一种高抑制低插损E-band双工器的制作方法

本发明属于滤波器技术领域，尤其涉及滤波器腔与腔之间的耦合结构及双模腔的高抑制低插损e-band双工器。

背景技术：

微波双工器在微波中继通信、雷达、天馈系统、电子对抗及微波测量仪表中得到及其广泛的应用。近几年基础工业和加工机械精密度的提升，e-band双工器已经成为毫米波广泛使用的滤波器形式，它结构简单、体积小、损耗低、易于批量生产，并具有优良的滤波特性。随着5g的兴起，对传输设备的带宽要求越来越高，考虑到e-band频谱资源丰富，加上基础加工业的提升，估市场上对e-band需求量会成几何增长。目前e-band双工器只是单纯的主模电感耦合形式，设计简单，但滤波器带宽较宽，电感耦合会很快出现寄生通带，需要增加低通抑制，既浪费工程师设计时间，又浪费物料成本，还耽误项目进度，并且双工器的电性能指标还不优良。因此，必须采用新的结构和设计方案完成e-band双工器设计。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的高抑制低插损e-band双工器，使其更具有产业上的利用价值。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种高抑制低插损e-band双工器。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种高抑制低插损e-band双工器，包括一个公共端口和两个输入输出端口，所述公共端口和两个输入输出端口之间分别具有六个谐振腔，所述谐振腔的位置呈一字型布置，且每六个谐振腔内还设置有一双模腔，所述谐振腔三个一组，分设在双模腔的左右两侧设置，所述谐振腔的内边开设有窗口，构成连通，并使其形成电耦合设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，所述公共端口中心轴和两个输入输出端口的中心轴相互平行。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，所述公共端口上设置有e-t转换接头。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，所述双模腔呈凸型结构设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，所述双工器由腔体和盖板构成，并通过螺栓固定，所述谐振腔和双模腔位于腔体内，两个所述输入输出端口开口位于所述腔体底面，所述公共端口的开口位于盖板的顶面上设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，：所述盖板上设置有“8”字形结构的极化器，与e-t转换接头相连，并形成水平信号的出口或垂直信号的出口设置。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，所述“8”字形结构的极化器的长度为5.7mm，两段宽度为1.93mm，中间宽度为1.6mm，且中间为圆弧结构，且深度为1mm。

优选地，所述的一种高抑制低插损e-band双工器，所述双模腔两侧的谐振腔从外侧至内侧的内边的窗口从低逐渐变高设置，其内侧的内边高度低于腔体的高度。

借由上述方案，本发明至少具有以下优点：

本发明通过谐振腔与谐振腔之间的内边全开构成电耦合结构，可以拉远因磁耦合产生的寄生通带，并且结构简单，不会因为磁耦合的隔劲墙壁与盖子接触不良产生泄露，对cnc加工也降低了要求，平面度不需要要求太高，此耦合结构可以有效的把不连续性产生的高次模很快凋零，从而拉远寄生通带，有效地达到抑制远端的作用。在谐振腔中间加入双模腔，调整双工器腔的尺寸及耦合结构，控制零点的位置，从而提升高低端滤波器的抑制、降低滤波器的插损。保证滤波器通带有很好的矩形系数。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本发明的e-band双工器结构示意图；

图2是本发明的腔体的结构示意图；

图3是本发明中盖板的结构示意图；

图4是本发明中8字形结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例

如图1至图4所示，

一种高抑制低插损e-band双工器，包括一个公共端口13和两个输入输出端口，所述公共端口和两个输入输出端口之间分别具有六个谐振腔11，所述谐振腔11的位置呈一字型布置，且每六个谐振腔11内还设置有双模腔12，所述谐振腔11三个一组，分设在双模腔1的左右两侧设置，所述谐振腔11的内边14开设有窗口，构成连通，所述双模腔两侧的谐振腔从外侧至内侧的内边的窗口从低逐渐变高设置，其内侧的内边高度低于腔体的高度，并使其形成电耦合设置。

上述的内边14开设的窗口的大小依据滤波器的带宽决定，而滤波器的带宽本领域技术人员已知的常规技术，在这不在做任何的赘述。

本发明中所述公共端口中心轴和两个输入输出端口的中心轴相互平行。

本发明中所述公共端口上设置有e-t转换接头，为本领域技术人员已知的常规技术，在这不再做任何的赘述。

本发明中所述双模腔呈凸型结构设置。

本发明中所述双工器由腔体和盖板构成，并通过螺栓固定，所述谐振腔和双模腔位于腔体内，两个所述输入输出端口开口位于所述腔体底面，所述公共端口的开口位于盖板的顶面上设置。

实施例一

在上述实施例的基础上，所述盖板上设置有“8”字形结构的极化器，与e-t转换接头相连，并形成水平信号的出口或垂直信号的出口设置，其中，所述“8”字形结构的极化器的长度为5.7mm，两段宽度为1.93mm，中间宽度为1.6mm，且中间为圆弧结构，且深度为1mm。

本发明的工作原理如下：

具体工作时，每六个谐振腔和其相连通的双模腔，和另六个谐振腔和相连通的双模腔能分别构成低通带滤波器和高通带滤波器，两者是可以进行互换。

而上述的低通带滤波器和高通带滤波器内的谐振腔之间的耦合采用开窗口的方式进行开通(即内边开口)，使其构成电容结构，可以实现拉远寄生通带，而在谐振腔上还设置有双模腔，双模腔将谐振腔均分，可以提升滤波器的q值，并且还能提高滤波器的抑制度，同时又能利用双模腔和输入输出的耦合增加带外零点。

上述采用电耦合只要是耦合结构，内边全开，耦合能量很大，只需要很小的窗口即可满足带宽要求，磁场基本很弱，高次模在不连续的电耦合窗口很快衰减，达到拉远寄生通带。

双模结构，一个谐振腔有两个模式，相当于是两个谐振腔，通过改变耦合结构，可以实现双模腔中的两个模式和输入输出的耦合，增加带外零点。

本发明通过谐振腔与谐振腔之间的耦合结构，可以拉远因磁耦合产生的寄生通带，并且结构简单，不会因为磁耦合的隔劲墙壁与盖子接触不良产生泄露，对cnc加工也降低了要求，平面度不需要要求太高，此耦合结构可以有效的把不连续性产生的高次模很快凋零，从而拉远寄生通带，有效地达到抑制远端的作用。在谐振腔中间加入双模腔，调整双工器腔的尺寸及耦合结构，控制零点的位置，从而提升高低端滤波器的抑制、降低滤波器的插损。保证滤波器通带有很好的矩形系数。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。