超导磁体及磁共振成像系统的制作方法

本申请涉及医疗设备技术领域，特别是涉及一种超导磁体及磁共振成像系统。

背景技术：

随着生物医学工程及医学影像学的发展，磁共振成像作为继电子计算机x射线断层扫描技术后的又一重要医学诊断技术，在医学诊断方面发挥着越来越重要的作用。在磁共振成像设备中，超导磁体提供了主磁场，使线圈保持低温超导状态对于磁共振成像质量有较大的影响。

由于液氦价格昂贵，极大影响了超导磁体的制造成本，越来越多的磁体采用制冷机直接冷却超导线圈或线圈骨架。然而，这种设计往往无法均匀冷却线圈所有的部位，进而限制了磁共振应用序列的使用，影响了磁共振成像的质量。

技术实现要素：

基于此，有必要针对制冷机直接冷却超导磁体中无法均匀冷却线圈所有部位的问题，提供一种可以对所有线圈、线圈接头以及超导开关进行冷却的超导磁体。

本申请提供一种超导磁体包括磁体线圈组、低温容器、第一腔体以及第二腔体。所述磁体线圈组包括外线圈与内线圈。

所述低温容器包围形成一个容置空间。所述第一腔体设置于所述容置空间内。所述内线圈设置于所述第一腔体。所述第二腔体设置于所述容置空间内。所述外线圈设置于所述第二腔体。所述第一腔体和所述第二腔体连通。所述第一腔体和所述第二腔体中填充冷却介质。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括第三腔体。所述第三腔体设置于所述容置空间内。所述第三腔体与所述第一腔体连通。所述第三腔体与所述第二腔体连通。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括内线圈架。所述内线圈架设置于所述容置空间内。所述内线圈设置于所述内线圈架。所述中间线圈架设置于所述容置空间内。所述中间线圈架设置于所述内线圈架远离中心轴一侧。所述第一柱形密封筒设置于所述容置空间内。所述第一柱形密封筒设置于所述内线圈架靠近中心轴一侧。所述两个环形板设置于所述第一柱形密封筒与所述中间线圈架之间。所述中间线圈架、所述第一柱形密封筒以及所述两个环形板包围形成所述第一腔体。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括中间线圈架、第一柱形密封筒以及两个环形板。所述中间线圈架设置于所述容置空间内。所述第一柱形密封筒设置于所述容置空间内。所述第一柱形密封筒设置于所述中间线圈架靠近中心轴一侧。所述两个环形板设置于所述第一柱形密封筒与所述中间线圈架之间，所述中间线圈架、所述第一柱形密封筒以及所述两个环形板包围形成所述第一腔体。所述内线圈设置于所述中间线圈架或所述第一柱形密封筒。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括外线圈架以及第二柱形密封筒。所述外线圈架设置于所述容置空间内。所述外线圈设置于所述外线圈架。所述外线圈架设置于所述中间线圈架远离中心轴一侧。所述第二柱形密封筒设置于所述容置空间内。所述第二柱形密封筒设置于所述外线圈架远离所述中间线圈架一侧。且所述第二柱形密封筒与所述外线圈架密封连接。所述外线圈架与所述第二柱形密封筒包围形成所述第二腔体。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括制冷装置。所述制冷装置设置于所述低温容器远离所述容置空间一侧。所述制冷装置与所述第一腔体密封连接。所述制冷装置用于对冷却介质进行冷凝回流。

在一个实施例中，所述第一腔体、所述第二腔体以及所述第三腔体包围形成冷却腔体。所述冷却腔体与所述低温容器内壁包围形成外腔。所述制冷装置与所述第一腔体通过第三管路连接。所述超导磁体还包括排气管路以及控制阀。所述排气管路设置于所述第三管路，用于与所述外腔连通。所述控制阀设置于所述排气管路。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括制冷装置。所述制冷装置设置于所述低温容器远离所述容置空间一侧。所述制冷装置与所述第一腔体连接。且所述制冷装置与所述第一腔体连接位置处设置有开口。

在一个实施例中，本申请提供一种磁共振成像系统包括低温容器、至少一个第一腔体、至少一个第二腔体以及制冷装置。所述低温容器具有容置空间。至少一个第一腔体设置于所述低温容器内。所述第一腔体内固定有超导线圈。至少一个第二腔体设置于所述低温容器内并位于所述第一腔体的外周侧，所述第二腔体内固定有超导线圈，且所述第二腔体与所述第一腔体连通。制冷装置设置在所述低温容器上，并与所述低温容器的所述容置空间中的至少一个腔体热耦合。所述制冷装置的制冷极深入所述低温容器的所述容置空间中，且所述制冷极热耦合所述第一腔体。

在一个实施例中，所述超导磁体还包括至少一个线圈架。至少一个线圈架设置在所述低温容器内部以用于固定所述超导线圈。并且所述线圈架形成所述第一腔体或所述第二腔体的一部分。所述第一腔体或所述第二腔体与超导线圈之间形成间隙，所述间隙内填充冷却介质。

本申请实施例提供的所述超导磁体。所述第一腔体与所述第二腔体连通形成一个独立的腔体。所述独立的腔体内填充有冷却介质，可以把所述外线圈与所述内线圈全部浸泡，从而可以均匀冷却所述磁体线圈组的所有部位，保持良好的问题梯度。因此，通过所述超导磁体可以均匀冷却所述磁体线圈组的所有部位，且避免了传统超导磁体通过制冷机直接冷却线圈或线圈骨架带来的热扰动影响问题。

同时，所述第一腔体和所述第二腔体的尺寸和形状可以根据实际需求进行设置，可以减少容纳所述外线圈与所述内线圈以外的额外空间，能够将所述磁体线圈组的所有部位浸泡即可。从而，通过所述第一腔体和所述第二腔体可以显著减少冷却介质消耗，避免了注入大量冷却介质以浸泡超导线圈，降低了成本。因此，所述超导磁体通过控制所述第一腔体和所述第二腔体的容积，可以根据实际需求调节冷却介质的用量多少，进而通过较少的冷却介质填充量即可实现高位浸泡。从而，通过所述超导磁体不仅实现了低液氦的目标，而且不会限制磁共振序列等使用要求。

附图说明

图1为本申请提供的超导磁体的局部剖面结构示意图；

图2为本申请提供的一个实施例中超导磁体的排气管路和控制阀的局部剖面结构示意图；

图3为本申请提供的一个实施例中超导磁体的首尾连通冷却腔体的局部剖面结构示意图；

图4为本申请提供的一个实施例中第三管路开口状的局部剖面结构示意图图。

附图标记说明

超导磁体100、磁体线圈组10、外线圈110、内线圈120、低温容器80、第一腔体33、第二腔体43、容置空间810、第三腔体50、内线圈架230、中间线圈架220、第一柱形密封筒320、环形板310、外线圈架210、第二柱形密封筒410、制冷装置90、制冷极60、冷却腔体70、外腔73、第三管路610、排气管路710、控制阀720、第四管路740、开口630。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

本申请提出一种超导磁体100。所述超导磁体100其包括低温容器80，至少一个第一腔体33、至少一个第二腔体43以及制冷装置90。所述低温容器80，具有容置空间810。至少一个第一腔体33设置于低温容器80内。所述第一腔体33内固定有超导线圈。所述超导线圈包括磁体线圈组10。所述磁体线圈组10包括外线圈110与内线圈120。至少一个第二腔体43设置于低温容器80内并位于第一腔体33的外周侧。所述第二腔体43内固定有超导线圈，且第二腔体43与第一腔体33连通。所述制冷装置90设置在低温容器80上，并与所述低温容器80的容置空间810中的至少一个腔体连接。所述制冷装置90的制冷极60深入所述低温容器80的所述容置空间810中，且所述制冷极60热耦合所述第一腔体33。可以理解的，本申请实施例中的所述“制冷极”60也可称之为“冷头”，例如制冷机的二级冷头。

在一个实施例中，超导磁体100还包括至少一个线圈架，设置在低温容器80内部以用于固定超导线圈，并且线圈架形成第一腔体33或第二腔体43的一部分，第一腔体33或第二腔体43与超导线圈之间形成间隙，该间隙内填充冷却介质。与现有技术中整个低温容器的容置空间填充冷却介质相比，在第一腔体33或第二腔体43与超导线圈之间形成间隙中填充冷却介质，所需冷却介质的体积明显减少。

请参见图1，本申请实施例提供一种超导磁体100。所述超导磁体100包括磁体线圈组10、低温容器80、第一腔体33以及第二腔体43。所述磁体线圈组10包括外线圈110与内线圈120，外线圈110设置在内线圈120的外周侧。内线圈120也可称为“场线圈”，其包括位于端部的线圈和设置在端部的线圈之间的内部线圈。外线圈110也可称为“屏蔽线圈”，通常设置成直径大于内线圈120的直径，以用于约束外部的杂散场。所述低温容器80包围形成一个容置空间810。所述第一腔体33设置于所述容置空间810内。所述内线圈120设置于所述第一腔体33。所述第二腔体43设置于所述容置空间810内。所述外线圈110设置于所述第二腔体43。所述第一腔体33和所述第二腔体43连通。所述第一腔体33和所述第二腔体43中填充冷却介质。

所述外线圈110、所述内线圈120以及所述低温容器80同轴心进行装配固定，关于所述低温容器80的中心轴对称。所述第一腔体33与所述第二腔体43连通，可以包围形成一个独立的腔体。独立腔体内填充有冷却介质，可以把所述外线圈110与所述内线圈120全部浸泡，从而可以均匀冷却所述磁体线圈组10的所有部位，保持良好的冷却效果。因此，通过所述超导磁体100可以均匀冷却所述磁体线圈组10的所有部位，且避免了传统超导磁体通过制冷机直接冷却线圈或线圈骨架带来的热扰动影响问题。

同时，所述第一腔体33和所述第二腔体43的尺寸和形状可以根据实际需求进行设置，可以减少容纳所述外线圈110与所述内线圈120以外的额外空间，能够将所述磁体线圈组10的所有部位浸泡即可。从而，通过所述第一腔体33和所述第二腔体43可以显著减少冷却介质消耗，避免了注入大量冷却介质以浸泡超导线圈，降低了成本。因此，所述超导磁体100通过控制所述第一腔体33和所述第二腔体43的容积，可以根据实际需求调节冷却介质的用量多少，进而通过较少的冷却介质填充量即可实现高位浸泡。从而，通过所述超导磁体100不仅实现了低液氦的目标，而且不会限制磁共振序列等使用要求。

在一个实施例中，所述超导磁体100还包括第三腔体50。所述第三腔体50设置于所述容置空间810内。所述第三腔体50与所述第一腔体33连通。所述第三腔体50与所述第二腔体43连通。

所述超导磁体100的线圈超导接头、超导开关以及低温电子器件等设置于所述第三腔体50内。同时，通过所述第三腔体50、所述第二腔体43以及所述第一腔体33形成一个彼此连通的冷却腔体70。通过所述冷却腔体70可以容纳所述磁体线圈组10、线圈接头和超导开关等，使得整个超导线圈可以被冷却介质浸泡，保持良好的问题梯度。同时，所述第三腔体50、所述第二腔体43以及所述第一腔体33的各个尺寸和形状可以根据实际需求进行设置，可以使得总容积为10l至300l不等。通过所述第三腔体50、所述第二腔体43以及所述第一腔体33可以减少容纳所述外线圈110与所述内线圈120以外的额外空间，能够将整个超导线圈浸泡即可。

从而，通过所述第三腔体50、所述第二腔体43以及所述第一腔体33可以显著减少冷却介质消耗，避免了注入大量冷却介质以浸泡超导线圈，降低了成本。因此，所述超导磁体100通过控制所述第三腔体50、所述第二腔体43以及所述第一腔体33的容积，可以根据实际需求调节冷却介质的用量多少，进而通过较少的冷却介质填充量即可实现高位浸泡。从而，通过所述超导磁体100不仅实现了低液氦的目标，而且不会限制磁共振序列等使用要求。

在一个实施例中，所述超导磁体100还包括中间线圈架220、内线圈架230、第一柱形密封筒320以及两个环形板310。所述内线圈架230设置于所述容置空间810内。所述内线圈120设置于所述内线圈架230。所述中间线圈架220设置于所述容置空间810内。所述中间线圈架220设置于所述内线圈架230远离中心轴一侧。所述第一柱形密封筒320设置于所述容置空间810内。所述第一柱形密封筒320设置于所述内线圈架230靠近中心轴一侧。所述两个环形板310设置于所述第一柱形密封筒320与所述中间线圈架220之间。所述中间线圈架220、所述第一柱形密封筒320以及所述两个环形板310包围形成所述第一腔体33。

所述内线圈120通过往特定尺寸的模具上缠绕超导线，并灌注树脂后成型。然后，通过其线圈外圆柱面依次装配到所述内线圈架230的内圆柱面上。同时，通过在超导线与所述内线圈架230之间灌注树脂胶等方式，使得所述内线圈120与所述内线圈架230之间形成非常紧密和稳固的连接。所述两个环形板310设置于所述中间线圈架220的两端。同时，所述第一柱形密封筒320与所述两个环形板310也连接，进而所述中间线圈架220、所述第一柱形密封筒320以及所述两个环形板310包围形成所述第一腔体33。此时，所述第一腔体33可以容纳整个内线圈组以及线圈的接头连接线等。因此，当所述第一腔体33内充满冷却介质时，可以将整个内线圈组浸泡，实现均匀冷却。

其中，所述中间线圈架220与所述内线圈架230可以选取金属材料，可以为铝合金或不锈钢，能够实现紧密的加工，也便于各部件的装配、焊接和密封。或者所述中间线圈架220与所述内线圈架230也可采用环氧树脂等，部件之间采用粘接等方式连接。同时，在保证结构强度的前提下，所述第一柱形密封筒320和所述两个环形板310的尺寸和厚度可以设置薄些，以减小与所述低温容器80和所述内线圈120之间的间隙，进而节约成本。

所述中间线圈架220、所述内线圈架230以及所述第一柱形密封筒320为关于中心轴对称的筒状结构。所述两个环形板310分别与所述中间线圈架220和所述第一柱形密封筒320密封连接时，将两端部进行密封连接即可，解决了传统超导磁体的拐角处焊接困难的问题。同时，在两端部进行密封连接，可以使得彼此之间的受力均匀，解决了传统超导磁体连接时导致的应力集中明显的问题。并且，通过所述中间线圈架220、所述内线圈架230、所述两个环形板310以及所述第一柱形密封筒320之间的结构以及连接方式，方便组合安装。

在一个实施例中，所述内线圈架230与所述中间线圈架220之间设置有多个连接件250。

通过所述多个连接件250使得所述内线圈架230与所述中间线圈架220固定连接，且需保证足够的强度，可以抵抗线圈所受到的电磁力。同时，所述多个连接件250均匀分散设置于所述内线圈架230与所述中间线圈架220之间，以使得轴向和径向配合，确保整个磁体的磁场均匀性。所述多个连接件250的材质可以为能够抵抗收缩干涉性能的材料。

同时，所述多个连接件250设置于所述中间线圈架220时，与所述中间线圈架220的两端焊接部位间隔一定距离，用于减少焊接变形和装配误差带来的影响。

在一个实施例中，所述超导磁体100还包括中间线圈架220、第一柱形密封筒320以及两个环形板310。所述中间线圈架220设置于所述容置空间810内。所述第一柱形密封筒320设置于所述容置空间810内。所述第一柱形密封筒320设置于所述中间线圈架220靠近中心轴一侧。所述两个环形板310设置于所述第一柱形密封筒320与所述中间线圈架220之间，所述中间线圈架220、所述第一柱形密封筒320以及所述两个环形板310包围形成所述第一腔体33。所述内线圈120设置于所述中间线圈架220或所述第一柱形密封筒320。

在本实施例中，所述超导磁体100可以不包括所述内线圈架230。所述内线圈120可以直接设置于所述中间线圈架220或所述第一柱形密封筒320。此时，所述内线圈120与所述中间线圈架220或所述第一柱形密封筒320之间的装配面可以使外圆柱面或者内圆柱面，进而可以充分利用内线圈架的空间，节省成本。

在一个实施例中，所述超导磁体100还包括外线圈架210以及第二柱形密封筒410。所述外线圈架210设置于所述容置空间810内。所述外线圈110设置于所述外线圈架210。所述外线圈架210设置于所述中间线圈架220远离中心轴一侧。所述第二柱形密封筒410设置于所述容置空间810内。所述第二柱形密封筒410设置于所述外线圈架210远离所述中间线圈架220一侧。且所述第二柱形密封筒410与所述外线圈架210密封连接。所述外线圈架210与所述第二柱形密封筒410包围形成所述第二腔体43。

所述外线圈110设置在所述外线圈架210中，且所述外线圈110外层设置有所述第二柱形密封筒410。其中所述外线圈架210的截面为凹槽状，所述外线圈110设置于凹槽中，并通过两线槽法兰420将所述外线圈架210与所述第二柱形密封筒410连接。所述第二柱形密封筒410、两线槽法兰420以及所述外线圈架210包围形成所述第二腔体43。此时，所述第二腔体43可以容纳整个外线圈组以及线圈的接头连接线等。因此，当所述第二腔体43内充满冷却介质时，可以将整个外线圈组浸泡，实现均匀冷却。

其中，所述外线圈架210与所述第二柱形密封筒410可以选取金属材料，可以为铝合金或不锈钢，能够实现紧密的加工，也便于各部件的装配、焊接和密封。或者所述外线圈架210与所述第二柱形密封筒410也可采用环氧树脂等，部件之间采用粘接等方式连接。同时，在保证结构强度的前提下，所述第二柱形密封筒410的尺寸和厚度可以设置薄些，以减小与所述外线圈110之间的间隙，进而节约成本。通过两线槽法兰420将所述外线圈架210与所述第二柱形密封筒410连接，解决了传统超导磁体的拐角处焊接困难的问题，且方便组合安装。

同时，所述第二柱形密封筒410与所述两线槽法兰420焊接时，与所述外线圈110间隔一定距离，用于减少焊接变形和装配误差带来的影响。

在一个实施例中，所述外线圈架210与所述中间线圈架220通过支架240连接。

所述支架240设置于所述外线圈架210与所述中间线圈架220之间。所述支架240、所述外线圈架210以及所述中间线圈架220同轴心设置并对称。所述外线圈架210与所述中间线圈架220通过支架240固定连接，需保证足够的强度，可以抵抗线圈所受到的电磁力。所述支架240、所述外线圈架210以及所述中间线圈架220同轴心设置并对称，以使得轴向和径向配合，确保整个磁体的磁场均匀性。所述支架240的材质可以为能够抵抗收缩干涉性能的材料。

在一个实施例中，所述第一腔体33与所述第三腔体50之间设置有第一接口510，用于连通两腔体。并且，通过所述第一接口510作为所述内线圈120的超导连接线的走线通道。

所述第三腔体50与所述第二腔体43之间通过第一管路440连通。并且在所述第三腔体50与所述第一管路440连接位置处设置有第二接口520，用以连通所述第三腔体50与所述第二腔体43。同时，所述第一管路440可以作为所述外线圈架210的超导连接线的走线通路，用于容纳所述外线圈架210的超导连接线。此时，所述第一腔体33、所述第二腔体43、所述第三腔体50以及彼此之间的连接管路充满冷却介质时，可以将所有线圈、线圈接头、超导开关以及低温电子器件等全部浸泡，实现均匀冷却。

在一个实施例中，所述第三腔体50设置于所述中间线圈架220远离中心轴一侧，可以占用较少的所述容置空间810。同时，所述第三腔体50设置于整体磁场较弱的位置，可以避免对整体磁场产生影响。

在一个实施例中，所述超导磁体100还包括制冷装置90。所述制冷装置90设置于所述低温容器80远离所述容置空间810一侧。所述制冷装置90与所述第一腔体33密封连接。所述制冷装置90用于对冷却介质进行冷凝回流。

所述制冷装置90为制冷机。所述制冷机的制冷极60通过第三管路610和第三接口620与所述第一腔体33连通，形成冷却介质冷凝回流通道。所述制冷机的制冷极60、所述第一腔体33、所述第二腔体43以及所述第三腔体50通过若干接口和管路形成密封的所述冷却腔体70。当正常工作时，部分冷却介质汽化为气体时，上升到顶部，被制冷极60冷凝回流。当失超时，所述冷却腔体70内的冷却介质吸收失超热量，迅速气化为热气体，产生数兆帕的压力。当失超后，制冷极60不断冷凝介质气体，逐步回流，最终达到初始状态。

请参见图2，在一个实施例中，所述第一腔体33、所述第二腔体43以及所述第三腔体50包围形成冷却腔体70。所述冷却腔体70与所述低温容器80内壁包围形成外腔73。所述制冷装置90与所述第一腔体33通过第三管路610连接。所述超导磁体100还包括排气管路710以及控制阀720。所述排气管路710设置于所述第三管路610，用于与所述外腔73连通。所述控制阀720设置于所述排气管路710。

其中，通过所述排气管路710与所述第三管路610，实现了所述冷却腔体70与所述外腔73的连通。同时，所述控制阀720的开启压力设置高于正常工作时冷却介质气体的压力，从而使得磁体失超时，所述冷却腔体70内的冷却介质气体能提前释放。由于所述外腔73的体积较大，此时通过所述排气管路710和所述控制阀720，使得冷却介质气体的压力由所述低温容器80来承担，进而使得所述冷却腔体70内的压力明显小于未设置排气管路710和控制阀720时的失超压力。

请参见图3，在一个实施例中，所述超导磁体100还包括第四管路740。所述第四管路740一端与所述第三管路610连接。所述第四管路740另一端与所述第二腔体43连接。

通过所述第四管路740的两端分别连接所述第二腔体43和所述第三管路610，实现首尾连接，形成了一个封闭且环状的冷却腔体70。从而，通过首尾连接形成的冷却腔体70，可以使得液氮在封闭腔体内循环流动，进而实现更好的冷却效果。

请参见图4，在一个实施例中，所述超导磁体100还包括制冷装置90。所述制冷装置90设置于所述低温容器80远离所述容置空间810一侧。所述制冷装置90与所述第一腔体33连接。且所述制冷装置90与所述第一腔体33连接位置处设置有开口630。

通过所述开口630使得所述制冷装置90与所述第一腔体33连接的所述第三管路610为开口状。此时，所述冷却腔体70与所述外腔73是连通的。从而，当所述冷却腔体70内的冷却介质汽化后会直接进入所述外腔73(即所述低温容器80的所述容置空间810内)。同时，冷却介质汽化后会被所述制冷极60冷凝并通过所述第三管路610回流。通过所述开口630简单结构的设置，失超压力低。

在一个实施例中，当冷却介质为液氦时，常规低液氦磁体，由于液氦量较少，磁体发往场地时，往往要经历长时间的运输，少量的液氦会很快蒸发完，后磁体温度不断上升直至达到常温状态，此时需要对磁体进行重新预冷。

然而，在运输时，在所述超导磁体100中的所述外腔73(所述低温容器80内剩余腔体空间)内灌注更多的液氦，以满足长途运输的需要。同时，在短途运输时，通过所述外腔73内液氦可向所述冷却腔体70内填充少量液氦。

在一个实施例中，所述外腔73(所述低温容器80内剩余腔体)内还可填充一定量的高热容介质，如液氮或水等。在磁体预冷时，将介质冷却为固态冰。在磁体运输时，高热容介质可吸收更多的热量，从而大大延长运输时间。在磁体失超时，高热容介质也吸收磁体失超产生的热量，从而减缓线圈温度的上升，缩短磁体冷却时间。

在一个实施例中，所述低温容器80包括内容器820、中间热屏蔽层830以及外真空容器840。所述低温容器80为低温保持器，所述内容器820、所述中间热屏蔽层830以及所述外真空容器840同轴设置。

在一个实施例中，由于所述第一腔体33、所述第二腔体43、所述第三腔体50以及连接管路包围形成一个封闭的冷却腔体70。所述冷却腔体70内充满冷却介质，可以对所有线圈、线圈超导接头、超导开关以及低温电子器件等得到均匀冷却。因此，所述低温容器80包括中间热屏蔽层830以及外真空容器840，可以不包含内容器820，使得所述低温容器80结构简单，且节约成本。

在一个实施例中，一种磁共振成像系统包括如上述实施例中任一项所述的超导磁体100。通过所述超导磁体100可以使得所有线圈、线圈超导接头、超导开关以及低温电子器件等得到均匀冷却，使得所述超导磁体100保持良好的磁场稳定性，进而提高了磁共振系统的成像质量。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。