通过线圈空腔进行的封装冷却的制作方法

本发明技术大体上涉及半导体装置组合件，且在一些实施例中更特定地涉及具有冷却通道的半导体装置组合件。

背景技术：

包含存储器芯片、微处理器芯片、成像器芯片以及中央处理单元的封装半导体管芯通常包含安装在衬底上且包覆于塑料保护性覆盖物中的半导体管芯。管芯包含功能特征，例如存储器单元、处理器电路以及成像器装置，以及电连接到所述功能特征的接合垫。接合垫可电连接到保护性覆盖物外部的端子，以允许管芯连接到更高层级电路。

半导体制造商不断地减小管芯封装和其它半导体组件的大小以适应电子装置的空间限制，同时还增大每一封装的功能容量以符合操作参数。在不实质上增大由封装覆盖的表面积(即，封装的“覆盖面积”)的情况下增大半导体封装的处理功率的一个途径是在单个封装中将多个半导体管芯竖直地堆叠在彼此的顶部上。这种竖直堆叠封装中的管芯可通过使用硅穿孔(tsv)将单独管芯的接合垫与相邻管芯的接合垫电耦合来互连。在竖直堆叠封装中，所生成的热难以耗散，这提高单独管芯、其间的接合部以及封装总体上的操作温度。用于增大处理器功率同时减小总体组合件大小的另一途径是使管芯封装与其它半导体装置更靠近彼此移动。在这种应用中，来自相邻封装的热可增大每一管芯封装的总体操作温度。这些减小大小的努力可导致管芯封装达到高于其在许多类型的装置中的最大操作温度的温度。

技术实现要素：

本公开的一方面涉及一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：用牺牲部件包围管芯封装的至少两个侧；在包封体材料中包封所述管芯封装和所述牺牲部件；以及经由以化学方式蚀刻、熔融、溶解、汽化和/或碎裂所述牺牲部件来去除所述牺牲部件。

在本公开的另一方面中，一种半导体装置组合件包括：第一管芯封装，其包括：底部侧；顶部侧；以及横向侧，其在所述顶部侧与所述底部侧之间延伸；包封体材料，其包封所述第一管芯封装；以及冷却空腔，其位于所述包封体材料中，所述冷却空腔包括：第一开口；第二开口；以及细长通道，其从所述第一开口延伸到所述第二开口；其中：所述细长通道包围所述第一管芯封装的所述横向侧中的至少两个；且所述细长通道配置成容纳冷却流体。

附图说明

参看以下附图可更好地理解本发明技术的许多方面。附图中的组件不一定按比例。实际上，重点是清楚地说明本发明技术的原理。

图1是管芯封装组合件的实施例的透视图。

图2是图1的管芯封装组合件的正视图。

图3是图1的管芯封装组合件的俯视图。

图4是并入有图1的管芯封装组合件的管芯封装系统的正视图。

图5是包含包封剂且说明通过牺牲部件的去除来形成的空腔的图4的管芯封装系统的正视图。

图6是具有示意性地说明的流体管理系统的图5的管芯封装系统的正视图。

图7是说明制造半导体装置的方法的实施例的流程图。

图8是管芯封装组合件的实施例的透视图。

图9是图8的管芯封装组合件的正视图。

图10是图8的管芯封装组合件的俯视图。

图11是管芯封装组合件的实施例的透视图。

图12是图11的管芯封装组合件的正视图。

图13是图11的管芯封装组合件的俯视图。

图14是并入有图1、8以及11的管芯封装组合件的管芯封装系统的透视图。

图15是包含包封剂且说明通过牺牲部件的去除来形成的空腔的图15的管芯封装系统的透视图。

图16是展示根据本发明技术的实施例的包含半导体装置的系统的示意图。

具体实施方式

下文描述具有形成于封装壳体的包封体(例如包覆模制件)中的冷却通道的半导体装置组合件的若干实施例的具体细节。术语“半导体装置”大体上是指包含一或多种半导体材料的固态装置。半导体装置的实例包含逻辑装置、存储器装置、微处理器以及二极管等等。此外，术语“半导体装置”可指成品装置或可指在变成成品装置之前的各个处理阶段处的组合件或其它结构。取决于其使用情境，术语“衬底”可指晶片级衬底或可指单分的管芯级衬底。相关领域的技术人员将认识到，可在晶片级下或在管芯级下进行本文所描述的方法的合适步骤。此外，除非情境另有指示，否则可使用常规的半导体制造技术来形成本文中所公开的结构。举例来说，材料可使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、旋涂和/或其它合适的技术来沉积。类似地，例如，可使用等离子蚀刻、湿式蚀刻、化学-机械平坦化或其它合适的技术来去除材料。

术语“半导体装置封装”可指一或多个半导体装置并入到共同封装中的布置。半导体封装可包含部分地或完全地包封至少一个半导体装置的外壳或壳体。半导体装置封装还可包含携载一或多个半导体装置且附接到壳体或以其它方式并入到壳体中的插入式衬底。术语“半导体装置组合件”可指一或多个半导体装置、半导体装置封装和/或衬底(例如，插入式、支撑式或其它合适的衬底)的组合件。半导体装置组合件可例如以离散封装形式、条带或矩阵形式和/或晶片面板形式制造。如本文中所使用，术语“竖直”、“横向”、“上部”以及“下部”可指半导体装置中的特征鉴于图中所示的定向的相对方向或位置。举例来说，“上部”或“最上部”可指比另一特征更靠近页面的顶部定位的特征。然而，这些术语应广泛地理解为包含具有其它定向的半导体装置，所述定向例如倒置或倾斜定向，其中顶部/底部、上方/下方、之上/之下、向上/向下以及左方/右方可取决于定向而互换。

下文在半导体装置内的冷却空腔的形成的情境下描述本发明技术的许多实施例。相关领域的技术人员亦将了解，本发明技术可具有用于在单个半导体组合件中形成大于一个冷却通道的实施例。因此本发明技术可在不具有本文中参看图1到16所描述的实施例的若干细节的情况下实践。为了易于参考，贯穿本公开，相同附图标记用以标识类似或相似组件或特征，但使用相同附图标记并不暗示特征应理解为相同的。实际上，在本文中所描述的许多实例中，相同编号的特征具有结构和/或功能彼此不同的多个实施例。此外，除非本文中具体地标注，否则相同着色可用以指示横截面中的可在成分上类似的材料，但使用相同着色并不暗示材料应理解为相同的。

本发明技术的若干实施例具有至少一个管芯封装，其具有底部侧、顶部侧以及在顶部侧与底部侧之间延伸的横向侧。包封体材料可包封第一管芯封装。冷却空腔可形成于包封体材料中，冷却空腔具有第一开口、第二开口以及从第一开口延伸到第二开口的细长通道。冷却空腔可通过从包封体去除牺牲部件来形成。牺牲部件和所得冷却空腔可设定大小、设定形状且以其它方式设计成有助于穿过包封体且在一或多个管芯封装附近的高效流体流动以有效地冷却管芯封装系统。

图1到3说明管芯封装组合件100的实例。组合件100包含管芯封装102和牺牲部件104。管芯封装102可以是例如cpu、高带宽存储器(hbm)、混合存储器立方体(hmc)、扇出封装(fop)或某一其它管芯封装。管芯封装102可具有顶部侧106、底部侧108(图2)以及在顶部侧106与底部侧108之间延伸的横向侧112。在所说明实例中，管芯封装是具有四个横向侧112的矩形棱镜。可在本公开中采用其它配置。举例来说，管芯封装102可具有圆柱形、角锥形、圆锥形、(具有三个或更多个横向侧的)多边形棱镜和/或其它形状。

在一些实施例中，管芯封装组合件100包含主体部分116和管芯封装102的顶部侧106处的热界面材料(tim)120。主体部分116可容纳管芯封装102的有源组件。举例来说，主体部分可包含一或多个管芯、硅穿孔、有源电路、机械柱、有源柱等。tim120可以是例如热脂、热粘着剂、固化热脂、非粘着性热胶、导热垫、热胶带和/或相变材料。tim120可配置成从主体部分116导热。tim120可具有与主体部分116的覆盖面积相同或实质上相同的覆盖面积(例如图3的参考框架)。在一些实施例中，tim的覆盖面积大于、小于主体部分116和/或与所述主体部分的形状/定向不同。

如图1到3中所说明，牺牲部件104可包围管芯封装102的所有横向侧116中的一些。举例来说，牺牲部件104可与管芯封装102的横向侧116中的两个、三个、四个或更多个相邻。牺牲部件104可具有第一端124和第二端126。在一些实施例中，牺牲部件104的两个端124、126彼此相邻(例如，在管芯封装102的同一横向侧上)。在一些实施例中，两个端124、126彼此在管芯封装102的不同和/或相对侧上。

牺牲部件104可在第一端124与第二端126之间延伸。举例来说，牺牲部件104可具有大体上螺旋或线圈形状。牺牲部件104可具有围绕管芯封装102的横向侧延伸的一或多个线圈130。牺牲部件104可由以下中的一或多种建构：可蚀刻(例如可以化学方式蚀刻)材料、可溶解材料、脆性材料、水溶性材料和/或能够在包覆于另一材料中时消除的某一其它牺牲材料。在一些实施例中，牺牲部件104具有横截面宽度(例如当圆形时具有直径)，所述横截面宽度在10到60微米之间、25到200微米之间、50到150微米之间、75到175微米之间、80到120微米之间和/或120到250微米之间。在一些实施例中，牺牲部件104的横截面宽度是大约15微米、大约100微米、大约150微米和/或200微米。在一些实施例中，牺牲部件104的横截面宽度从第一端124到第二端126是恒定的。在一些实施例中，牺牲部件104的横截面宽度从第一端124到第二端126变化。

在一些实施例中，牺牲部件104是稍后在管芯封装102附近和/或围绕所述管芯封装定位的预先形成的组件。牺牲部件104可模制、弯曲(例如弯曲为线)或以其它方式形成为所需形状。在一些实施例中，当观察到与管芯封装的顶部侧106正交(图3)时，牺牲部件104在一或多个尺寸中具有恒定或实质上恒定的总宽度。在一些实施例中，牺牲部件104的总宽度从牺牲部件104的顶部到底部(例如，在图2中上下和/或在与顶部侧106正交的方向上)变化。

图4说明管芯封装系统140的实施例。管芯封装系统140包含图1到3的管芯封装组合件100和衬底144。衬底144可以是例如晶片(例如硅或其它晶片)。在一些实施例中，衬底144包含运转电路。衬底144可包含第一表面146和与第一表面146相对的第二表面148。衬底的第一表面146可包含一或多个导电特征。举例来说，表面可包含一或多个金属迹线、接触垫或其它有源特征。管芯封装组合件100可连接到衬底144的第一表面146。举例来说，管芯封装组合件100可经由一或多个导电元件150(例如铜柱、焊料凸块和/或其它导电特征)连接到衬底144。

如从管芯封装102的底部侧或从第一表面146到管芯封装102的顶部侧所测量，管芯封装组合件100可具有高度h1。高度h1可小于400微米、小于500微米、小于700微米和/或小于900微米。在一些实施例中，管芯封装组合件100的高度h1可在100到700微米之间、300到600微米之间、250到750微米之间和/或500到1500微米之间。在一些实施例中，管芯封装组合件100的高度h1是大约750微米。

如图4中所说明，管芯封装系统140可包含第二管芯封装组合件200。第二管芯封装组合件200可包含管芯堆叠和/或其它半导体结构。在一些实施例中，第二管芯封装组合件200包含主体部分216和在主体部分216的顶部端上的tim200。第二管芯封装200可以与第一管芯封装100连接到衬底144的方式相同或类似的方式连接到衬底(例如与第一管芯封装100连接的同一衬底144，或另一衬底)。

第二管芯封装202可靠近第一管芯封装102间隔开。举例来说，第一管芯封装102与第二管芯封装103之间的横向距离d1(例如如平行于衬底144的第一表面146所测量的距离)可在2mm到8mm之间、1mm到11mm之间、3mm到7mm之间、6mm到12mm之间、9mm到11mm之间和/或7mm到20mm之间。在一些实施例中，第一管芯封装102与第二管芯封装103之间的横向距离d1在约5mm到10mm之间。

如图5中所说明，管芯封装系统140可包含包封体160(例如包覆模制件)。包封体160在管芯封装102、104中的至少一个连接到衬底144(和/或连接到另一衬底)之后形成。包封体160可包含上部表面162和下部表面164。下部表面164可与衬底144的第一表面146接触。包封体160形成至少部分地包围管芯封装102、202的保护性壳体。包封体160可设定大小且设定形状以包围一或多个牺牲部件104中的所有或大部分。优选的是，第一端124和第二端126中的至少一个保持在包封体160外部。包封体160可包含可通过转移模制或压缩模制来模制或设定形状以形成壳体的环氧树脂或其它合适材料。包封体160可包含经选择以具有合适的热导率、粘着力、耐化学性、强度和/或其它性质的各种添加剂(例如偶合剂、固化促进剂、硅石填充剂(例如氧化铝填充剂)等)。

在一些实施例中，散热器166连接到第一管芯封装102的顶部侧106(例如连接到tim120的顶部侧)。在一些实施例中，第二散热器266连接到第二管芯封装202的顶部侧206。一或多个散热器166、266可在管芯封装102、202上方的包封体160之前或之后连接到一或多个管芯封装102、202。一或多个散热器166、266可配置成使热从一或多个管芯封装102、202(例如朝上和/或在远离衬底144的方向上)传导离开。

在管芯封装系统中通常采用管芯封装之间的紧密间距的情况下，对系统进行冷却变得困难。在本申请中，呈现准许在具有紧凑配置的管芯封装系统中改进温度管理的冷却系统(本文中呈现的技术也可用于更不紧凑的系统中)。

图6说明在第一管芯封装组合件100附近形成冷却通道170之后的管芯封装系统140。冷却通道170经由从包封体160去除牺牲部件104来形成。牺牲部件104的去除可经由不同方法进行。这些方法可通过牺牲部件104的和/或包封体160的材料成分来告知。举例来说，对于可溶解的牺牲部件104，可将水或其它溶液引入到牺牲部件104以溶解牺牲部件104。在这类实施例中，牺牲部件104的所有部分可溶解(包封体160的内部和外部两者)。适合于溶解的牺牲材料包含但不限于盐、葡萄糖和/或某一其它可溶解材料或材料组合。在一些实施例中，牺牲部件104可使用化学蚀刻去除。适合于化学蚀刻的牺牲部件材料可包含例如铜、铝、聚合物(例如酚或环氧类聚合物)和/或适合于化学蚀刻的某一其它材料或材料组合。在一些实施例中，牺牲部件104由具有低于对包封体160和/或对一或多个管芯封装的组件有害的温度的熔点的材料建构。在一些实施例中，牺牲部件104由可经由引入到管芯封装系统140的振动来去除的材料(例如脆性材料)建构。

如所说明，牺牲部件104的去除在管芯封装系统140的包封体160和/或其它部分中留下空腔172。空腔172具有与牺牲部件104的大小和形状类似或相同的大小和形状。牺牲部件104离开到包封体160的位置变成到空腔172的开口。举例来说，如图6中所说明，通过牺牲部件104的去除保留第一开口174和第二开口176。在所说明实施例中，第一开口174和第二开口176在包封体160的上部表面162中。在一些实施例中，除上部表面162中的开口之外或代替所述开口，一或多个开口穿过包封体160的横向表面定位。

管芯封装系统140可包含流体管理系统178。流体管理系统178可配置成使流体穿过空腔172移动。流体穿过空腔172的移动可有助于从一或多个管芯封装102、202到管芯封装系统140的外部的高效热传递。在一些实施例中，流体管理系统178包含泵180或连接到开口174、176中的一或多个的其它流体流动装置。举例来说，流体管线182a可将泵180连接到第一开口174。泵180可配置成使流体穿过开口174、176移动到包封体160中和/或从所述包封体移动出。在一些实施例中，泵180包含波纹管、转子和/或其它泵组件。

在一些实施例中，流体管理系统178包含热交换器186。热交换器186可与开口174、176和泵180中的一个、一些或所有处于流体连通。热交换器186可以是例如壳管式热交换器、板式热交换器和/或某一其它热交换器。热交换器186可配置成从泵送出管芯封装系统140(例如泵送出包封体)的流体去除热。泵180可配置成泵送流体以从空腔172到热交换器186且回到空腔172。流体可经由各个流体管线182a、182b、182c(统称为“流体管线182”)传送于空腔172、泵180以及热交换器186之间。在所说明实施例中，流体流动的方向指示为来自空腔172、到热交换器186、到泵180且回到空腔172。这一流动方向可反向。在一些实施例中，可利用额外的泵和/或热交换器。

优选的是，流体管理系统178是封闭式系统。举例来说，空腔172、一或多个泵180、一或多个热交换器186、一或多个流体管线180可以是不具有外部流体通路的封闭式回路。将流体管理系统178维持为封闭式系统可降低空腔172或其它组件受污染物(例如微粒和/或不合需要的流体)污染的风险。在一些实施例中，流体管线180和/或空腔172具有较小横截面面积。在这类实施例中，维持封闭式系统可降低流体管线180和/或空腔172变得堵塞的风险。

优选的是，用于流体管理系统178中的流体可从管芯封装系统140有效地传递热。流体可以是例如制冷剂、水、气体、烃流体、二醇、二醇-水混合物、硅油和/或某一其它液体、气体或一或多种液体与一或多种气体的组合。在一些实施例中，流体具有低粘度和/或是非腐蚀性的。

图7是用于制造半导体装置的方法500的实施例的流程图。方法500可包含用牺牲部件至少部分地包围管芯封装(框504)。在一些实施例中，包围管芯封装的至少两个侧包括用牺牲部件包围管芯封装的所有横向侧。管芯封装可具有上文描述的管芯封装102、202的特征中的任一个或全部。牺牲部件可具有上文描述的牺牲部件104或下文描述的牺牲部件204、304的特征中的任一个或全部。方法500可包含将管芯封装连接到衬底。在一些实施例中，方法500包含将大于一个管芯封装连接到衬底或连接到多个衬底。在一些这类实施例中，方法500包含用牺牲部件或用大于一个牺牲部件至少部分地包围大于一个管芯封装。

方法500可包含用包封体材料包封一或多个管芯封装和一或多个牺牲部件(框508)。包封体材料可具有与上文描述的包封体160的性质相同或类似的性质。

方法500可包含去除牺牲部件(框512)。去除牺牲部件可包含去除包封体的内部和/或外部的牺牲部件的所有部分。在一些实施例中，去除牺牲部件包含在包封体内形成一或多个空腔。一或多个空腔可具有与上文描述的空腔172的性质相同或类似的性质。在一些实施例中，去除牺牲部件包含以化学方式蚀刻、熔融、溶解、汽化和/或碎裂牺牲部件。

在一些实施例中，方法500包含将流体管理系统连接到空腔的开口。流体管理系统可具有上文描述的流体管理系统178的特征中的所有或一些。举例来说，方法500可包含将泵连接到空腔的一或多个开口。方法500可包含穿过空腔泵送流体。在一些实施例中，方法500包含穿过热交换器泵送流体。热交换器可具有上文描述的热交换器186的特征中的所有或一些。方法500可包含将热交换器连接到流体管理系统使得热交换器与开口中的一或多个处于流体连通。

图8到10说明至少部分地包围管芯封装102的牺牲部件204的实施例。管芯封装102可具有上文所描述的相同特征中的一些或全部。如所说明，牺牲部件204可具有由经由拐角部分207彼此连接的笔直部分205形成的普通线圈形状。如图10中所说明，当与管芯封装102的顶部侧106正交观看时，牺牲部件204可具有大体上多边形(例如正方形或矩形)形状。

图11到13说明至少部分地包围管芯封装102的牺牲部件304的实施例。管芯封装102可具有上文所描述的相同特征中的一些或全部。如所说明，牺牲部件304可大体上围绕管芯封装102的横向侧112中的所有或一部分遵循波形或波状图案。在所说明实例中，牺牲部件304包含经由上部和下部转弯部分307彼此连接的竖直(例如，在与管芯封装102的顶部侧106正交的方向上)片段305。在一些实施例中，牺牲部件304包含经由横向转弯部分彼此连接的水平(例如，平行于管芯封装102的底部侧108)片段。在所说明实例中，牺牲部件304的两个端324、326彼此相邻。在一些实施例中，两个端324、326彼此在管芯封装102的不同(例如相对)侧上。如图13中所说明，当与管芯封装102的顶部侧106正交观看时，牺牲部件304可具有大体上多边形(例如正方形或矩形)形状。在一些实施例中，当与管芯封装102的顶部侧106正交观看时，牺牲部件304具有大体上圆形(例如空心圆或椭圆形)形状。

在一些实施例中，牺牲部件104、204、304中的两个或更多个可用于同一管芯封装系统640中。举例来说，如图14中所说明，管芯封装系统640可包含包围相应管芯封装102的牺牲部件104、204、304中的每一个中的一个。在一些实施例中，系统640的一或多个管芯封装102未由牺牲部件包围。系统640可包含与一或多个管芯封装连接的一或多个衬底644。在一些实施例中，牺牲部件104、204、304中的每一个包含第一端和第二端。在所说明实施例中，牺牲部件104、204、304彼此连接以形成具有第一端624和第二端626的一个连续牺牲部件。在一些实施例中，牺牲部件中的两个或更多个(但少于所有)彼此连接。

图15说明在包封体660形成和牺牲部件去除之后的管芯封装系统640的实施例。所得系统640可包含到通过一或多个牺牲部件的去除来形成的空腔672的一或多个开口674、676。在一些实施例中，与上文所描述的流体管理系统178类似或相同的流体管理系统可连接到开口674、676以有助于管芯封装系统640的温度管理。

具有上文(例如参看图1到15)所描述的特征的半导体装置中的任一个可并入到大量更大和/或更复杂的系统中的任一个中，所述系统的代表性实例是在图16中示意性地展示的系统1000。系统1000可包含处理器1002、存储器1004(例如，sram、dram、闪存和/或其它存储器装置)、输入/输出装置1005和/或其它子系统或组件1008。上文所描述的半导体管芯和半导体管芯组合件可包含于图16中所展示的元件中的任一个中。所得系统1000可配置成进行多种多样的合适的计算、处理、存储、感测、成像和/或其它功能中的任一个。因此，系统1000的代表性实例包含但不限于：计算机和/或其它数据处理器，例如台式计算机、手提式计算机、网络家电、手持式装置(例如掌上型计算机、可穿戴式计算机、蜂窝或移动电话、个人数字助理、音乐播放器等)、平板计算机、多处理器系统、基于处理器的或可编程的消费型电子装置、网络计算机以及微型计算机。系统1000的额外代表性实例包含灯、相机、车辆等。关于这些和其它实例，系统1000可容纳在单个单元中或例如通过通信网络分布在多个互连单元上方。因此，系统1000的组件可包含本地和/或远程存储器存储装置和多种多样的合适的计算机可读介质中的任一个。

本技术的实施例的以上详细描述并不意图是详尽的或将本技术限制于上文所公开的确切形式。相关领域的技术人员将认识到，尽管上文出于说明性目的描述了本技术的具体实施例和实例，但是可在本技术的范围内进行各种等效的修改。举例来说，尽管步骤以给定次序呈现，但替代性实施例可以不同次序进行步骤。此外，也可组合本文中所描述的各种实施例以提供另外实施例。本文中对“一个实施例”、“实施例”或类似表述的引用意指结合实施例描述的特定特征、结构、操作或特性可包含在本技术的至少一个实施例中。因此，这类短语或表述在本文中的出现未必都指同一实施例。

本技术的某些方面可呈计算机可执行指令形式，所述计算机可执行指令包含由控制器或其它数据处理器执行的常式。在一些实施例中，控制器或其它数据处理器经专门编程、配置和/或建构以进行这些计算机可执行指令中的一或多个。此外，本技术的一些方面可呈存储或分布在计算机可读介质上的数据(例如非暂时性数据)形式，所述计算机可读介质包含磁性或光学可读取和/或可装卸计算机光盘以及电子地分布在网络上方的介质。因此，特定于本技术的方面的数据结构和数据的传输包涵在本技术的范围内。本技术还涵盖对计算机可读介质进行编程以进行特定步骤和执行所述步骤两者的方法。

此外，除非词语“或”明确地限制成仅意指对参看两个或更多个项目的列表的其它项目排他的单个项目，否则此列表中的“或”的使用可以理解为包含(a)列表中的任何单个项目、(b)列表中的所有项目或(c)列表中的项目的任何组合。在情境准许的情况下，单数或复数术语还可分别包含复数或单数术语。此外，术语“包括”贯穿全文用以意指至少包含一或多个所叙述特征，使得不排除任何更大数目个相同特征和/或额外类型的其它特征。本文中可使用如“上部”、“下部”、“正面”、“背面”、“竖直”以及“水平”的方向术语来表达和阐明各种元件之间的关系。应理解，这类术语不表示绝对定向。另外，虽然已经在那些实施例的情境中描述了与本技术的某些实施例相关联的优势，但其它实施例也可以呈现这类优势，且并非所有的实施例都必需呈现这类优势以落入本技术的范围内。因此，本公开及相关联的技术可涵盖未明确地在本文中展示或描述的其它实施例。