一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法与流程

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法。

背景技术：

近年来，基于半导体的固态紫外探测器研究在国际上受到越来越多的关注，例如，4h-sic雪崩光电二极管紫外探测器具有高增益、高响应度、低暗电流等优点，能够实现微弱紫外信号甚至紫外单光子的探测。

然而，传统的正面入射式紫外探测器，由于顶层的欧姆接触层厚度较厚且掺杂浓度较高，会导致大量光子被欧姆接触层吸收，从而使得紫外探测器的量子效率降低。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请提供了一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法，以解决现有技术中的紫外探测器量子效率不高的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种集成增透膜层的紫外探测器，所述增透膜层覆盖于所述紫外探测器的入射面；

所述增透膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口。

基于第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述增透膜层的厚度范围为20nm～2μm。

基于第一方面，在第二种可能的实现方式中，所述增透膜层的制成材料包括sio2、al2o3、hfo2、y2o3、sinx中的一种或几种的组合。

基于第一方面及第一方面上述任一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述紫外探测器包括：衬底，位于所述衬底上的第一外延层，位于所述第一外延层上的第二外延层，位于所述第二外延层上的欧姆接触层，位于所述欧姆接触层上的上电极层；

其中，所述第一外延层为重掺杂外延层，所述第二外延层为轻掺杂外延层，所述欧姆接触层为图形化的重掺杂层。

基于第一方面第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述第一外延层为p型碳化硅外延层，所述第二外延层为n型碳化硅外延层，所述欧姆接触层为n型欧姆接触层；或者，

所述第一外延层为n型碳化硅外延层，所述第二外延层为p型碳化硅外延层，所述欧姆接触层为p型欧姆接触层。

基于第一方面第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述上电极层的表面面积小于所述欧姆接触层的表面面积，且，所述上电极层的表面形状与所述欧姆接触层的表面图形相对应。

基于第一方面第五种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述欧姆接触层的表面图形包括圆环形、方环形、窗口形以及阵列形其中的任意一种。

基于第一方面第六种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，所述第二外延层的面积小于所述第一外延层的面积，且，所述第一外延层上的部分区域与所述第二外延层形成一隔离台面，其中，所述部分区域表示所述第一外延层上具有所述第二外延层的区域；

所述紫外探测器还包括下电极层，所述下电极层形成于所述第一外延层上的所述隔离台面之外的区域，所述增透膜层不覆盖所述下电极层。

本申请实施例的第二方面提供了一种集成增透膜层的紫外探测器的制备方法，该制备方法包括：

制备紫外探测器；

在所述紫外探测器的入射面沉积增透膜层，并刻蚀出电极窗口，以使所述紫外探测器的上电极层穿过所述增透膜层。

基于第二方面，在第一种可能的实现方式中，所述制备紫外探测器包括：

制备半导体外延晶片，所述半导体外延晶片由下至上依次包括衬底、第一外延层、第二外延层和第三外延层，其中，所述第一外延层为重掺杂外延层，所述第二外延层为轻掺杂外延层，所述第三外延层为重掺杂外延层；

在所述第三外延层表面制备掩膜层，在所述掩膜层涂覆光刻胶并进行光刻，形成图形化的刻蚀窗口，将所述掩膜层上所述刻蚀窗口之外的区域刻蚀至所述第二外延层，形成图形化的欧姆接触层；

去除所述光刻胶和所述掩膜层；

采用台面蚀刻或者离子注入进行隔离，形成有源区；

在所述有源区蒸镀金属并退火，形成上电极层。

本申请与现有技术相比存在的有益效果是：本申请提供的集成增透膜层的紫外探测器，其增透膜层覆盖于所述紫外探测器的入射面，该增透膜层具有电极窗口，紫外探测器的上电极层穿过增透膜层的电极窗口。入射面上增透膜层的存在，可以减小入射光在紫外探测器的入射面上的反射，从而增加了进入紫外探测器的有源区的入射光子量，达到了提高紫外探测器的量子效率的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种集成增透膜层的紫外探测器的结构示意图(剖面图)；

图2是本申请实施例提供的集成增透膜层的紫外探测器的入射面的一个结构示意图(俯视图)；

图3是本申请实施例提供的集成增透膜层的紫外探测器的入射面的另一个结构示意图(俯视图)。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图通过具体实施例来进行说明。

参见图1，是本申请实施例提供的一种集成增透膜层的紫外探测器的结构示意图(剖面图)，如图1所示，该紫外探测器包括增透膜层17，增透膜层17覆盖于紫外探测器的入射面(光线由上至下入射)；增透膜层17具有电极窗口，紫外探测器的上电极层14穿过所述电极窗口。

在本申请实施例中，增透膜层17的厚度范围可以为20nm～2μm。

在本申请实施例中，增透膜层17的制成材料可以包括sio2、al2o3、hfo2、y2o3、sinx中的一种或几种的组合。

由上可知，本申请提供的集成增透膜层的紫外探测器，其增透膜层覆盖于所述紫外探测器的入射面，该增透膜层具有电极窗口，紫外探测器的上电极层穿过增透膜层的电极窗口。入射面上增透膜层的存在，可以减小入射光在紫外探测器的入射面上的反射，从而增加了进入紫外探测器的有源区的入射光子量，达到了提高紫外探测器的量子效率的目的。

在本申请实施例中，所述紫外探测器可以包括：衬底10，位于衬底10上的第一外延层11，位于第一外延层11上的第二外延层12，位于第二外延层12上的欧姆接触层13，位于欧姆接触层13上的上电极层14；其中，第一外延层11为重掺杂外延层，第二外延层12为轻掺杂外延层，欧姆接触层13为图形化的重掺杂层，第二外延层12即为紫外探测器的吸收倍增层。

在本申请实施例中，紫外探测器采用正面入射，欧姆接触层13由于为图形化的结构，其对入射光子的吸收会大大减少，尤其是可以减少对短波长光子的吸收。因此，到达第二外延层12的入射光子量会大大增加，从而进一步提高了紫外探测器的量子效率的目的。

在本申请实施例中，第一外延层11可以为p型碳化硅外延层，第二外延层12可以为n型碳化硅外延层，欧姆接触层13可以为n型欧姆接触层，第一外延层11、第二外延层12和欧姆接触层13共同形成探测器外延结构；或者，第一外延层11可以为n型碳化硅外延层，第二外延层可以为p型碳化硅外延层，欧姆接触层13可以为p型欧姆接触层，第一外延层11、第二外延层12和欧姆接触层13能够共同形成探测器外延结构。

本申请实施例中，p型和n型分别用于表示不同的半导体材料，p型表示空穴型半导体，n型表示电子型半导体。

在本申请实施例中，衬底可以为硅、蓝宝石、氮化镓或碳化硅等材料中的任意一种。

在本申请实施例中，上电极层14位于欧姆接触层13上，其表面面积不大于欧姆接触层13的表面面积，且，上电极层14的表面形状与欧姆接触层13的表面图形相对应。例如，欧姆接触层13的表面图形为圆环形时，上电极层14的表面形状也可以相应的为圆环形；欧姆接触层13的表面图形为方环形时，上电极层14的表面形状也可以相应的为方环形；欧姆接触层13的表面图形为窗口形时，上电极层14的表面形状也可以相应的为窗口形；欧姆接触层13的表面图形为圆形或方形的阵列时，上电极层14的表面形状也可以相应的为圆形或方形的阵列，且，上电极层14的表面区域连通。

在本申请实施例中，欧姆接触层13的表面图形可以包括圆环形、方环形、窗口形以及阵列形其中的任意一种。例如，在图1所示实施例中，欧姆接触层13的表面形状为圆环形。在实际应用中，欧姆接触层13的表面图形还可以为其它形状，只要其具备可以让入射光子直接穿过的图形化的间隙即可。

在本申请实施例中，欧姆接触层13的掺杂浓度可以在1×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3之间，深度可以在0.01～0.5μm之间。第一外延层11的掺杂浓度可以在1×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3之间，厚度可以在1～3μm之间。第二外延层12的掺杂浓度可以在1×10¹⁵cm^-3～1×10¹⁷cm^-3之间，厚度可以在0.1～50μm之间。

在本申请实施例中，如图1所示，第二外延层12的面积可以小于第一外延层11的面积，且，第一外延层11上的部分区域与第二外延层12形成一隔离台面(隔离台面上的上表面即为紫外探测器的有源区，欧姆接触层13位于有源区内)，第一外延层11上的部分区域指第一外延层11上形成有第二外延层12的区域。

在本申请实施例中，隔离台面可以是倾角为90度的垂直结构，也可以是具有非垂直倾角的台面结构。

在本申请实施例中，紫外探测器还可以包括钝化保护层16，以抑制紫外探测器的表面漏电，减小暗电流。如图1所示，钝化保护层16可以覆盖于紫外探测器的有源区之外的表面区域，且，部分延伸至隔离台面上的有源区之内，延伸至隔离台面上的有源区之内的部分位于增透膜层17的下方(钝化保护层16未覆盖的有源区为用于接受入射光的光敏窗口区域，上电极层区域位于该光敏窗口区域内)。钝化保护层16可以为由sio2、al2o3、hfo2、y2o3、sinx材料中的一种或任意几种组合来制备，钝化保护层16的厚度范围可以在50nm～10μm之间。

在一种实施方式中，紫外探测器还包括下电极层15，下电极层15可以形成于第一外延层11上的所述隔离台面之外的区域，例如可以在隔离台面之外环绕分布(如图1所示)，该实施方式中，增透膜层17不覆盖下电极层15。在另一种实施方式中，下电极层15还可以位于衬底10的另一面，该另一面与衬底10的形成有第一外延层11的一面相对，也即第一外延层11可以位于衬底10上方的一面，下电极层16可以位于衬底10下方的一面，该实施方式中，衬底需要采用重掺杂衬底。

在本申请实施例中，上述集成增透膜层的紫外探测器的制备方法包括如下步骤：

步骤a、制备紫外探测器；

步骤b、在所述紫外探测器的入射面沉积增透膜层，并刻蚀出电极窗口，以使所述紫外探测器的上电极层穿过所述增透膜层。

在一种实现方式中，上述步骤a可以包括：

步骤a1、制备半导体外延晶片，所述半导体外延晶片由下至上依次包括衬底、第一外延层、第二外延层和第三外延层，其中，所述第一外延层为重掺杂外延层，所述第二外延层为轻掺杂外延层，所述第三外延层为重掺杂外延层；

步骤a2、在所述第三外延层表面制备掩膜层，在所述掩膜层涂覆光刻胶并进行光刻，形成图形化的刻蚀窗口，将所述掩膜层上所述刻蚀窗口之外的区域刻蚀至所述第二外延层，形成图形化的欧姆接触层；

步骤a3、去除所述光刻胶和所述掩膜层；

步骤a4、采用台面蚀刻进行隔离，形成有源区(隔离台面)；

步骤a5、在所述有源区(隔离台面)的欧姆接触层上蒸镀金属并退火，形成上电极层。

在本申请实施例中，在步骤a5之后还可以包括制备下电极层的步骤：

步骤a6、在第一外延层上的所述隔离台面之外的区域蒸镀金属并退火，形成下电极层。

在本申请实施例中，在步骤a5之后还可以包括制备钝化保护层的步骤：

步骤a7、在半导体外延晶片表面沉积钝化保护层，并刻蚀出光敏窗口，所述光敏窗口表示有源区之内的接受入射光的区域，用以覆盖增透膜层，所述光敏窗口所在的表面区域涵盖了上电极层区域。

需要说明的是，图1所示实施例提供的集成增透膜层的紫外探测器采用了台面隔离的方式，其有源区即为紫外探测器的隔离台面。在另外的一种实施方式中，上述步骤a4还可以替换为采用离子注入的方式形成有源区，而无需制作隔离台面。在该实施方式中，衬底10可以采用重掺杂衬底，下电极层15可以位于衬底10的另一面，该另一面与衬底10的形成有第一外延层11的一面相对；也即，第一外延层11可以位于衬底10上方的一面，下电极层15可以位于衬底10下方的一面。该实施方式的制备方法中制备下电极层的步骤a6位：在衬底的另一面蒸镀金属并退火，形成下电极层，该另一面与衬底上形成有第一外延层的一面相对。

参见图2，是本申请实施例提供的集成增透膜层的紫外探测器的入射面的一个结构示意图(俯视图)；如图2所示，其包括增透膜层17(透明、圆形)，其有源区为圆形(左斜线区域)(可以为采用台面刻蚀形成的圆形台面有源区，或者可以为采用离子注入方式形成的圆形有源区)，其欧姆接触层13(右斜线区域)的表面形状为圆环形(欧姆接触层13位于有源区内，位于第二外延层上)，上电极层14的表面形状也为圆环形，形成于欧姆接触层13上。

参见图3，是本申请实施例提供的集成增透膜层的紫外探测器的入射面的另一个结构示意图(俯视图)；如图3所示，其包括增透膜层17(透明、方形)其有源区也为方形(左斜线区域)(可以为采用台面刻蚀形成的方形台面有源区，或者可以为采用离子注入方式形成的方形有源区)，其欧姆接触层13的表面形状为方形阵列(3*3)(欧姆接触层13位于有源区内，位于第二外延层12之上)；上电极层14的表面形状也为方形阵列，形成于欧姆接触层13上，且，上电极层14的方形阵列中的各个方形连通。在本申请实施例中，窗口状或阵列状的形成电接触的上电极层14能够改善紫外传感器的内部电场分布的均匀性，有利于实现更好的雪崩倍增性能。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。