技术特征：
技术总结
本发明公开了一种砷化镓多结太阳电池及制作方法，该砷化镓多结太阳电池中，第一隧穿结和所述第二隧穿结的结构相同，通过在n型GaInP层和p型AlGaAs层之间插入一个GaAs薄层，与GaInP层和AlGaAs层相比，GaAs层具有更低的电子有效质量，更高的掺杂效率，因此可以获得更薄的耗尽区宽度和更短的隧穿深度，其相比GaInP层和AlGaAs层更低的带隙也会形成三明治的量子阱结构减少隧穿深度，最终获得更高的峰值隧穿电流密度。此外，GaAs层还可以作为过渡层，有效抑制P原子和掺杂剂向AlGaAs层的扩散，可以获得组分陡峭的界面，改善隧穿结的隧穿电流和热稳定性。
技术研发人员：吴真龙;韩效亚;张策;张海林;王玉
受保护的技术使用者：扬州乾照光电有限公司
技术研发日：2019.05.21
技术公布日：2019.08.09