一种新型硅腐蚀工艺的制作方法

本发明涉及硅腐蚀技术领域，具体为一种新型硅腐蚀工艺。

背景技术：

硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。甚至有些人力无法计算出结果的问题，计算机也能很快告诉你答案。

芯片又是现代化的微型“知识库”，它具有神话般的存储能力，在针尖大小的硅片上可以装入一部24卷本的《大英百科全书》。如今世界上的图书、杂志已多达3000多万种，而且每年都要增加50多万种，可谓浩如烟海。德国未来学家拜因豪尔指出：“今天的科学家，即使整日整夜地工作，也只能阅读本专业全部出版物的5％。”出路何在呢？唯一的办法就是由各个图书情报资料中心负责把各种情报存入硅片存储器，并用通信线路将其连接成网。这样，科技人员要查找某种资料和数据时，只要坐在办公室里操作计算机键盘，立即就会在计算机的荧光屏上显示出所要查询的内容。

微电子芯片进入医学领域，使古老的医学青春焕发，为人类的医疗保健事业不断创造辉煌。

微电子芯片的“魔力”还在于，它可以使盲人复明，聋人复聪，哑人说话和假肢能动，使全世界数以千万计的残疾者得到光明和希望。

微电子技术在航空航天、国防和工业自动化中的无比威力更是众所皆知的事实。在大型电子计算机的控制下，无人飞机可以自由地在蓝天飞翔；人造卫星、宇宙飞船、航天飞机可以准确升空、飞行、定位，并自动向地面发回各种信息。在电子计算机的指挥下，火炮、导弹可以弹无虚发，准确击中目标，甚至可以准确击中空中快速移动目标，包括敌方正在飞行中的导弹。工业中广泛使用计算机和各种传感技术，可以节省人力，提高自动化程度及加工精度，大大提高劳动生产效率。机器人已在许多工业领域中出现。它们不仅任劳任怨，而且工作速度快、精确度高，甚至在一些高温、水下及危险工段工种中也能冲锋陷阵，一往无前，智能机器人也开始显示出不凡的身手。有效的组织配合和强烈的射门意识都令人拍手叫绝。战胜了世界头号特级国际象棋大师。它的精彩表演表明，智能计算机已发展到了一个崭新的阶段。

本公司产品主要为台面tvs产品，打开p/n结使用的是硅腐蚀工艺，由于产品关键尺寸在设计，在进行硅腐蚀时腐蚀深度达到1.5-3mil，需要控制硅片中间和边缘在腐蚀深度差异小于0.2mil，同时侧向腐蚀小于1.2mil，当前实际在硅片中间和边缘差异达到0.5mil，侧向腐蚀达到1.5-2.0mil。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种新型硅腐蚀工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：

a、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；

b、将装有硅片的硅片架采用支架固定；

c、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；

d、对硅片进行蚀刻；

e、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。

优选的，所述根据步骤a在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。

优选的，所述根据步骤b硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。

优选的，所述根据步骤c蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃。

优选的，所述根据步骤d将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm。

优选的，所述根据步骤a将蚀刻完成的硅片放置在水槽中清洗，清洗完成后放入甩干机中脱水甩干。。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

(1)蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，有效接减少侧向腐蚀；

(2)将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.2mil，能满足工艺需求；

(3)该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明硅片时刻流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1,本发明提供一种技术方案：一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：

a、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；

b、将硅片架采用支架固定；

c、调整好蚀刻用酸的浓度以及浓度；

d、对硅片进行蚀刻；

e、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。

在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。

硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。

蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.0mil左右。

将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.2mil，能满足当前的工艺需求。

实施例1，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：

a、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；

b、将硅片架采用支架固定；

c、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；

d、对硅片进行蚀刻；

e、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。

准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。

硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。

蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.0mil左右。

将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.2mil，能满足当前的工艺需求。

实施例2，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：

a、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；

b、将硅片采用支架固定；

c、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；

d、对硅片进行蚀刻；

e、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。

准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。

硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。

蚀刻用的硅腐蚀液温度为1℃，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.2mil左右。

将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.3mil。

实施例3，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：

a、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；

b、将硅片采用支架固定；

c、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；

d、对硅片进行蚀刻；

e、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。

准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。

硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。

蚀刻用的硅腐蚀液温度为2℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.3mil左右。

将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.3mil。

实施例4，一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：

a、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；

b、将硅片架采用支架固定；

c、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；

d、对硅片进行蚀刻；

e、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干。

准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸，在蚀刻槽中注入二分之一至三分之二的硅腐蚀液。

硅片架固定支架采用凹字型的固定支架，固定支架的顶部设有圆柱形挡条保证支架旋转过程中的硅片稳定。

蚀刻用的硅腐蚀液温度为3℃，此调整直接减少侧向腐蚀，腐蚀深度3mil时侧向腐蚀控制在1.4mil左右。

将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.4mil，能满足当前的工艺需求。

经过调整蚀刻的温度发现，当蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.2mil，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。

将蚀刻完成的硅片放置在水槽中清洗，清洗完成后放入甩干机中脱水甩干。

该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。

本发明的有益效果是：

(1)蚀刻用的硅腐蚀液温度为0℃，有效接减少侧向腐蚀；

(2)将装在固定支架上的硅片架的一半浸没在蚀刻的酸溶液中，硅片架的另一半暴露在空气中进行旋转腐蚀，旋转转速为50rpm，均匀性能达到0.2mil，能满足工艺需求；

(3)该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。