一再氧化热处理的第一再氧化操作；以及在氧化气氛下对经过第一再氧化热处理的主体进行第二再氧化热处理的第二再氧化操作。

另外，在烧结主体的操作之前，可执行制备主体的操作。

制备主体的操作可包括制备用于内电极的导电膏，所述导电膏包含金属粉末、陶瓷粉末和粘合树脂。

金属粉末可包括银(ag)、铅(pb)、铂(pt)、镍(ni)、铜(cu)等。例如，在上述金属粉末中，可仅单独使用一种，或者可组合使用两种或更多种，但不限于此。

另外，根据示例性实施例，金属粉末可具有不同的粒径。例如，金属粉末可具有50nm至400nm的粒径。

用于将金属粉末分散在导电膏中的方法不限于任何特定方法。例如，可通过使用3辊研磨机将金属粉末分散在导电膏组合物中。

树脂不限于任何特定材料。例如，树脂可包括聚乙烯醇缩丁醛(pvb)和乙基纤维素(ec)中的至少一种或它们的混合物。

陶瓷粉末不限于任何特定材料，只要其用于控制金属粉末的烧结收缩即可。例如，陶瓷粉末可以是从由batio3、ba(tizr)o3、cazro3和srzro3组成的组中选择的至少一种。

用于将陶瓷粉末分散在导电膏中的方法不限于任何特定方法。例如，可通过使用珠磨机将陶瓷粉末分散在导电膏中。

根据示例性实施例，陶瓷粉末可具有不同的粒径。例如，陶瓷粉末可具有10nm至200nm的平均粒径。

陶瓷粉末的粒径可与金属粉末的粒径成比例地确定，并且如上所述，陶瓷粉末的粒径可优选在10nm至200nm的范围内。

随后，可制备多个生片。

可通过混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂以制备浆料，然后通过刮刀法将浆料形成为具有几微米厚度的片型来制备陶瓷生片。

随后，可通过将导电膏涂敷到生片上来形成内电极。

一旦如上所述形成内电极，就可将生片与载体膜分离，然后可将多个生片彼此层叠以形成层叠体。

此后，可在高温和高压下压制生片的层叠体，并且可通过切割工艺将压制的生片层叠体切割成预定尺寸以获得主体。

当执行压制时，压制压力可优选设定为500kgf/cm²至1300kgf/cm²。

烧结操作

接下来，可在中等或更强的氢还原气氛下执行烧结操作以烧结层叠有其上印刷有内电极的多个介电层的主体。

还原气氛是指能够还原氧化物的气体气氛，并且可根据气氛的还原能力分为强还原气氛、中等还原气氛和弱还原气氛。

当在还原气氛下执行烧结操作时，可能形成氧空位，其在施加电场的高温条件下获得迁移性，从而导致电容器组件的可靠性劣化。

特别地，如图2中左侧所示的氧空位是指在氧原子位置中形成的空孔。

由于要求用于车辆的电容器组件具有高电容和高可靠性，因此在中等或更强的氢还原气氛下执行烧结操作，而不是在常规制造工艺中经常使用的弱还原烧结条件下执行烧结操作，以实现高电容特性和可靠的电容温度系数(tcc)特性。

然而，当在中等或更强的氢还原气氛下执行烧结操作时，与在弱还原烧结条件下相比，可在介电层内部形成更大量的氧空位，因此产生包括不期望的可靠性降低等的问题。

常规地，执行再氧化工艺以减少氧空位的量，然而，由于在中等或更强的氢还原气氛下执行烧结操作，所以在介电层内部形成大量的氧空位。因此，可能难以仅通过常规再氧化工艺来将氧空位的量减少到不会不利地影响可靠性的水平。

然而，如将在下面所描述的，可通过控制再氧化工艺的条件来显著减少氧空位的量。

详细地，中等或更强的氢还原气氛可以是氮气(n2)与大于等于1％至小于等于2％的氢气(h2)混合的气体气氛(即，氮气:氢气的体积比为100:(1至2))。

通常，主体的烧结时间(hs)可在1小时至30小时之间较宽地变化，并且还可根据电容、陶瓷的成分、内电极的成分等变化。因此，烧结时间(hs)不限于任何特定的持续时间。

烧结温度(ts)不限于任何特定温度，然而，可在高于第一再氧化热处理温度和第二再氧化热处理温度的温度下执行烧结操作，这将在下面描述。例如，烧结温度(ts)可在1000℃至1200℃的范围内。

再氧化操作

根据本公开的再氧化操作包括在氧化气氛下对烧结主体进行第一再氧化热处理的第一再氧化操作以及在氧化气氛下对经过第一再氧化操作的主体进行第二再氧化热处理的第二再氧化操作。

图2示出了在第一再氧化操作之前和第二再氧化操作之后氧空位的变化。

如上所述，由于根据本公开的烧结操作在中等或更强的氢还原气氛下执行，因此可能会形成大量的氧空位。然而，一旦执行根据本公开的第一再氧化操作和第二再氧化操作，氧空位就如图2中所示被填充，从而显著减少氧空位的量。

图3示出了在第一再氧化操作之前和第二再氧化操作之后孔的变化。图3可以是与外电极的带部b相邻的覆盖部112和113的放大图，或者可以是图10中所示的区域p3的放大图。

在第一再氧化操作之前可能存在多个孔11c，然而，一旦根据本公开执行第一再氧化操作和第二再氧化操作，就由于在再氧化热处理温度下发生的玻璃11d的移动，而使玻璃11d可填充存在于主体的覆盖部112和113中的多个孔11c。

因此，可改善主体的硬度，并且可减少镀液或湿气可能渗透的路径，因此，可提高可靠性。

特别地，玻璃11d可包括从氧化硅、氧化铝和它们的复合氧化物中选择的至少一种。

图4是示出根据执行再氧化操作的次数的覆盖部的硬度变化的曲线图。

图5是示出根据执行再氧化操作的次数的覆盖部中的孔频数的曲线图。

参照图4和图5，在样品2中另外添加粘合剂以确保比样品1的硬度高的硬度，并且在氧化气氛下在1060℃下执行再氧化热处理中的每个达10小时。

参照图4，为每种样品制备20个样品，并且在增加执行的再氧化操作的次数的同时观察硬度的变化。观察到当执行两次再氧化操作时，硬度的平均值增加，而硬度的偏差减小。

参照图5，在从主体的覆盖部任意选择五个点之后，在尺寸为17μm×22.6μm的区域中观察直径为1μm至2μm的孔的频数。在增加执行的再氧化操作的次数的同时观察孔频数的变化。观察到当执行两次再氧化操作时孔频数降低，其中，测量未填充有玻璃11d的空孔的数量作为孔频数。

此外，当分析填充有玻璃11d的孔相对于直径为1μm至2μm的孔的总数的百分比时，进行了两次再氧化操作的样品1中的这种孔的百分比为81％，并且进行两次再氧化操作的样品2中的这种孔的百分比为94％。

此外，观察到即使当执行三次再氧化操作时，与当执行两次再氧化操作时相比，硬度或孔频数的变化也可忽略不计。因此，可确认执行两次再氧化操作既经济又高效。

详细地，第一再氧化热处理温度t1和第二再氧化热处理温度t2中的每个可在800℃至1200℃的范围内。

在低于800℃的温度下，玻璃的流动性可能不足，导致覆盖部和边缘部中的孔的填充不充分。

高于前一步骤的烧结温度的再氧化热处理温度可处于过烧区域，这可能导致性能劣化，诸如ir(绝缘电阻)或介电击穿电压的降低等。由于烧结温度通常不超过1200℃，因此再氧化热处理温度的上限可限制在1200℃或更低。

此外，第一再氧化热处理的保持时间h1和第二再氧化热处理的保持时间h2不限于任何特定的持续时间。例如，可执行第一再氧化热处理和第二再氧化热处理中的每个达8小时至12小时的持续时间。

此外，氧化气氛可以是氮气(n2)与大于0％至小于等于0.1％的氢气(h2)混合的气体气氛(即，氮气:氢气的体积比为100:(0至0.1))或者氮气(n2)与大于0％至小于等于0.01％的氧气(o2)混合的气体气氛(即，氮气:氧气的体积比为100:(0至0.01))。

当执行热处理时，氢气和氧气可用于控制热处理炉内的氧分压。

为了抑制内电极的氧化的目的，可引入氢气，而为了填充氧空位的目的，可引入氧气。

通常，当以0.1％的量引入氢气时，氧分压可在10^-12atm至10^-14atm(其中，大气压为1atm)的范围内。

氧分压可根据一起引入的蒸汽压力而改变。

此外，在执行第二再氧化热处理之前，还可包括对经过第一再氧化热处理的主体进行冷却的操作。

电容器组件

图6是根据本公开中的另一示例性实施例的电容器组件的示意性透视图。

图7是沿图6中所示的线i-i'截取的电容器组件的示意性截面图。

图8是沿图6中所示的线ii-ii'截取的电容器组件的示意性截面图。

图9a示出了第一内电极印刷在介电层上的陶瓷生片，并且图9b示出了第二内电极印刷在介电层上的陶瓷生片。

图10是图7中所示的区域p1的放大图。

图11是图7中所示的区域p2的放大图。

将参照图6至图11详细描述根据另一示例性实施例的电容器组件。

根据另一示例性实施例的电容器组件可通过根据上述示例性实施例的用于制造电容器组件的方法来制造。

根据本公开中的另一示例性实施例，电容器组件100包括：主体110，包括介电层111以及彼此相对的第一内电极121和第二内电极122，且介电层介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且主体110具有彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面和第二表面并且彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面至第四表面并且彼此相对的第五表面5和第六表面6；以及第一外电极131和第二外电极132，分别设置在主体110的外侧上并且分别连接到第一内电极121和第二内电极122，其中，主体110包括电容形成部a、覆盖部112和113以及边缘部114和115，电容形成部a包括彼此相对的第一内电极121和第二内电极122且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间以形成电容，覆盖部112和113设置在电容形成部的上表面和下表面上并且包括多个孔11c，边缘部114和115设置在电容形成部的侧表面上，并且多个孔11c中的大部分填充有玻璃11d。

在主体110中，可交替地层叠介电层111以及内电极121和122。

主体110的形状不限于任何特定形状，但如所示的，主体110可具有六面体形状或与六面体形状类似的形状。由于在烧结工艺期间包含在主体110中的陶瓷粉末的收缩，主体110可能不是具有完全直线的精确六面体，而是可具有大体上六面体形状。

主体110可具有在厚度方向(z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向(x方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在宽度方向(y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。

形成主体110的多个介电层111可处于烧结状态并且可彼此成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(sem)的情况下难以识别相邻介电层111之间的边界。

根据示例性实施例，形成介电层111的材料不限于任何特定材料，只要可从其获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料或钛酸锶基材料作为形成介电层111的材料。

根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(batio3)粉末颗粒等的粉末颗粒中作为形成介电层111的材料。

多个内电极121和122可彼此相对地设置，且介电层111介于多个内电极121和122之间。

内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122，第一内电极121和第二内电极122交替地设置并且彼此相对，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。

第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。

参照图7和图8，第一内电极121可与第四表面4分开并且通过第三表面3暴露，并且第二内电极122可与第三表面3分开并且通过第四表面4暴露。第一外电极131可设置在主体110的第三表面3上并连接到第一内电极121，第二外电极132可设置在主体110的第四表面4上并连接到第二内电极122。

第一内电极121和第二内电极122可通过介于第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111彼此电绝缘。主体110可通过在厚度方向(z方向)上交替层叠图9a的陶瓷生片和图9b的陶瓷生片并且烧结层叠的图9a和图9b的陶瓷生片来形成，图9a的陶瓷生片具有印刷在介电层111上的第一内电极121，图9b的陶瓷生片具有印刷在介电层111上的第二内电极122。

导电膏的印刷方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但不限于此。

根据示例性实施例的电容器组件100可包括：电容形成部a，设置在主体110内部并且包括彼此相对的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，以形成电容；覆盖部112和113，设置在电容形成部a的上表面和下表面上；以及边缘部114和115，设置在电容形成部a的侧表面上。

电容形成部a对形成电容器的电容有贡献，并且可通过重复地层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122并且使介电层111设置在第一内电极121和第二内电极122之间来形成。

上覆盖部112和下覆盖部113可通过分别在电容形成部a的上表面和下表面上沿上下方向层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可用于基本上保护内电极免受物理应力或化学应力的损坏。

上覆盖部112和下覆盖部113可不包括内电极，并且可包含与介电层111的材料相同的材料。

详细地，根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(batio3)粉末颗粒等的粉末颗粒中作为形成上覆盖部112和下覆盖部113的材料。

图12是图10中所示的区域p3(与外电极的带部b相邻的覆盖部112)的放大图。

参照图12，覆盖部112和113可包括多个孔11c，并且多个孔11c中的大部分(例如，80％或更多)可填充有玻璃11d。更优选地，多个孔11c中的90％或更多可填充有玻璃11d。

另外，覆盖部112和113可包括多个介电晶粒11a和介电晶界11b，并且多个孔11c可包括在介电晶界中。

当多个孔11c中的80％或更多填充有玻璃11d时，可提高硬度，并且可减少镀液或湿气可能渗透的路径，因此，可提高可靠性。

可根据上述方法执行第一再氧化操作和第二再氧化操作，以利用玻璃11d填充多个孔11c的总数的80％或更多。

例如，孔11c中的每个的直径可在1μm至2μm的范围内。

另外，由于硬度可根据其中包含的添加剂、粘合剂等而改变，因此覆盖部112和113的硬度不限于任何特定值。但是，参照图4，当根据上述方法执行第一再氧化操作和第二再氧化操作时，诸如在样品2中，覆盖部112和113可获得等于或者甚至大于1000kgf/mm²的硬度。

边缘部114和115可包括设置在主体110的第六表面6上的边缘部114以及设置在主体110的第五表面5上的边缘部115。

特别地，边缘部114和115可设置在主体110的在宽度方向上的两个侧表面上。

在主体110的沿宽度-厚度(w-t)方向切割的截面中，如图8中所示，边缘部114和115是指设置在第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的外表面之间的区域。

边缘部114和115可用于基本上保护内电极121和122免受物理应力或化学应力的损坏。

外电极131和132可设置在主体110的外侧上并且连接到第一内电极121和第二内电极122。如图7中所示，外电极131和132可包括连接到第一内电极121的第一外电极131以及连接到第二内电极122的第二外电极132。

第一外电极131和第二外电极132可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122以形成电容，并且第二外电极132可连接到与第一外电极131的电位不同的电位。

外电极131和132可包括连接到内电极121和122的电极层131a和132a以及设置在电极层131a和132a上的导电树脂层131b和132b。

此外，外电极131和132可包括设置在导电树脂层131b和132b上的ni镀层131c和132c以及设置在ni镀层131c和132c上的sn镀层131d和132d。

当外电极131和132包括第一外电极131和第二外电极132时，外电极131可包括第一电极层131a、第一导电树脂层131b、第一ni镀层131c和第一sn镀层131d，并且第二外电极132可包括第二电极层132a、第二导电树脂层132b、第二ni镀层132c和第二sn镀层132d。

电极层131a和132a可包括导电金属和玻璃。

用于电极层131a和132a的导电金属不限于任何特定材料，只要其可电连接到内电极121和122以形成电容即可。例如，导电金属可以是从由铜(cu)、银(ag)、镍(ni)和它们的合金组成的组中选择的至少一种。

电极层131a和132a可通过将玻璃料添加到导电金属粉末中以制备导电膏并且涂敷并烧结导电膏来形成。

导电树脂层131b和132b可形成在电极层131a和132a上，并且可形成为完全覆盖电极层131a和132a的形状。

导电树脂层131b和132b可包括导电金属和基体树脂。

包含在导电树脂层131b和132b中的基体树脂不限于任何特定材料，只要其具有粘合性质和减震能力，并且在与导电金属粉末混合时形成膏即可。例如，基体树脂可包括环氧类树脂。

包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属不限于任何特定材料，只要其可电连接到电极层131a和132a即可。例如，导电金属可包括从由铜(cu)、银(ag)、镍(ni)和它们的合金组成的组中选择的至少一种。

ni镀层131c和132c可形成在导电树脂层131b和132b上，并且可形成为完全覆盖导电树脂层131b和132b的形状。

sn镀层131d和132d可分别形成在ni镀层131c和132c上，并且可形成为分别完全覆盖ni镀层131c和132c的形状。

sn镀层131d和132d可用于改善安装特性。

第一外电极131可包括设置在主体110的第三表面上的连接部c以及从连接部c延伸到第一表面的一部分和第二表面的一部分的带部b。类似地，第二外电极132可包括设置在主体110的第四表面上的连接部和从连接部延伸到第一表面的一部分和第二表面的一部分的带部。

特别地，带部b不仅可延伸到第一表面1的一部分和第二表面2的一部分，而且可从连接部c延伸到第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。

参照图10，在第一外电极131中，从主体110的第三表面3到第一电极层131a的带部b的端部的距离l1可比从主体110的第三表面3到第一导电树脂层131b的带部b的端部的距离l2短。

类似地，在第二外电极132中，从主体110的第四表面4到第二电极层132a的带部b的端部的距离可比从主体110的第四表面4到第二导电树脂层132b的带部b的端部的距离短。

因此，导电树脂层131b和132b可形成为完全覆盖电极层131a和132a的形状，并且可改善弯曲强度特性以及外电极和主体之间的结合强度。

参照图11，根据另一示例性实施例的电容器组件可满足td>2×te，其中，td是介电层111的厚度，并且te是内电极121和122中的每个的厚度。

通常，高电压车辆电子组件主要面临由高电压环境下的介电击穿电压的降低引起的可靠性问题。

通过将介电层111的厚度td设定为大于内电极121和122中的每个的厚度te的两倍，根据另一示例性实施例的电容器组件增加与内电极之间的距离对应的介电层的厚度，从而可具有改善的介电击穿电压特性，以防止在高电压环境下的介电击穿电压的降低。

当介电层111的厚度td是内电极121和122中的每个的厚度te的两倍或更小时，介电层的厚度可能太小，从而导致介电击穿电压的不期望的降低。

例如，内电极的厚度te可小于1μm，并且介电层的厚度td可小于2.8μm，但不限于此。

如上所述，根据本公开中的示例性实施例，可控制再氧化工艺的条件以显著减少氧空位的量，通过利用玻璃填充孔来显著降低覆盖部中存在的孔的数量，并实现高度致密的微观结构。

因此，可改善多层陶瓷电容器的可靠性，并且可提高覆盖部的硬度。

虽然上面已经详细示出并描述了示例性实施例，但是本发明不由上述示例性实施例和附图限制，而是由所附权利要求限制。因此，对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。