一种芯片减薄保护方法及其装置与流程

技术领域：

本发明涉及电子制造技术领域，具体地说就是一种针对微小（超小）芯片的减薄保护方法及其装置。

背景技术：
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在集成电路中，由于硅基材料及互联金属层存在电阻，在电流的作用下，芯片要产生发热现象。而在芯片工作的过程中，由于部分热量的产生，使得芯片背面产生内应力。芯片热量逐渐升高，基体层之间的热差异性加剧，这无疑加大了芯片的内应力，较大的内应力使芯片产生破裂。因此，在集成电路制备生产过程中，现有减薄工艺一般针对整个晶圆，其可通过磨削法，研磨法，化学机械抛光法，干式抛光法等，减薄技术已经成熟，但对于芯片级尺寸的半导体芯片，其减薄工艺相对不成熟。目前国内现有技术减薄过程中需对晶圆正面保护的方法采用蓝膜、涂光刻胶或专用热剥离膜，不但工艺加工复杂，需购置新的研磨机器，而且容易造成硅基内部损伤等问题。

技术实现要素：
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本发明就是为了克服现有技术中的不足，提供一种芯片减薄保护方法及其装置。

本申请提供以下技术方案：

一种芯片减薄保护装置，其特征在于：它包括腐蚀槽，在腐蚀槽，设置一个腐蚀杆，在腐蚀杆一端设有与腐蚀槽对应配合的承片台。

在上述技术方案的基础上，还可以有以下进一步的技术方案：

在腐蚀杆另一端的端部设有一个圆台，所述的圆台为圆形与腐蚀杆同轴分布。

所述的腐蚀槽为圆柱形，在腐蚀槽下端设有径向伸出的扩大部，在腐蚀槽上端端部套接有限位台，在限位台与扩大部之间的腐蚀槽外壁上套接有滑板，在滑板一侧延伸出手柄。

一种芯片减薄保护方法，其特征在于：它包括以下步骤：

步骤1：将蜂蜡进行加热融化；

步骤2：融化后的蜂蜡涂抹在承片台上，而后将芯片正面向下放置在蜂蜡上；

步骤3：一边对刮刀进行边烘烤加热，一边用刮刀修整芯片四周蜂蜡，使得蜂蜡包裹芯片一圈的厚度端面，从而对芯片进行封边保护；

步骤4：封边结束待蜂蜡冷却凝固后，使用显微镜下检查，确保封边完整合格；

步骤5：按照腐蚀速率计算出腐蚀时间，将封边合格芯片放入腐蚀槽内，浸入配比好的腐蚀溶液hf:hno3:ch3cooh(质量比为1:5:1)中，进行腐蚀减薄；

步骤6：腐蚀完成后取出承片台，并对其进行冲水清洗，而后利用甲苯溶液加热去除承片台上的蜂蜡，将芯片与承片台分离，分离后的芯片再使用丙酮冲洗干净，显微镜下观察腐蚀后表面状态；

步骤7：使用高度规对芯片进行检测减薄厚度。

发明优点：

本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、通过利用蜂蜡对芯片四周保护进行湿法腐蚀减薄工艺，解决了无法使用湿法腐蚀技术对微小（超小）芯片背面硅膜减薄制备工艺的问题，且实施效果较好，降低碎片几率，实施成本较低，减薄控制精度高等优点。

附图说明：

图1是本发明中腐蚀槽的结构示意图；

图2是本发明中腐蚀杆的结构示意图；

图3是将芯片放置到承片台上的示意图。

具体实施方式：

如图1-3所示，一种芯片减薄保护装置，它包括腐蚀槽1，所述的腐蚀槽1为圆柱形，在腐蚀槽1下端设有径向伸出槽壁的圆形的扩大部1a。

设置一个直径大于腐蚀槽1的滑板1c，在滑板1c上设有一个与腐蚀槽1外壁对应的圆孔，使得滑板1c可以套在腐蚀槽1的外壁上。在滑板1c上还向外延伸出手柄1d。

一个直径大于腐蚀槽1的圆形的限位台1b，在圆形的限位台1b上设有螺孔，在腐蚀槽1上端端部设有一段与螺孔对应配合的螺纹。通过螺纹将圆形限位台1b连接在腐蚀槽1上端端部。而后使得滑板1c可以在限位台1b与扩大部1a之间的腐蚀槽1外壁上向下滑动。

设置一个腐蚀杆2，所述的腐蚀杆2包括杆体2c，在杆体2c下端设有同轴分布的承片台2a。所述承片台2a为圆形，且直径小于腐蚀槽1槽口的直径，以便承片台2a可以插入腐蚀槽1内。

在杆体2c上端端部设有一个同轴分布的圆台2b，所述圆台2b下表面与杆体2c直接设有一圈圆角过度2d。以便工作人员手持圆台2b下方的杆体2c时，圆台2b与工作人员的虎口部形成限位，避免工作人员手持腐蚀杆2时，发生杆体2滑脱的情况。

所述的腐蚀槽1与扩大部1a为一体制成，所述滑板1c和手柄1d为一体制成，所述杆体2c、承片台2a以及圆台2b为一体制成。组成本装置的所有部件均由聚四氟乙烯材质制成。

一种芯片减薄保护方法，其特征在于：它包括以下步骤：

步骤1：将蜂蜡进行加热融化。

步骤2：融化后的液态的蜂蜡4涂抹在承片台2a的底面上，而后将芯片3正面向下放置在液态的蜂蜡4上。

步骤3：一边对刮刀进行边烘烤加热，一边用刮刀修整芯片3四周蜂蜡，使得蜂蜡4包裹芯片3一圈的厚度端面，从而对芯片3进行封边保护。

步骤4：封边结束，待液态的蜂蜡4冷却凝固后，使用显微镜下检查，确保封边完整合格。

步骤5：在腐蚀槽1内放入腐蚀溶液，所述的腐蚀溶液是由质量比为(1:5:1)的hf:hno3:ch3cooh混合而成，并按照腐蚀速率计算出腐蚀时间；而后手持腐蚀杆2将承片台2a下探入腐蚀槽1内，并将承片台2a浸入腐蚀溶液内并保持一段时间，该时间与计算出腐蚀时间相同，从而对芯片3的底部进行腐蚀减薄。

步骤6：待到达腐蚀时间后，芯片腐蚀完成，工作人员将承片台2a从腐蚀槽1内移出，并对承片台2a进行冲水清洗，而后利用甲苯溶液加热去除承片台2a上的蜂蜡，将芯片3与承片台2a分离，分离后的芯片3再使用丙酮冲洗干净，显微镜下观察腐蚀后表面状态。

步骤7：使用高度规对芯片3进行检测减薄厚度。