一种具有温度传感器的可控硅散热器的制作方法

本发明涉及散热器技术领域，具体为一种具有温度传感器的可控硅散热器。

背景技术：

可控硅中频电源采用国际先进isp工业模块控制，全数字化运算，硬软件可靠保护，功能更加齐全，适应于金属的熔炼、保温、透热、金属热处理、淬火、烧结等场合。负载由感应线圈和补偿电容器组成，连接成并联谐振电路。可控硅中频电源的基本工作原理，就是通过一个三相桥式整流电路，把50hz的工频交流电流整流成直流，再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波，最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载，所以这种逆变器实际上是一只交流-直流-交流变换器。可控硅静止变频器电路中由变压器将三相工频电源降压后，供给变频器，在变频器内首先经三相桥式半控全波整流后，再经电抗器滤波，获得直流电源，该直流电源经单相桥式逆变器变为频率可变的中频电源，供给感应炉。

传统的可控硅散热器，采用散热器平面中心点位置顶针和可控硅平面的中心的凹坑为定位标置，对准后用拉杆螺栓压紧。在生产过程中由于顶针直径只有1-2mm，高0.5-1mm，压制时易发生中心偏离，造成散热面接触不好，影响散热效果，易损坏可控硅。如果维修需要更换可控硅时，要将部分连接铜排拆却，如散热器顶针磨损，则定位困难极易发生中心偏离，造成可控硅损坏，存在严重不足，而且，不能掌握散热器本身的温度。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种具有温度传感器的可控硅散热器，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种具有温度传感器的可控硅散热器，其特征在于包括圆柱形器体、2个圆柱外把，所述圆柱形器体的表面包括有与可控硅相匹配的内心凹槽，所述内心凹槽的直径与可控硅接触面的外部直径相同，所述内心凹槽在某一方向上的横截面呈圆形，且所述内心凹槽、所述器体在某一方向上的横截面呈2个同心圆；所述内心凹槽圆心处包括有一顶针，所述顶针与可控硅圆心处的凹坑相匹配，所述2个圆柱形外把位于所述器体的外侧表面，所述顶针右侧的内心凹槽表面通过焊锡焊接有负温度系数热敏电阻。

优选的，所述内心凹槽相对所述器体下凹0.4-0.7mm，若下凹距离小于0.4mm则凹槽壁太薄，不易固定可控硅，若凹槽壁太厚，则影响可控硅的散热效果。

优选的，所述顶针的直径为1-2mm，高为0.5-1mm，选用常规顶针即可。

优选的，所述负温度系数热敏电阻用于温度传感器内。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该具有温度传感器的可控硅散热器在对可控硅定位时，通过所述内心凹槽、顶针达到定位的目的。采用中间整体下沉0.4-0.7mm形成与可控硅硅型散热面直径相配合的内心凹槽，由于有所述内心凹槽，所述顶针不易磨损，按装或维修时只要将可控硅放入到所述内心凹槽内即能保证中心定位准确减少校准定位时间，提高了可靠性和工作效率，而且，在散热器上增加了温度传感器，可以清楚知道散热器本身以及散热前后的温度。

附图说明

图1为本发明的主视图。

图中：1、圆柱形器体，2、圆柱外把，3、内心凹槽，4、顶针，5、负温度系数热敏电阻。

本发明中的仪器均可通过市场购买和私人定制获得。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供的一种具有温度传感器的可控硅散热器实施例：一种具有温度传感器的可控硅散热器，包括圆柱形器体1、2个圆柱外把2，所述圆柱形器体1的表面包括有与可控硅相匹配的内心凹槽3，所述内心凹槽3的直径与可控硅接触面的外部直径相同，所述内心凹槽3在某一方向上的横截面呈圆形，且所述内心凹槽3、所述器体1在某一方向上的横截面呈2个同心圆，所述内心凹槽3圆心处包括有一顶针4，所述顶针4与可控硅圆心处的凹坑相匹配，所述2个圆柱形外把2位于所述器体的外侧表面。

所述内心凹槽3相对所述器体1下凹0.4-0.7mm；所述顶针4的直径为1-2mm，高为0.5-1mm，为常用规格；所述负温度系数热敏电阻用于温度传感器内。

使用时，直接将可控硅置于所述可控硅散热器中，通过所述顶针4与所述内心凹槽3达到限位的作用。

以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。