显示装置及用于制造显示装置的方法与流程

本申请要求于2018年11月15日提交的第10-2018-0140929号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请为了所有的目的通过引用包含于此，如同在此阐述的一样。

本发明的示例性实施例涉及一种具有改善的可靠性和制造良率的显示装置以及一种用于制造该显示装置的方法。

背景技术：

显示装置可以包括电连接到电极的发光元件，并且可以根据施加到电极的电压来发光。发光元件可以直接形成在电极上，或与电极分离地形成的发光元件可以连接到电极。当发光元件单独地形成并且然后连接到电极时，需要用于在电极上对准发光元件的工艺。当发光元件未在电极上适当地对准时，发光元件不会发光。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。

技术实现要素：

本发明的示例性实施例提供了一种具有改善的可靠性和制造良率的显示装置以及一种用于制造所述显示装置的方法。

发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地通过该描述而明显，或可以通过发明构思的实践来获知。

发明构思的示例性实施例提供一种显示装置，显示装置包括像素电路、绝缘层、蚀刻阻止层、第一引导层、第二引导层、第一电极、第二电极和发光元件。

绝缘层可以覆盖像素电路，并且蚀刻阻止层可以设置在绝缘层上。

第一引导层可以设置在蚀刻阻止层上。第二引导层可以设置在蚀刻阻止层上并且与第一引导层间隔开。

第一电极可以设置在第一引导层上并且电连接到像素电路。第二电极可以设置在第二引导层上并且与第一电极绝缘。

发光元件可以与蚀刻阻止层的顶表面接触，在平面上设置在第一引导层与第二引导层之间，并且电连接到第一电极和第二电极。

构成蚀刻阻止层的材料和形成第一引导层和第二引导层中的每个的材料可以具有1:n的蚀刻选择比，并且n可以是2或更大。

蚀刻阻止层可以包括氧化硅，第一引导层和第二引导层可以包括氮化硅。

在平面上，第一引导层可以被第一电极覆盖，第二引导层可以被第二电极覆盖。

在平面上，第一电极的外边缘可以具有与第一引导层的外边缘的形状基本相同或相似的形状。在平面上，第二电极的外边缘可以具有与第二引导层的外边缘的形状基本相同或相似的形状。

显示装置还可以包括第一壁和第二壁。在实施例中，第一壁可以设置在第一引导层与第一电极之间。第二壁可以设置在第二引导层与第二电极之间。

第一电极和第二电极可以分别在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。第一壁可以在第二方向上具有比第一引导层的宽度小的宽度。第二壁可以在第二方向上具有比第二引导层的宽度小的宽度。

第一电极和第二电极可以分别在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。发光元件的长度可以小于第一电极与第二电极之间的在第二方向上的距离。

第一引导层和第二引导层中的每个的厚度可以等于或小于发光元件的厚度。

发明构思的另一示例性实施例提供了一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：在基体层上形成像素电路；形成覆盖像素电路的绝缘层；在绝缘层上形成蚀刻阻止层；在蚀刻阻止层上形成引导绝缘层；通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模的蚀刻工艺在引导绝缘层上形成彼此间隔开的第一电极和

第二电极；通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻引导绝缘层来形成第一引导层和第二引导层；在第一引导层与第二引导层之间设置发光元件；以及使发光元件对准。

形成第一电极和第二电极的步骤可以包括：在引导绝缘层上形成彼此间隔开的第一反射电极和第二反射电极；在第一反射电极和第二反射电极上形成盖层；在盖层上形成光致抗蚀剂图案；以及通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模使盖层图案化来形成覆盖第一反射电极的第一盖电极和覆盖第二反射电极的第二盖电极。

构成蚀刻阻止层的材料和构成引导绝缘层的材料可以具有1:n的蚀刻选择比，其中，n可以是2或更大。

蚀刻阻止层可以包括氧化硅，并且引导绝缘层可以包括氮化硅。

可以通过湿法蚀刻工艺形成第一电极和第二电极，可以通过干法蚀刻工艺形成第一引导层和第二引导层。

在形成第一引导层和第二引导层的步骤中，蚀刻阻止层可以不被蚀刻。

所述方法还可以包括在形成引导绝缘层之后，在引导绝缘层上形成彼此间隔开的第一壁和第二壁。

第一电极和第二电极可以分别在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。第一壁可以在第二方向上具有比第一引导层的宽度小的宽度。第二壁可以在第二方向上具有比第二引导层的宽度小的宽度。

发明构思的另一示例性实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括像素电路、覆盖像素电路的绝缘层、设置在绝缘层上的第一引导层、设置在绝缘层上并与第一引导层间隔开的第二引导层、设置在第一引导层上并且电连接到像素电路的第一电极、设置在第二引导层上并且与第一电极绝缘的第二电极以及电连接到第一电极和第二电极的发光元件。

第一电极和第二电极可以分别在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开。发光元件可以设置在第二方向上彼此面对的第一电极的端部与第二电极的端部之间。

在平面上，发光元件可以不与第一电极的端部和第二电极的端部叠置。

显示装置还可以包括设置在绝缘层与第一引导层之间和在绝缘层与第二引导层之间的蚀刻阻止层。发光元件可以与蚀刻阻止层的顶表面接触。

在平面上，第一电极的外边缘可以具有与第一引导层的外边缘的形状基本相同或相似的形状。

在平面上，第二电极的外边缘可以具有与第二引导层的外边缘的形状基本相同或相似的形状。

第一引导层和第二引导层中的每个的厚度可以等于或小于发光元件的厚度。

将理解的是，前面的一般性描述和下面的详细的描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步说明。

附图说明

包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且被并入该说明书中并构成该说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思的原理。

图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。

图2是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的框图。

图3是根据发明构思的示例性实施例的像素的等效电路图。

图4a是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

图4b是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

图4c是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

图4d是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

图5是根据发明构思的示例性实施例的显示面板的剖视图。

图6是示出根据发明构思的示例性实施例的显示面板的局部构造的平面图。

图7a、图7b、图7c、图7d、图7e、图7f和图7g是顺序地示出根据发明构思的示例性实施例的制造显示装置的步骤的剖视图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体的细节以便提供对发明的各种示例性实施例的透彻理解。如在此使用的，“实施例”是采用在此公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性的示例。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或在具有一个或更多个等效布置的情况下实践。在其它实例中，以框图形式示出公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排它的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。

除非另有说明，否则所示的示例性实施例将理解为提供其中可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或共同地被称为“元件”)可以另外结合、分离、互换和/或重新布置。

通常提供在附图中的交叉影线和/或阴影的使用以阐明相邻元件之间的边界。因此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续地描述的工艺，或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，d1-轴、d2-轴和d3-轴不限于直角坐标系的诸如x-轴、y-轴和z-轴的三个轴，而是可以以更广泛的意义解释。例如，d1-轴、d2-轴和d3-轴可以彼此垂直，或可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“从x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以解释为仅x、仅y、仅z或x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关的所列项目的任何组合和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种类型的元件，但这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。

为了描述的目的，可以在此使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等空间相关的术语，从而来描述如在附图中所示的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语旨在包含除了在附图中描绘的方位之外的设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，如此相应地解释在此使用的空间相对描述语。

在此使用的术语是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在成为限制。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，术语“包括”及其变型和/或“包含”及其变型当在该说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此使用的，术语“基本上”、“大约”和其它相似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。

在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状变化。因此，在此公开的示例性实施例不应该必须被解释为限于区域的特定示出的形状，而是包括例如由制造导致的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此不必旨在成为限制。

除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开为一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地如此定义。

在下文中，将参照附图描述发明构思的示例性实施例。

图1是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。

参照图1，显示装置dd可以通过显示区域da显示图像。在图1中，显示区域da示例性地示出为设置在由第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2限定的表面上。然而，在另一示例性实施例中，显示装置的显示区域可以设置在弯曲表面上。

显示装置dd的厚度方向由第三方向dr3指示。由第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3指示的方向是相对概念，并且可以转换成不同的方向。在本公开中，“当在平面上观看时”可以意味着当从第三方向dr3观看时。另外，“厚度方向”可以意味着第三方向dr3。

在图1中，显示装置dd示例性地示出为电视机。然而，显示装置dd可以用于诸如监视器或外部广告牌的大型电子装置，并且还可以用于诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航系统单元、游戏机、智能电话、平板和照相机的中小型电子装置。应该理解的是，这些仅是示例，并且在不脱离发明构思的情况下，显示装置dd可以用于其它电子装置中。

图2是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的框图。

参照图2，显示装置dd可以包括显示面板dp、信号控制单元tc(或时序控制器)、数据驱动单元ddv和扫描驱动单元gdv。信号控制单元tc、数据驱动单元ddv和扫描驱动单元gdv中的每个可以包括电子电路。

显示面板dp可以是包括微-发光元件的微-发光元件显示面板dp。例如，显示面板dp可以是微-led显示面板dp。

显示面板dp可以包括多条数据线dl1至dlm、多条扫描线sl1至sln和多个像素px。

多条数据线dl1至dlm在第一方向dr1上延伸，并且可以沿着与第一方向dr1交叉的第二方向dr2布置。多条扫描线sl1至sln在第二方向dr2上延伸，并且可以沿着第一方向dr1布置。

像素px中的每个可以包括发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路可以包括多个晶体管。可以向像素px中的每个提供第一电源电压elvdd和第二电源电压elvss。

可以根据预定规则将像素设置在显示面板dp的平面上。像素px中的每个可以显示原色中的一种或原色的混合颜色中的一种。原色可以包括红色、绿色和蓝色，混合颜色可以包括诸如黄色、青色、品红色和白色的各种颜色。然而，由像素px显示的颜色不限于此。

信号控制单元tc接收从外部提供的图像数据rgb。信号控制单元tc转换图像数据rgb以便符合显示面板dp的操作，并且生成转换后的图像数据r'g'b'，然后将转换后的图像数据r'g'b'输出到数据驱动单元ddv。

另外，信号控制单元tc可以接收从外部提供的控制信号cs。控制信号cs的示例可以包括垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号、数据使能信号等。信号控制单元tc将第一控制信号cont1提供给数据驱动单元ddv，并且将第二控制信号cont2提供给扫描驱动单元gdv。第一控制信号cont1是用于控制数据驱动单元ddv的信号，第二控制信号cont2是用于控制扫描驱动单元gdv的信号。

数据驱动单元ddv可以响应于从信号控制单元tc接收的第一控制信号cont1向多条数据线dl1至dlm提供电信号。数据驱动单元ddv可以实现为独立的集成电路并且电连接到显示面板dp的一侧，或可以直接安装在显示面板dp上。另外，数据驱动单元ddv可以实现为单个芯片，或可以包括多个芯片。

扫描驱动单元gdv可以响应于从信号控制单元tc接收的第二控制信号cont2向多条扫描线sl1至sln提供电信号。扫描驱动单元gdv可以集成在显示面板dp的预定区域中。例如，扫描驱动单元gdv可以包括通过像素px的驱动电路的相同工艺(例如，低温多晶硅(ltps)工艺或低温多晶氧化物(ltpo)工艺)形成的多个薄膜晶体管。在发明构思的另一示例性实施例中，扫描驱动单元gdv可以实现为独立的集成电路并且电连接到显示面板dp的一侧。

当栅极导通电压被施加到多条扫描线sl1至sln中的一条扫描线时，与所述一条扫描线连接的一行中的像素中的每个像素的开关晶体管导通。此时，数据驱动单元ddv向数据线dl1至dlm提供数据驱动信号。提供给数据线dl1至dlm的数据驱动信号通过导通的开关晶体管施加到对应的像素。数据驱动信号可以是对应于图像数据rgb的灰度值的模拟电压。

图3是根据发明构思的示例性实施例的像素的等效电路图。图3示出图2中所示的多个像素px之中的一个像素px(在下文中，被称为像素)的等效电路图。

参照图3，像素px可以电连接到多条信号线。在本示例性实施例中，在信号线之中，示例性地示出扫描线sl、数据线dl、第一电源线pl1和第二电源线pl2。然而，这仅是示例性的，并且根据发明构思的像素px可以另外连接到各种信号线，并且不限于任何具体的示例性实施例。

像素px可以包括发光元件ed、第一电极e1、第二电极e2和像素电路pxc。像素电路pxc可以包括第一薄膜晶体管tr1、电容器cap和第二薄膜晶体管tr2。然而，这仅是示例，并且包括在像素电路pxc中的薄膜晶体管的数量和电容器的数量不限于图3中所示的数量。例如，在发明构思的另一示例性实施例中，像素电路pxc可以包括7个薄膜晶体管和一个电容器。

第一薄膜晶体管tr1可以是用于控制像素px的导通/截止的开关晶体管。第一薄膜晶体管tr1可以响应于通过扫描线sl传输的扫描信号来传输或阻止通过数据线dl传输的数据信号。

电容器cap连接到第一薄膜晶体管tr1和第一电源线pl1。电容器cap充入对应于从第一薄膜晶体管tr1传输的数据信号与施加到第一电源线pl1的第一电源电压elvdd之间的差的电荷量。

第二薄膜晶体管tr2连接到第一薄膜晶体管tr1、电容器cap和发光元件ed。第二薄膜晶体管tr2根据存储在电容器cap中的电荷量控制在发光元件ed中流动的驱动电流。第二薄膜晶体管tr2的导通时间可以根据充入电容器cap中的电荷量来确定。

第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2可以是n-型薄膜晶体管或p-型薄膜晶体管。另外，在发明构思的另一示例性实施例中，第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2中的至少一个可以是n-型薄膜晶体管，并且第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2中的另一个可以是p-型薄膜晶体管。

发光元件ed连接到第二薄膜晶体管tr2和第二电源线pl2。例如，发光元件ed可以连接到电连接到第二薄膜晶体管tr2的第一电极e1和连接到第二电源线pl2的第二电极e2。第一电极e1电连接到像素电路pxc，并且第二电极e2可以通过第二电源线pl2接收电源电压，例如，第二电源电压elvss。

发光元件ed以与通过第二薄膜晶体管tr2传输的信号和通过第二电源线pl2接收的第二电源电压elvss之间的差对应的电压发光。

发光元件ed可以是微-led元件。微-led元件可以是具有几纳米至几百微米的长度的led元件。然而，微-led元件的长度仅是示例性的，并且微-led元件的长度不限于上述数值范围。

在图3中，示例性地示出一个发光元件ed被连接在第二薄膜晶体管tr2与第二电源线pl2之间。然而，发光元件ed可以设置为多个。多个发光元件ed可以彼此并联连接。

图4a是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

发光元件ed可以具有诸如圆柱形状或多边柱形状的各种形状。图4a示出发光元件ed的剖面。

参照图4a，发光元件ed可以包括n-型半导体层scn、p-型半导体层scp和活性层al。活性层al可以设置在n-型半导体层scn与p-型半导体层scp之间。

n-型半导体层scn可以通过用n-型掺杂剂掺杂半导体层来设置，p-型半导体层scp可以通过用p-型掺杂剂掺杂半导体层来设置。半导体层scn和scp可以包含半导体材料，并且半导体材料可以是gan、aln、algan、ingan、inn、inalgan和alinn中的任何一种，但不限于此。n-型掺杂剂可以是硅(si)、锗(ge)、锡(sn)、硒(se)、碲(te)和它们的组合中的任何一种，但不限于此。p-型掺杂剂可以是镁(mg)、锌(zn)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)和它们的组合中的任何一种，但不限于此。

活性层al可以形成为单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。活性层al可以是其中通过n-型半导体层scn注入的电子和通过p-型半导体层scp注入的空穴复合的区域。活性层al是发射具有由材料特定能带确定的能量的光的层。活性层al的位置可以根据二极管的类型而变化。

n-型半导体层scn连接到第一电极e1(见图5)和第二电极e2(见图5)中的任何一个，p-型半导体层scp连接到第一电极e1和第二电极e2中的另一个。

发光元件ed的长度lt可以是几纳米至几百微米，例如可以是1微米至100微米。

图4b是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

参照图4b，当与图4a的发光元件ed相比时，发光元件eda还可以包括第一电极层ecl1和第二电极层ecl2。

第一电极层ecl1可以与n-型半导体层scn相邻，第二电极层ecl2可以与p-型半导体层scp相邻。例如，第一电极层ecl1、n-型半导体层scn、活性层al、p-型半导体层scp和第二电极层ecl2可以顺序地层叠。

第一电极层ecl1和第二电极层ecl2中的每个可以由金属或金属的合金形成。例如，第一电极层ecl1和第二电极层ecl2中的每个可以由选自钼(mo)、铬(cr)、镍(ni)、金(au)、铝(al)、钛(ti)、铂(pt)、钒(v)、钨(w)、铅(pd)、铜(cu)、铑(rh)和铱(ir)中的任何一种金属或它们的合金形成。第一电极层ecl1和第二电极层ecl2可以包括相同的材料，或可以包括彼此材料不同的材料。

图4c是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

参照图4c，当与图4a的发光元件ed相比时，发光元件edb还可以包括绝缘膜il。例如，发光元件edb可以具有核-壳结构。

绝缘膜il覆盖n-型半导体层scn、p-型半导体层scp和活性层al，并且可以保护n-型半导体层scn、p-型半导体层scp、活性层al的外表面。在发明构思的另一示例性实施例中，绝缘膜il可以仅覆盖活性层al。

图4d是根据发明构思的示例性实施例的发光元件的剖视图。

参照图4d，当与图4b的发光元件eda相比时，发光元件edc还可以包括绝缘膜ila。

绝缘膜ila覆盖n-型半导体层scn、p-型半导体层scp和活性层al，并且可以不覆盖第一电极层ecl1和第二电极层ecl2。然而，在发明构思的另一示例性实施例中，绝缘膜ila可以覆盖第一电极层ecl1和第二电极层ecl2的至少一部分，或者可以完全地覆盖第一电极层ecl1和第二电极层ecl2。

图5是根据发明构思的示例性实施例的显示面板的剖视图，图6是根据发明构思的示例性实施例的显示面板的局部构造的平面图。为了便于描述，图5和图6示出对应于一个像素的区域，并且未示出一些构造。

参照图5和图6，第一基体层bl1和第二基体层bl2可以彼此面对。第一基体层bl1和第二基体层bl2中的每个可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的层叠结构。

缓冲层bfl可以设置在第一基体层bl1上。第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2可以设置在缓冲层bfl上。

第一薄膜晶体管tr1可以包括第一控制电极ce1、第一输入电极ie1、第一输出电极oe1和第一半导体图案sp1。第二薄膜晶体管tr2可以包括第二控制电极ce2、第二输入电极ie2、第二输出电极oe2和第二半导体图案sp2。

第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2可以设置在缓冲层bfl上。缓冲层bfl可以为第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2提供改性表面。在这种情况下，与直接形成在第一基体层bl1上时相比，第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2可以对缓冲层bfl具有较大的粘合力。可选择地，缓冲层bfl可以是用于保护第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2中的每个的底表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层bfl可以阻挡通过第一基体层bl1引入的污染物或湿气渗透到第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2中。

第一绝缘层l1设置在缓冲层bfl上，并且可以覆盖第一半导体图案sp1和第二半导体图案sp2。第一绝缘层l1可以包括无机材料。无机材料可以是例如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的任何一种，但不限于此。

第一控制电极ce1和第二控制电极ce2可以设置在第一绝缘层l1上。第二绝缘层l2设置在第一绝缘层l1上，并且可以覆盖第一控制电极ce1和第二控制电极ce2。第二绝缘层l2可以包括无机材料。

电容器cap(见图3)可以包括第一电容电极(未示出)和第二电容电极cpa。例如，第一电容电极可以从第二控制电极ce2分支，并且第二电容电极cpa可以设置在第二绝缘层l2上。

第三绝缘层l3设置在第二绝缘层l2上，并且覆盖第二电容电极cpa。第一输入电极ie1、第一输出电极oe1、第二输入电极ie2和第二输出电极oe2可以设置在第三绝缘层l3上。第一输入电极ie1和第一输出电极oe1可以通过穿过第一绝缘层l1、第二绝缘层l2和第三绝缘层l3的通孔连接到第一半导体图案sp1。第二输入电极ie2和第二输出电极oe2可以通过穿过第一绝缘层l1、第二绝缘层l2和第三绝缘层l3的通孔连接到第二半导体图案sp2。不仅第一输入电极ie1、第一输出电极oe1、第二输入电极ie2和第二输出电极oe2，而且信号线(例如扫描线或数据线中的每条的至少一部分)可以设置在第三绝缘层l3上。

第四绝缘层l4设置在第三绝缘层l3上，并且可以覆盖第一输入电极ie1、第一输出电极oe1、第二输入电极ie2和第二输出电极oe2。第四绝缘层l4可以由单层或多层组成，并且第四绝缘层l4可以包括有机材料和/或无机材料。

连接电极cne可以设置在第四绝缘层l4上。不仅连接电极cne，而且信号线(例如，扫描线或数据线中的每条的至少另一部分)可以设置在第四绝缘层l4上。连接电极cne可以连接到第二输出电极oe2。

第五绝缘层l5设置在第四绝缘层l4上，并且可以覆盖连接电极cne。第五绝缘层l5可以包括无机材料。第五绝缘层l5覆盖设置在其下方的像素电路pxc(见图3)，并且可以提供平坦表面。

蚀刻阻止层es设置在第五绝缘层l5上。除了其中形成有接触孔的区域之外，蚀刻阻止层es可以设置在其上形成第五绝缘层l5的整个第一基体层bl1上。

蚀刻阻止层es可以为设置在其上方的发光元件ed提供平坦表面。蚀刻阻止层es可以包括各种绝缘材料，并且在发明构思的示例性实施例中，可以包括氧化硅。

引导层gc可以设置在蚀刻阻止层es上。引导层gc可以包括第一引导层gc1和第二引导层gc2。第一引导层gc1和第二引导层gc2中的每个可以在第一方向dr1上延伸。第一引导层gc1和第二引导层gc2可以在第二方向dr2上彼此间隔开。

座槽rv可以限定在第一引导层gc1与第二引导层gc2之间。

第一引导层gc1和第二引导层gc2可以包括相同的材料。第一引导层gc1和第二引导层gc2可以包括各种绝缘材料，并且在发明构思的示例性实施例中，可以包括氮化硅。

在发明构思的示例性实施例中，形成第一引导层gc1和第二引导层gc2中的每个的材料的蚀刻速率比构成蚀刻阻止层es的材料的蚀刻速率快。构成蚀刻阻止层es的材料和形成第一引导层gc1和第二引导层gc2中的每个的材料可以具有1:n的蚀刻选择比。此时，n可以是2或更大。

第一壁br1和第二壁br2设置在引导层gc上。第一壁br1和第二壁br2中的每个可以在第一方向dr1上延伸。第二壁br2可以在第二方向dr2上与第一壁br1间隔开。第一壁br1和第二壁br2可以包括相同的材料。例如，第一壁br1和第二壁br2可以包括有机材料。

第一壁br1可以在第二方向dr2上具有比第一引导层gc1的宽度小的宽度。另外，第二壁br2可以在第二方向dr2上具有比第二引导层gc2的宽度小的宽度。

第一电极e1可以设置在第一引导层gc1和第一壁br1上，第二电极e2可以设置在第二引导层gc2和第二壁br2上。第一电极e1在第一方向dr1上延伸并且可以覆盖第一引导层gc1和第一壁br1，第二电极e2在第一方向dr1上延伸并且可以覆盖第二引导层gc2和第二壁br2。蚀刻阻止层es、第一引导层gc1和第一壁br1可以设置在第一电极e1与第五绝缘层l5之间，并且蚀刻阻止层es、第二引导层gc2和第二壁br2可以设置在第二电极e2与第五绝缘层l5之间。

蚀刻阻止层es、第一引导层gc1和第五绝缘层l5设置有通孔，并且可以通过通孔，暴露连接电极cne。第一电极e1可以电连接到暴露的连接电极cne。尽管未示出，但第二电极e2可以电连接到第二电源线pl2(见图3)。即，第二电极e2可以被提供有第二电源电压elvss(见图3)。

第一电极e1可以包括第一反射电极rfe1和第一盖电极cpe1，第二电极e2可以包括第二反射电极rfe2和第二盖电极cpe2。

第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2中的每个可以包括反射材料。第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2中的每个可以具有单层结构或多层层叠结构。例如，第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2中的每个可以具有其中氧化铟锡(ito)、银(ag)和氧化铟锡(ito)顺序层叠的结构。

第一盖电极cpe1可以覆盖第一反射电极rfe1，第二盖电极cpe2可以覆盖第二反射电极rfe2。例如，第一盖电极cpe1和第二盖电极cpe2中的每个可以包括氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化铟镓(igo)、氧化铟镓锌(igzo)和它们的混合物中的至少一种。

在平面上，第一盖电极cpe1可以覆盖第一引导层gc1，第二盖电极cpe2可以覆盖第二引导层gc2。第一盖电极cpe1和第一引导层gc1可以使用相同的光敏图案形成，第二盖电极cpe2和第二引导层gc2可以使用相同的光敏图案形成。在平面上，第一盖电极cpe1的外边缘和第一引导层gc1的外边缘可以基本相同。此时，“基本相同”意味着外边缘的形状近似相同，并且包括其中由于蚀刻工艺中的工艺误差而部分改变外边缘的边界的情况。

然而，发明构思不限于此。当构成第一盖电极cpe1的材料和构成第一引导层gc1的材料彼此不同时，第一盖电极cpe1和第一引导层gc1的蚀刻程度可以不同，并且在平面上，第一盖电极cpe1的外边缘和第一引导层gc1的外边缘可以具有拥有预定余量的几何相似形状。以相同的方式，第二盖电极cpe2的外边缘和第二引导层gc2的外边缘可以基本相同或具有拥有预定余量的几何相似的形状。

发光元件ed可以设置在蚀刻阻止层es上。发光元件ed可以与蚀刻阻止层es的顶表面接触。可以设置多个发光元件ed，并且多个发光元件ed可以彼此并联连接。

发光元件ed可以设置在限定在第一引导层gc1与第二引导层gc2之间的座槽rv中。因此，发光元件ed可以稳定地设置在第一电极e1与第二电极e2之间的区域中。因此，可以增加发光元件ed有效对准的可能性，因此可以改善产品良率和产品可靠性。

另外，由于发光元件ed通过施加在座槽rv中的电场而对准，所以发光元件ed不会设置在座槽rv外部。因此，可以预先防止在除了第一电极e1与第二电极e2之间的区域之外的非预期区域中布线因发光元件ed而短路的问题。

发光元件ed可以在第二方向dr2上设置在第一电极e1与第二电极e2之间。即，当从第三方向dr3观看时，发光元件ed可以不与第一电极e1和第二电极e2叠置。换言之，发光元件ed的长度w2可以小于第一电极e1与第二电极e2之间的在第二方向dr2上的距离w1。

第一引导层gc1和第二引导层gc2中的每个的厚度h1可以等于或小于发光元件ed的厚度h2。第一引导层gc1和第二引导层gc2中的每个的厚度可以是1.5μm或更少。

因此，发光元件ed可以在第二方向dr2上设置在彼此面对的第一电极e1的端部eg1与第二电极e2的端部eg2之间。此外，发光元件ed可以在第二方向dr2上与第一电极e1的端部eg1和第二电极e2的端部eg2叠置。此外，当从第三方向dr3观看时，发光元件ed可以不与第一电极e1的端部eg1和第二电极e2的端部eg2叠置。

第六绝缘层l6(或绝缘图案)可以设置在发光元件ed上。第六绝缘层l6可以覆盖发光元件ed的顶表面的至少一部分。

发光元件ed可以通过第一连接电极cne1电连接到第一电极e1，并且可以通过第二连接电极cne2电连接到第二电极e2。

第二连接电极cne2可以设置在发光元件ed和第二电极e2上。第七绝缘层l7可以设置在第二连接电极cne2上。第一连接电极cne1可以设置在发光元件ed和第一电极e1上。即使当发光元件ed的长度为几百微米或更少时，由于第七绝缘层l7，第二连接电极cne2和第一连接电极cne1也不会彼此直接接触。然而，这仅是发明构思的示例。在发明构思的另一示例性实施例中，第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以通过相同的工艺同时形成。在该示例性实施例中，可以省略第七绝缘层l7。

第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以包括导电材料。例如，导电材料可以包括氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化铟镓(igo)、氧化铟镓锌(igzo)和它们的混合物中的至少一种。然而，发明构思不限于此。例如，导电材料可以是金属材料，并且金属材料可以包括例如钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。

第八绝缘层l8可以设置在第一连接电极cne1和第七绝缘层l7上。第八绝缘层l8可以是封装层。

光阻挡层bm可以设置在第二基体层bl2的面对第一基体层bl1的一个表面上。光阻挡层bm设置有开口，并且波长转换单元cl可以覆盖开口。由开口暴露的区域可以对应于像素发光区域pxa。

波长转换单元cl可以包括发光主体。例如，发光主体吸收从发光元件ed提供的第一光，并且转换第一光的波长以发射与第一光的颜色不同的颜色的第二光。发光主体可以是例如量子点。第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光或红光。然而，这仅是示例性的，并且发明构思不限于此。另外，在发明构思的另一示例性实施例中，波长转换单元cl可以用滤色器代替。滤色器可以吸收特定波长的光以实现颜色。在发明构思的又一示例性实施例中，可以省略波长转换单元cl。在这种情况下，发光元件ed可以发射蓝光、绿光或红光。

第九绝缘层l9可以设置在波长转换单元cl与第八绝缘层l8之间。例如，通过第九绝缘层l9，可以结合其上设置像素电路pxc(见图3)和发光元件ed的第一基体层bl1和其上设置波长转换单元cl和光阻挡层bm的第二基体层bl2。例如，第九绝缘层l9可以是光学透明粘合膜、光学透明树脂或压敏粘合膜。然而，这仅是示例，并且在发明构思的另一示例性实施例中，可以省略第九绝缘层l9。

图7a至图7g是顺序地示出根据发明构思的示例性实施例的制造显示装置的步骤的剖视图。在下文中，参照图7a至图7g，将描述根据发明构思的实施例的用于制造显示装置的方法。

参照图7a，准备第一基体层bl1。尽管未单独示出，但在制造工艺中，可以在工作基底(未示出)上设置第一基体层bl1。在制造显示面板之后，可以去除工作基底。

在第一基体层bl1上形成包括第一薄膜晶体管tr1和第二薄膜晶体管tr2的像素电路pxc(见图3)。形成覆盖像素电路pxc的第五绝缘层l5。第五绝缘层l5可以包括无机材料。第五绝缘层l5可以提供平坦表面。

在第五绝缘层l5上形成蚀刻阻止层es。此后，在蚀刻阻止层es上形成引导绝缘层gcl。

构成引导绝缘层gcl的材料的蚀刻速率比构成蚀刻阻止层es的材料的蚀刻速率快。构成蚀刻阻止层es的材料和构成引导绝缘层gcl的材料可以具有1:n的蚀刻选择比。此时，n可以是2或更大。

在发明构思的示例性实施例中，蚀刻阻止层es可以由氧化硅形成，引导绝缘层gcl可以由氮化硅形成。

此后，在引导绝缘层gcl上形成第一壁br1和第二壁br2。可以通过在引导绝缘层gcl上形成绝缘材料然后使绝缘材料图案化来形成第一壁br1和第二壁br2。

此后，参照图7b，在引导绝缘层gcl、第一壁br1和第二壁br2上形成第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2。可以通过在引导绝缘层gcl、第一壁br1和第二壁br2上沉积导电材料，然后图案化来形成第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2。第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2中的每个可以具有其中氧化铟锡(ito)、银(ag)和氧化铟锡(ito)顺序层叠的结构。

此后，参照图7c，在第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2上形成盖层cfl。可以在其上形成有第一反射电极rfe1和第二反射电极rfe2的整个引导绝缘层gcl上形成盖层cfl。盖层cfl可以包括氧化铟锌(izo)、氧化铟锡(ito)、氧化铟镓(igo)、氧化铟镓锌(igzo)和它们的混合物中的至少一种。

此后，在盖层cfl上形成光致抗蚀剂图案prt。光致抗蚀剂图案prt可以形成为与其中将要形成有稍后将描述的第一盖电极cpe1和第二盖电极cpe2的区域叠置。可以通过将光致抗蚀剂材料施加到盖层cfl上然后图案化来形成光致抗蚀剂图案prt。

此后，参照图7d，使用光致抗蚀剂图案prt作为掩模，使盖层cfl图案化以形成第一盖电极cpe1和第二盖电极cpe2。此时，可以通过湿法蚀刻工艺使盖层cfl图案化。通过图7d中所示的工艺，可以形成包括第一反射电极rfe1和第一盖电极cpe1的第一电极e1，并且可以形成包括第二反射电极rfe2和第二盖电极cpe2的第二电极e2。

此后，参照图7e，使用光致抗蚀剂图案prt作为掩模，使引导绝缘层gcl图案化以形成第一引导层gc1和第二引导层gc2。此时，可以通过干法蚀刻工艺使引导绝缘层gcl图案化。

由于引导绝缘层gcl和蚀刻阻止层es具有不同的蚀刻选择性，因此可以仅蚀刻引导绝缘层gcl，而不蚀刻蚀刻阻止层es。当形成第一引导层gc1和第二引导层gc2时，座槽rv可以限定在第一引导层gc1与第二引导层gc2之间。

参照图7d和图7e描述的盖层cfl和引导绝缘层gcl都可以使用光致抗蚀剂图案prt作为掩模而被图案化。因此，由于不需要形成两个光致抗蚀剂图案来图案化盖层cfl和引导绝缘层gcl，因此可以简化工艺，并且可以减少制造时间和成本。

此后，可以去除光致抗蚀剂图案prt。

此后，参照图7f，在第一电极e1和第二电极e2上设置诸如包含发光元件ed的油墨或膏的溶剂slt。溶剂slt可以是可以在室温下或通过加热而蒸发的材料。可以在第一引导层gc1与第二引导层gc2之间的座槽rv中设置发光元件ed。

当发光元件ed不设置在第一电极e1与第二电极e2之间，而是设置在除了第一电极e1与第二电极e2之间的区域之外的非预期区域中时，发光元件ed可以用作导体，使得被设计为彼此分开的布线可能短路。根据发明构思的示例性实施例，发光元件ed通过第一引导层gc1与第二引导层gc2设置在座槽rv中，因此可以稳定地设置在第一电极e1与第二电极e2之间的区域中。因此，可以增加发光元件ed有效对准的可能性，因此可以改善产品良率和产品可靠性。另外，可以预先防止在除了第一电极e1与第二电极e2之间的区域之外的非预期区域中布线因发光元件ed而短路的问题。

向第一电极e1和第二电极e2施加电力以在第一电极e1与第二电极e2之间形成电场。通过电场在发光元件ed中感应双极性，并且发光元件ed可以通过电泳力在第一电极e1与第二电极e2之间对准。根据发明构思的示例性实施例，发光元件ed设置在座槽rv中。因此，当与其中发光元件设置在第一电极和第二电极上方的对比示例相比时，根据发明构思的示例性实施例的发光元件ed可以在第二方向dr2上更强烈地受到在第一电极e1与第二电极e2之间形成的电场的影响。因此，根据发明构思的示例性实施例，可以增加在发光元件ed中产生的电泳力，并且可以更促进发光元件ed的对准。因此，可以增加发光元件ed有效对准的可能性，因此可以改善产品良率和产品可靠性。

此后，参照图7g，在发光元件ed上顺序地形成第六绝缘层l6、第一连接电极cne1、第二连接电极cne2、第七绝缘层l7和第八绝缘层l8。从而，可以制造第一基底。

接着，在第二基体层bl2的一个表面上形成光阻挡层bm和波长转换单元cl。从而，可以制造第二基底。

第一基底和第二基底可以使用第九绝缘层l9结合。然而，发明构思的实施例不限于此，并且可以省略第九绝缘层l9和第二基体层bl2，并且可以将光阻挡层bm和波长转换单元cl形成为包括在第一基底中。

根据发明构思的示例性实施例的显示装置，发光元件可以设置在限定在第一引导层与第二引导层之间的座槽中。因此，发光元件可以稳定地设置在第一电极与第二电极之间的区域中。因此，可以增加发光元件有效对准的可能性，因此可以改善产品良率和产品可靠性。

另外，由于发光元件通过施加在座槽中的电场对准，所以发光元件不会设置在座槽外部。因此，可以预先防止在除了第一电极与第二电极之间的区域之外的非预期区域中布线因发光元件而短路的问题。

尽管在此已经描述了某些示例性实施例，但是从该描述中，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求和如对本领域普通技术人员来说明显的各种明显的修改和等同布置的更广泛的范围。