半导体结构的形成方法与流程

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术：

硅单晶(siliconchip)由许多结构紧凑、六角形的单元(cell)组成。单元的数目的多少与硅单晶的尺寸有关。例如：120千分之一英寸平方(milsqt)的硅单晶包含大约5000个单元，240千分之一英寸平方的硅单晶包含大约25000个单元。

相邻单元间通过周边区域(periphery)相分隔，在单元与周边区域之间具有单元过渡区(cellring)。单元过渡区环绕单元，能够起到保护单元的作用。

现有半导体结构的形成方法仍有待改进。

技术实现要素：

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，有助于将第二侧墙刻蚀去除干净，减少所述第二侧墙材料残余，改善产品良率。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区域及第二区域；在所述基底表面形成介质层，所述第一区域的所述介质层内具有第一通孔，所述第二区域的所述介质层内具有第二通孔，所述第一通孔的开口大于所述第二通孔的开口；在同一工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及底部上形成第一氧化层，并在所述第二通孔侧壁及底部上形成第二氧化层；在同一工艺步骤中，刻蚀去除位于所述第一通孔底部的第一氧化层及位于所述第二通孔底部的部分厚度第二氧化层，并刻蚀去除位于所述第一通孔下方的部分厚度所述基底，在所述基底内形成凹槽；在相同工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及所述凹槽侧壁上形成第一侧墙，并在所述第二通孔侧壁上形成第二侧墙；在所述第一通孔及所述凹槽内形成第一字线层；在所述第二通孔内形成第二字线层；去除所述第二区域的所述介质层、所述第二氧化层、所述第二侧墙及所述第二字线层；去除所述第二区域的部分厚度所述基底。

可选的，所述第一通孔的开口宽度与所述第二通孔的开口宽度的比值为1.5～2。

可选的，所述第一通孔的开口宽度为0.32μm，所述第二通孔的开口宽度为0.16μm～0.19μm。

可选的，形成所述第一氧化层及所述第二氧化层的步骤中，覆盖所述第一通孔底部的第一氧化层厚度与覆盖所述第二通孔底部的第二氧化层厚度的比值为0.4～0.6。

可选的，采用各向异性干法刻蚀工艺形成所述凹槽。

可选的，提供所述基底的工艺中，所述基底包括：衬底；位于所述衬底上的第一隔离层；位于所述第一隔离层上的浮栅极层；位于所述浮栅极层上的第一粘结层；位于所述第一粘结层上的第二隔离层；位于所述第二隔离层上的第二粘结层；位于所述第二粘结层上的控制栅极层。

可选的，形成所述凹槽的工艺中，所述凹槽底部露出所述衬底表面。

可选的，所述第一侧墙包括：第一子侧墙，所述第一子侧墙覆盖所述第一氧化层侧壁、所述控制栅极层侧壁、所述第二粘结层侧壁、所述第二隔离层侧壁及所述第一粘结层侧壁；第二子侧墙，所述第二子侧墙覆盖所述第一子侧墙侧壁；第三子侧墙，所述第三子侧墙覆盖所述第二子侧墙侧壁；第四子侧墙，所述第四子侧墙覆盖所述第三子侧墙侧壁、所述浮栅极层侧壁、所述第一隔离层侧壁及所述凹槽底部露出的所述衬底表面。

可选的，所述第二侧墙包括：第五子侧墙，所述第五子侧墙覆盖所述第二氧化层侧壁；第六子侧墙，所述第六子侧墙覆盖所述第五子侧墙侧壁；第七子侧墙，所述第七子侧墙覆盖所述第六子侧墙侧壁；第八子侧墙，所述第八子侧墙覆盖所述第七子侧墙侧壁及位于所述第二通孔底部的第二氧化层。

可选的，去除所述第二区域的部分厚度所述基底的工艺中，去除所述第二区域的所述控制栅极层。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在形成所述介质层的工艺中，所述第一通孔的开口大于所述第二通孔的开口，因而在同一工艺步骤形成所述第一氧化层及所述第二氧化层时，位于所述第一通孔底部的所述第一氧化层厚度小于位于所述第二通孔底部的所述第一氧化层厚度。由于位于所述第一通孔底部的所述第一氧化层厚度小于位于所述第二通孔底部的所述第一氧化层厚度，因此在形成所述凹槽的工艺中，当位于所述第一通孔底部的第一氧化层被全部刻蚀去除且刻蚀去除位于所述第一通孔下方的部分厚度所述基底时，仅刻蚀去除位于所述第二通孔底部的部分厚度第二氧化层，剩余所述第二氧化层仍覆盖所述第二通孔底部。由于剩余所述第二氧化层仍覆盖所述第二通孔底部，因此在形成所述第一侧墙及所述第二侧墙的工艺中，所述第一侧墙覆盖第一通孔侧壁及所述凹槽侧壁，而所述第二侧墙覆盖所述第二通孔侧壁。由于所述第二侧墙覆盖所述第二通孔侧壁，又由于所述第二通孔底部仍有所述第二氧化层覆盖，因此所述第二侧墙底部高于所述基底顶部表面，在去除所述第二区域的所述介质层、所述第二氧化层、所述第二侧墙及所述第二字线层的工艺中，有助于将所述第二侧墙刻蚀去除干净，减少所述第二侧墙材料残余，避免在去除所述第二区域的部分厚度所述基底的工艺中，所述基底与所述第二侧墙材料残余由于具有较大的刻蚀选择比而继续被保留下来，防止所述第二侧墙材料残余影响产品良率。

附图说明

图1至图16是本发明半导体结构形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有半导体结构的性能仍有待提高。

现结合一种半导体结构的形成方法进行分析，形成半导体结构的工艺步骤主要包括：提供基底，所述基底包括第一区域及第二区域；在所述基底表面形成介质层，所述第一区域的所述介质层内具有第一通孔，所述第二区域的所述介质层内具有第二通孔，所述第一通孔的开口与所述第二通孔的开口相同；在同一工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及底部上形成第一氧化层，并在所述第二通孔侧壁及底部上形成第二氧化层；在同一工艺步骤中，刻蚀去除位于所述第一通孔底部的第一氧化层、位于所述第二通孔底部的第二氧化层，并刻蚀去除位于所述第一通孔下方及所述第二通孔下方的部分厚度所述基底，在所述第一通孔下方的所述基底内形成第一凹槽，在所述第二通孔下方的所述基底内形成第二凹槽；在相同工艺步骤中，在所述第一通孔侧壁及所述第一凹槽侧壁上形成第一侧墙，并在所述第二通孔侧壁及所述第二凹槽侧壁上形成第二侧墙；在所述第一通孔及所述第一凹槽内形成第一字线层；在所述第二通孔及所述第二凹槽内形成第二字线层；在所述第二区域去除高于所述基底顶部的所述介质层、所述第二氧化层、所述第二侧墙及所述第二字线层；去除所述第二区域的部分厚度所述基底。

在所述第二区域去除高于所述基底顶部的所述介质层、所述第二氧化层、所述第二侧墙及所述第二字线层之后，剩余所述第二侧墙覆盖所述第二凹槽侧壁。在去除所述第二区域的部分厚度所述基底的工艺中，由于所述基底与所述第二侧墙材料具有较大的刻蚀选择比，因而所述第二侧墙难以被刻蚀去除而被保留下来。保留下来的所述第二侧墙在后续工艺中容易发生剥离，影响产品良率。

发明人对上述半导体结构的形成方法进行了研究，经创造性劳动，发明人注意到，在形成所述介质层的工艺中，所述第一通孔的开口大于所述第二通孔的开口，有助于减少所述第二侧墙材料残余，改善产品良率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1至图16为本发明一实施例提供的半导体结构形成过程的结构示意图。

参考图1至图6，提供基底100，所述基底100包括第一区域ⅰ及第二区域ⅱ。

本实施例中，所述基底100还包括第三区域(图中为示出)，所述第二区域ⅱ位于所述第一区域ⅰ与所述第三区域之间。

本实施例中，所述基底100包括：衬底110；位于所述衬底110上的第一隔离层120；位于所述第一隔离层120上的浮栅极层130；位于所述浮栅极层130上的第一粘结层140；位于所述第一粘结层140上的第二隔离层150；位于所述第二隔离层150上的第二粘结层160；位于所述第二粘结层160上的控制栅极层170。

下面结合参考图1至图6，对形成所述基底100的工艺步骤进行详细的介绍。

参考图1，提供衬底110，所述衬底110包括第一区域ⅰ及第二区域ⅱ。

本实施例中，所述衬底110还包括第三区域，所述第二区域ⅱ位于所述第一区域ⅰ与所述第三区域之间。

本实施例中，所述第一区域ⅰ为单元(cell)，所述第二区域ⅱ为单元过渡区(cellring)，所述第三区域为周边区域(periphery)。

本实施例中，所述第二区域ⅱ与第一区域ⅰ间具有间隙(图中未示出)。在其他实施例中，所述第二区域ⅱ与第一区域ⅰ还可以相邻接。

所述衬底110的材料为硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟，所述衬底110还能够为绝缘体上的硅衬底或者绝缘体上的锗衬底。本实施例中，所述衬底110为硅衬底。

参考图2，在所述衬底110表面形成第一隔离层120。

本实施例中，所述第一隔离层120的材料为氧化硅。在其他实施例中，所述第一隔离层120的材料为氮化硅或氮氧化硅。

后续在所述第一隔离层120上形成浮栅极层，所述第一隔离层120能够起到隔离所述浮栅极层与所述衬底110的作用。

参考图3，在所述第一隔离层120表面形成浮栅极层130。

本实施例中，所述浮栅极层130的材料为多晶硅。

所述浮栅极层130用于存储电子，以支持闪存(flashmemory)的擦写过程。

参考图4，在所述浮栅极层130表面形成第一粘结层140。

本实施例中，形成所述第一粘结层140前，还包括：刻蚀所述第二区域ⅱ的所述浮栅极层130、所述第一隔离层120及所述衬底110，在所述第二区域ⅱ内形成第一隔离槽；形成填充满所述第一隔离槽的第一隔离结构181；对所述第一隔离结构181进行平坦化处理，所述第一隔离结构181顶部与所述第一区域ⅰ的所述浮栅极层130顶部齐平。

本实施例中，形成所述第一粘结层140前，还包括：刻蚀所述第三区域的所述浮栅极层、所述第一隔离层及所述衬底110，在所述第三区域内形成第二隔离槽；形成填充满所述第二隔离槽的第二隔离结构(图中未示出)。

本实施例中，所述第一粘结层140覆盖所述第一区域ⅰ的所述浮栅极层130表面、所述第二区域ⅱ的所述浮栅极层130表面、所述第一隔离结构181表面、所述第二隔离结构表面及所述第三区域的所述浮栅极层表面。

本实施例中，所述第一粘结层140的材料为氧化硅。

后续在所述第一粘结层140上形成第二隔离层，所述第一粘结层140能够提高所述第二隔离层与所述浮栅极层130表面间的粘附性。

参考图5，在所述第一粘结层140表面形成第二隔离层150。

后续在第二隔离层150上形成控制栅极层，所述第二隔离层150能够起到进一步隔离控制栅极层与浮栅极层130的作用，防止控制栅极层与浮栅极层130间电连接。

本实施例中，所述第二隔离层150的材料为氮化硅。在其他实施例中，所述第二隔离层150的材料为碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

参考图6，在所述第二隔离层150上形成控制栅极层170。

本实施例中，形成所述控制栅极层170前，还包括：在所述第二隔离层150表面形成第二粘结层160，所述控制栅极层170覆盖所述第二粘结层160表面。

所述第二粘结层160能够提高所述控制栅极层170与所述第二隔离层150表面间的结合性能，降低所述控制栅极层170与所述第二隔离层150间出现空隙的风险。

本实施例中，所述第二粘结层160的材料为氧化硅。

本实施例中，所述控制栅极层170的材料为多晶硅。

参考图7，在基底100表面形成介质层200，所述第一区域ⅰ的所述介质层200内具有第一通孔210，所述第二区域ⅱ的所述介质层200内具有第二通孔220，所述第一通孔210的开口大于所述第二通孔220的开口。

本实施例中，所述介质层200覆盖所述控制栅极层170表面。

形成所述介质层200的步骤包括：形成覆盖整个所述控制栅极层170表面的介质膜(图中未示出)；在所述介质膜表面形成图形化的第一光刻胶层(图中未示出)，所述第一光刻胶层覆盖第三区域的全部所述介质表面、第一区域ⅰ的部分所述介质表面及第二区域ⅱ的部分所述介质表面；刻蚀所述第一区域ⅰ的所述介质膜，形成所述第一通孔210；刻蚀所述第二区域ⅱ的所述介质膜，形成所述第二通孔220，所述第二通孔220的开口小于所述第一通孔210的开口。剩余所述介质膜作为所述介质层200。

所述第一通孔210的开口大于所述第二通孔220的开口，后续在同一工艺步骤中，在所述第一通孔210侧壁及底部上形成第一氧化层，并在所述第二通孔220侧壁及底部上形成第二氧化层，位于所述第一通孔210底部的所述第一氧化层厚度小于位于所述第二通孔220底部的所述第一氧化层厚度。

本实施例中，所述第一通孔210的开口呈圆形，所述第二通孔220的开口也呈圆形。

本实施例中，所述第一通孔210的开口宽度l1与所述第二通孔220的开口宽度l2的比值为1.5～2。若所述第一通孔210的开口宽度l1与所述第二通孔220的开口宽度l2的比值过小，后续在所述第一通孔210底部形成的第一氧化层与在所述第二通孔220底部形成的第二氧化层厚度差值小，在后续刻蚀工艺中，所述第二氧化层容易与所述第一氧化层一同被刻蚀去除而导致第二区域ⅱ的所述控制栅极层170受到刻蚀。若所述第一通孔210的开口宽度l1与所述第二通孔220的开口宽度l2的比值过大，导致所述第二通孔220的深宽比过大，造成后续在所述第二通孔220侧壁及底部上形成第二氧化层320的工艺难度加大。

本实施例中，所述第一通孔210的开口宽度l1为0.32μm，所述第二通孔220的开口宽度l2为0.16μm～0.19μm。

参考图8，在同一工艺步骤中，在所述第一通孔210侧壁及底部上形成第一氧化层310，并在所述第二通孔220侧壁及底部上形成第二氧化层320。

所述第一氧化层310与所述第二氧化层320的材料相同。本实施例中，所述第一氧化层310及所述第二氧化层320的材料均为氧化硅。在其他实施例中，所述第一氧化层310及所述第二氧化层320的材料均为氧化锗。

本实施例中，采用化学气相沉积工艺形成所述第一氧化层310及所述第二氧化层320。在其他实施例中，采用原子层沉积工艺形成所述第一氧化层310及所述第二氧化层320。

在同一工艺步骤中形成所述第一氧化层310及所述第二氧化层320，一方面，有助于节省工艺时间；另一方面，所述第一通孔210及所述第二通孔220处于相同的工艺环境中，相同时间内在所述第一通孔210底部沉积的所述第一氧化层310与在所述第二通孔220底部沉积的所述第二氧化层320体量基本相同；又由于所述第一通孔210的开口宽度l1(参考图7)大于所述第二通孔220的开口宽度l2(参考图7)，因此在沉积工艺结束后，位于所述第一通孔210底部的所述第一氧化层310厚度d1小于位于所述第二通孔220底部的所述第一氧化层310厚度d2。

本实施例中，覆盖所述第一通孔210底部的第一氧化层310厚度d1与覆盖所述第二通孔220底部的第二氧化层320厚度d2的比值为0.4～0.6。若覆盖所述第一通孔210底部的第一氧化层310厚度d1与覆盖所述第二通孔220底部的第二氧化层320厚度d2的比值过大，后续刻蚀所述第一氧化层310以在所述第一区域ⅰ形成凹槽的工艺步骤中，容易将第二通孔220底部的第二氧化层320完全刻蚀，进而导致所述第二区域ⅱ的基底100受到刻蚀。若覆盖所述第一通孔210底部的第一氧化层310厚度d1与覆盖所述第二通孔220底部的第二氧化层320厚度d2的比值过小，使得所述第二通孔220底部的第二氧化层320厚度过大，相应的，所述第二通孔220的深度值过大，导致所述介质层200的厚度过大，不必要的增加后续去除所述第二氧化层320及所述第二区域ⅱ的介质层200的工艺时间。

参考图9及图10，在同一工艺步骤中，刻蚀去除位于所述第一通孔210底部的第一氧化层310及位于所述第二通孔220底部的部分厚度第二氧化层320，并刻蚀去除位于所述第一通孔210下方的部分厚度所述基底100，在所述基底100内形成凹槽400。在相同工艺步骤中，在所述第一通孔210侧壁及所述凹槽400侧壁上形成第一侧墙510，并在所述第二通孔220侧壁上形成第二侧墙520。

本实施例中，在进行形成所述凹槽400的工艺的同时，在所述第二区域ⅱ，由于所述第二通孔220底部沉积的所述第二氧化层320厚度大于第一通孔210底部沉积的所述第一氧化层310厚度，因此仅刻蚀去除位于所述第二通孔220底部的部分厚度第二氧化层320，剩余所述第二氧化层320仍覆盖所述第二通孔220侧壁及底部。

本实施例中，采用各向异性干法刻蚀工艺形成所述凹槽400。

本实施例中，在同一工艺步骤中形成所述凹槽400及部分厚度所述第二氧化层320，有助于缩短工艺时间。

由于所述第二区域ⅱ的剩余所述第二氧化层320仍覆盖所述第二通孔220底部，因此形成的所述第二侧墙520底部高于所述基底100顶部表面。

图11为图10所示的第二侧墙520的放大图。

本实施例中，所述凹槽400底部露出位于所述第一通孔210下方的所述衬底110表面。

参考图11，本实施例中，所述第一侧墙510包括：第一子侧墙511，所述第一子侧墙511覆盖所述第一氧化层310侧壁、所述控制栅极层170侧壁、所述第二粘结层160侧壁、所述第二隔离层150侧壁及所述第一粘结层140侧壁；第二子侧墙512，所述第二子侧墙512覆盖所述第一子侧墙511侧壁；第三子侧墙513，所述第三子侧墙513覆盖所述第二子侧墙512侧壁；第四子侧墙514，所述第四子侧墙514覆盖所述第三子侧墙513侧壁、所述浮栅极层130侧壁、所述第一隔离层120侧壁及所述凹槽400底部露出的所述衬底110表面。

本实施例中，所述凹槽400侧壁露出所述控制栅极层170侧壁表面、所述第二粘结层160侧壁表面、所述第二隔离层150侧壁表面、所述第一粘结层140侧壁表面、所述浮栅极层130侧壁表面及所述第一隔离层120侧壁表面。后续在所述第一通孔210及所述凹槽400内形成第一字线层，所述第一子侧墙511、所述第二子侧墙512及所述第三子侧墙513用于隔离所述控制栅极层170与所述第一字线层。所述第四子侧墙514用于隔离所述浮栅极层130与所述第一字线层610。

本实施例中，形成所述凹槽400及所述第一侧墙510的工艺步骤包括：如图9所示，刻蚀所述第一通孔210底部的第一氧化层310，露出所述控制栅极层170表面；进一步刻蚀露出的所述控制栅极层170、所述第二粘结层160、所述第二隔离层150、所述第一粘结层140，直至露出所述浮栅极层130表面，形成初始凹槽410；如图10及图11所示，在所述第一通孔210侧壁及所述初始凹槽410侧壁表面形成所述第一子侧墙511、所述第二子侧墙512及所述第三子侧墙513；刻蚀所述初始凹槽410底部，直至露出所述衬底110表面，形成所述凹槽400；在所述第三子侧墙513侧壁、所述浮栅极层130侧壁、所述第一隔离层120侧壁及所述凹槽400底部露出的所述衬底110表面形成所述第四子侧墙514。

图12为图10所示的第二侧墙520的放大图。

参考图12，本实施例中，所述第二侧墙520包括：第五子侧墙521，所述第五子侧墙521覆盖所述第二氧化层320侧壁；第六子侧墙522，所述第六子侧墙522覆盖所述第五子侧墙521侧壁；第七子侧墙523，所述第七子侧墙523覆盖所述第六子侧墙522侧壁；第八子侧墙524，所述第八子侧墙524覆盖所述第七子侧墙523侧壁及位于所述第二通孔220底部的第二氧化层320。

本实施例中，在同一工艺步骤中形成所述第一子侧墙511及所述第五子侧墙521。

所述第一子侧墙511与所述第五子侧墙521的材料相同。本实施例中，所述第一子侧墙511与所述第五子侧墙521的材料均为氧化硅。在其他实施例中，所述第一子侧墙511与所述第五子侧墙521的材料均为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

本实施例中，在同一工艺步骤中形成所述第二子侧墙512及所述第六子侧墙522。

所述第二子侧墙512与所述第六子侧墙522的材料相同。本实施例中，所述第二子侧墙512与所述第六子侧墙522的材料均为氮化硅。在其他实施例中，所述第二子侧墙512与所述第六子侧墙522的材料均为氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

本实施例中，在同一工艺步骤中形成所述第三子侧墙513及所述第七子侧墙523。

所述第三子侧墙513与所述第七子侧墙523的材料相同。本实施例中，所述第三子侧墙513与所述第七子侧墙523的材料均为氧化硅。在其他实施例中，所述第三子侧墙513与所述第七子侧墙523的材料均为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

本实施例中，在同一工艺步骤中形成所述第四子侧墙514及所述第八子侧墙524。

所述第四子侧墙514与所述第八子侧墙524的材料相同。本实施例中，所述第四子侧墙514与所述第八子侧墙524的材料均为氧化硅。在其他实施例中，所述第四子侧墙514与所述第八子侧墙524的材料均为氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

参考图13，在所述第一通孔210及所述凹槽400内形成第一字线层610；在所述第二通孔220内形成第二字线层620。

本实施例中，在相同工艺步骤中形成所述第一字线层610及所述第二字线层620。

本实施例中，形成所述第一字线层610及所述第二字线层620的工艺步骤包括：形成填充满所述第一通孔210、所述凹槽400及所述第二通孔220的字线膜(图中未示出)，所述字线膜覆盖所述介质层200顶部表面；对所述字线膜进行平坦化处理，去除高于所述介质层200顶部的所述字线膜，剩余位于所述第一通孔210及所述凹槽400内的所述字线膜作为所述第一字线层610，剩余位于所述第二通孔220内的所述字线膜作为所述第二字线层620。

所述第一字线层610与所述第二字线层620的材料相同。本实施例中，所述第一字线层610与所述第二字线层620的材料均为多晶硅。

本实施例中，所述第一字线层610覆盖所述第四子侧墙514表面。所述第二字线层620覆盖所述第八子侧墙524表面。

本实施例中，形成所述第一字线层610及所述第二字线层620后，还包括：在相同工艺步骤中，形成覆盖所述第一字线层610顶部的第一衬垫层710，形成覆盖所述第二字线层620顶部的第二衬垫层720。

形成所述第一衬垫层710及第二衬垫层720后，还包括：形成覆盖所述第一衬垫层710顶部、所述第二衬垫层720顶部及所述介质层200顶部的所述绝缘层730。

本实施例中，所述第一衬垫层710有助于提高所述绝缘层730与所述第一字线层610的黏附性能；所述第二衬垫层720有利于增强所述绝缘层730与所述第二字线层620的黏附性能。

本实施例中，所述第一衬垫层710及所述第二衬垫层720的材料均为氧化硅。

本实施例中，所述绝缘层730的材料为氮化硅。在其他实施例中，所述绝缘层730的材料为碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼。

参考图14，在所述第一区域ⅰ的所述绝缘层730顶部形成第二光刻胶层800。

本实施例中，所述第二光刻胶层800露出所述第二区域ⅱ及所述第三区域的所述绝缘层730顶部表面。

参考图15，去除所述第二区域ⅱ的所述介质层200、所述第二氧化层320、所述第二侧墙520及所述第二字线层620。

本实施例中，采用干法刻蚀工艺去除所述第二区域ⅱ的所述介质层200、所述第二氧化层320、所述第二侧墙520及所述第二字线层620。在其他实施例中，还可以采用湿法刻蚀工艺。

本实施例中，在所述干法刻蚀工艺步骤中，还包括：去除所述第二区域ⅱ的所述绝缘层730和所述第二衬垫层720，以及，去除所述第三区域的所述绝缘层730及所述介质层200。

本实施例中，进行所述干法刻蚀工艺，直至露出所述第二区域ⅱ的基底100表面，具体的，直至露出所述第二区域ⅱ的所述控制栅极层170顶部表面。

本实施例中，由于所述第二侧墙520底部高于所述基底100顶部表面，又由于在所述干法刻蚀工艺中，所述第二侧墙520与所述介质层200、所述第二氧化层320及所述第二字线层620的刻蚀速率接近，因此在所述干法刻蚀工艺中，能够将所述第二侧墙520刻蚀去除干净，减少所述第二侧墙520材料残余，避免在后续去除所述第二区域ⅱ的部分厚度所述基底100的工艺中，所述基底100与所述第二侧墙520材料残余由于具有较大的刻蚀选择比而继续被保留下来。

参考图16，去除所述第二区域ⅱ的部分厚度所述基底100。

本实施例中，刻蚀去除所述第二区域ⅱ的所述控制栅极层170。由于所述第二侧墙520在前一工艺步骤中已被去除干净，因此在去除所述第二区域ⅱ的所述控制栅极层170的工艺中，能够防止所述第二侧墙520材料残余由于与所述控制栅极层170具有较大的刻蚀选择比而继续被保留下来，避免所述第二侧墙520(参考图14)材料残余对产品良率造成影响。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。