1.发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有对相的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；
透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面侧，并具有多处的第一开口暴露部分外延叠层的第二表面侧；
粘附层，位于透光性介电层远离发光外延叠层的一侧，具有多个第二开口，每一第二开口与每一第一开口的位置对应；
金属层，位于粘附层的远离透光性介电层的一表面侧，并延伸至第二开口以及第一开口与发光外延叠层的第二表面侧接触，所述的粘附层的厚度至多为透光性介电层厚度的五分之一，其特征在于：所述的金属层与透光性介电层之间仅有一层粘附层。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：其中所述的粘附层的厚度至少0.1nm至多10nm。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述透光性介电层的厚度为50nm以上。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述粘附层为透明导电粘附层。
5.根据权利要求1或4所述的一种发光二极管，其特征在于：所述粘附层为izo或ito。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述透光性介电层单层或多层，其中每一层为氟化镁层或氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口的侧壁为倾斜，倾斜的角度为等于90°或大于90°。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口的侧壁为倾斜，倾斜的角度为110~170°。
9.根据权利要求1或8所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的粘附层覆盖透光性介电层的第一开口部分侧壁或全部侧壁。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口具有倾斜侧壁，所属倾斜侧壁的厚度是渐变的，倾斜侧壁的水平宽度为至少1nm。
11.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透光性介电层的第一开口具有倾斜侧壁，所属倾斜侧壁的厚度是渐变的，倾斜侧壁的水平宽度为至少20nm。
12.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：在第一开口的底部，金属层在发光外延叠层的第一类型半导体层或第二类型半导体层的表面上具有欧姆接触材料。
13.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的金属层与粘附层接触的材料具有金属反射材料。
14.根据权利要求12所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的欧姆接触材料为金锌、金锗镍、金铍、金镍。
15.根据权利要求13所述的一种发光二极管，其特征在于：金属反射材料具有金。
16.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管的发光波长为红光或红外。
17.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管包括第一电极位于出光面，包括第二电极与金属层连接。
18.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管的发光外延叠层包括多个自第二表面侧开口并延伸穿过发光层至底部靠近第一表面侧的凹部。
19.一种照明装置，其包括：根据权利要求1-18任一项所述的发光二极管。
20.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：
（1）提供一发光外延叠层，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有对相的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；
（2）在所述发光外延叠层的第二表面上形成具有多个第一开口的透光性介电层和多个第二开口的粘附层，第一开口暴露外延叠层第二表面的一部分，第二开口与第一开口的位置对应；
（3）制作金属层，金属层形成在粘附层的一侧并且延伸至第二开口内接触外延叠层的第二表面，其中粘附层的厚度为透光性介电层的厚度的至多五分之一。
21.根据权利要求20所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：在所述外延叠层的第二表面上形成具有多个第一开口的透光性介电层和多个第二开口的粘附层是通过以下步骤形成：先制作多个分散的牺牲层图形在发光外延叠层的第二表面，然后在所述多个分散的牺牲层图形表面以及发光外延叠层的第二表面依次制作透光性介电层和粘附层，剥离牺牲层图形以同时形成透光性介电层的第一开口和粘附层的第二开口。
22.根据权利要求21所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的牺牲层为至少一层，每一层为金属或介质层中一种。
23.根据权利要求21所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的牺牲层图形为第一层和第二层，第二层相对第一层更远离发光外延叠层的第二表面，第一层的水平宽度尺寸小于第二层的水平宽度尺寸。
24.根据权利要求21所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：剥离牺牲层之前还包括形成一额外金属层在粘附层的表面，额外金属层不会被剥离牺牲层的工艺去除。
25.根据权利要求24所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的一额外金属层为金属反射层。