半导体装置组合件及相关制造方法与流程

文档序号:21401355发布日期:2020-07-07 14:33阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体装置组合件,其包含:

衬底;及

裸片,其耦合到所述衬底,所述裸片包含:

第一接触垫,其电耦合到所述裸片上包含至少一个有源电路元件的第一电路,及

第二接触垫,其电耦合到所述裸片上仅包含无源电路元件的第二电路;

其中所述衬底包含电耦合到所述第一接触垫的衬底触点,且

其中所述衬底与所述第二接触垫电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一电路是驱动器电路。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第二电路包含一或多个电容器以提供静电放电esd保护。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述衬底触点通过焊料球电耦合到所述第一接触垫。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一接触垫面向所述衬底。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中:

所述裸片进一步包含电耦合到所述裸片上仅包含无源电路元件的第三电路的第三接触垫,且

所述衬底触点电耦合到所述第三接触垫。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件,其中所述第三电路包含一或多个电容器以提供静电放电esd保护。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述裸片是nand存储器裸片。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述半导体装置组合件不包含除所述裸片之外的半导体裸片。

10.一种半导体装置组合件,其包含:

衬底;及

裸片,其耦合到所述衬底,所述裸片包含:

第一接触垫,其电耦合到所述裸片上包含至少一个有源电路元件的第一电路,

第二接触垫,其电耦合到所述裸片上仅包含无源电路元件的第二电路,及

第三接触垫,其电耦合到所述裸片上仅包含无源电路元件的第三电路;

其中所述衬底包含通过第一焊料球电耦合到所述第一接触垫且通过第二焊料球电耦合到所述第二接触垫的衬底触点。

11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述衬底与所述第三接触垫电隔离。

12.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述衬底通过第三焊料球电耦合到所述第三接触垫。

13.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述第一电路是驱动器电路。

14.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述第二电路包含一或多个电容器以提供静电放电esd保护。

15.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述第三电路包含一或多个电容器以提供静电放电esd保护。

16.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述第一接触垫面向所述衬底。

17.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述裸片是nand存储器裸片。

18.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述半导体装置组合件不包含除所述裸片之外的半导体裸片。

19.一种制造半导体装置组合件的方法,其包含:

提供包含衬底触点的衬底;

通过第一焊料球将半导体裸片的第一接触垫电耦合到所述衬底触点,其中所述第一接触垫电耦合到所述半导体裸片上包含至少一个有源电路元件的第一电路,及

通过第二焊料球将所述半导体裸片的第二接触垫电耦合到所述衬底触点,其中所述第二接触垫电耦合到所述半导体裸片上仅包含无源电路元件的第二电路。

20.根据权利要求19所述的方法,其中所述第一电路是驱动器电路。

21.根据权利要求19所述的方法,其中所述第二电路包含一或多个电容器以提供静电放电esd保护。


技术总结
本申请案涉及半导体装置组合件及相关制造方法。一种半导体装置组合件包含衬底及耦合到所述衬底的裸片。所述裸片包含电耦合到所述裸片上包含至少一个有源电路元件的第一电路的第一接触垫及电耦合到所述裸片上仅包含无源电路元件的第二电路的第二接触垫。所述衬底包含电耦合到所述第一接触垫的衬底触点,且所述衬底与所述第二接触垫电隔离。

技术研发人员:K·G·杜斯曼;J·E·戴维斯;W·L·博耶;J·P·莱特
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2019.10.15
技术公布日:2020.07.07
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