一种发光装置的制作方法与流程

本发明属于发光二极管制造技术领域，具体涉及一种发光装置的制作方法。

背景技术：

发光二极管因其具有寿命长、驱动电流低、节能环保等优点，广泛应用于普通照明、植物灯、背光源、车灯等领域，逐渐成为了新一代的照明工具，与传统光源相比，发光二极管在技术方面还有很大的提升空间。

目前，现有的发光二极管模块制作方法：1、将发光元件按阵列方式排列在附带定位槽的基板上；2、采用涂覆、点胶、喷粉、荧光片等工艺进行封装；3、模压透镜；4、切割机识别基板上附带的定位槽进行切割，将排布的发光元件分割成单个的发光装置。

上述的制作方法，虽然具有工艺简单、成本较低的优势，但是时常会在切割位置不精准或模压透镜的位置发生偏移时，出现切割划伤透镜的情况，直接降低发光装置的良品率和可靠性，因此，在发光装置的制作过程中，提升切割位置的精确度是极其重要的，尤其是针对较为高端的产品，在切割时，避免划伤透镜的情况发生，可大幅度降低生产的质量成本。

技术实现要素：

为了克服上述技术缺陷，本发明提供了一种发光装置的制作方法，其能提高切割位置的精确度。

为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：

一种发光装置的制作方法，包括如下步骤：

将若干个发光元件排布在基板上，在每一个所述发光元件的上表面和四个侧面覆盖光透层、和/或光转换层；

利用模具，在所述光透层、和/或所述光转换层的外表面模压封装得到透镜，同时在所述基板的边缘模压封装得到方形胶体，相邻的所述方形胶体之间有沟槽；

增大所述方形胶体的上表面与所述沟槽的底面之间的光折射率差；

采用切割机识别所述沟槽，进行切割，将所述发光元件分割成独立的发光装置。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：在模压透镜的同时，在基板的边缘模压方形的胶体，结合后续增大所述方形胶体的上表面与所述沟槽的底面之间的光折射率差的工艺，制作出与相邻透镜之间的间隔位置相对应的沟槽，以沟槽作为定位槽，不依靠基板附带的定位槽，可提高切割位置的精确度，即使模压透镜的位置发生偏移，也可避免切割划伤透镜的情况的发生，具有制作工艺简单、实用性高、成本低等优势。

作为本发明的进一步改进，将若干个发光元件排布在所述基板上具体为：

所述发光元件以m×n的单元阵列排布在所述基板上，其中，m≥2，n≥2，每一个所述单元包括至少一个所述发光元件。

作为本发明的进一步改进，所述光透层包括至少一种胶体，所述光转换层包括胶体和至少一种荧光体。

作为本发明的进一步改进，所述模具包括：上模具和下模具，所述上模具具有与所述发光元件的排列方式和中心位置一一对应的圆弧形凹槽，在所述圆弧形凹槽的阵列排布的边缘，具有方形凹槽，位于同一直线上的所述圆弧形凹槽和所述方形凹槽的中心点在同一条直线上。

作为本发明的进一步改进，在所述光透层、和/或所述光转换层的外表面模压封装得到透镜具体为：

使用所述上模具、所述下模具模压封装后，在所述基板上与所述上模具的所述圆弧形凹槽对应的位置，得到圆弧形的所述透镜。

作为本发明的进一步改进，在所述基板的边缘模压封装得到方形胶体具体为：

使用所述上模具、所述下模具模压封装后，在所述基板上与所述上模具的所述方形凹槽对应的位置，得到所述方形胶体。

作为本发明的进一步改进，相邻的两个所述方形胶体之间的水平间距小于或等于相邻的两个所述透镜之间的水平间距。

作为本发明的进一步改进，增大所述方形胶体的上表面与所述沟槽的底面之间的光折射率差具体为：

对所述基板的边缘进行蚀刻，蚀刻反应发生在所述沟槽的底面，将除所述方形胶体的覆盖面以外的所述基板的上层的金属层腐蚀，使下层的非金属层裸露。

作为本发明的进一步改进，增大所述方形胶体的上表面与所述沟槽的底面之间的光折射率差具体为：针对所述基板的边缘进行涂墨，涂墨发生在所述方形胶体的上表面，所述方形胶体之间的所述沟槽的底面未被涂墨。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：

图1为实施例一所述制作方法的流程图；

图2为实施例二步骤中s21的状态示意图；

图3为实施例二步骤中s22的状态示意图；

图4为实施例二步骤中s23的状态示意图；

图5为实施例二步骤中s24的状态示意图；

图6为实施例三步骤中s31的状态示意图；

图7为实施例三步骤中s32的状态示意图；

图8为实施例三步骤中s33的状态示意图；

图9为实施例三步骤中s34的状态示意图；

图10为实施例三中基板边缘的蚀刻过程的局部放大示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一

本实施例提供了一种发光装置的制作方法，如图1所示，包括如下步骤：

s11、将若干个发光元件排布在基板上，在每一个发光元件的上表面和四个侧面覆盖光透层、和/或光转换层。

s12、利用模具，在光透层、和/或光转换层的外表面模压封装得到透镜，同时在基板的边缘模压封装得到方形胶体，相邻的方形胶体之间有沟槽。

s13、对沟槽的底面或对方形胶体的上表面进行增大光折射率差处理。

s14、采用切割机识别沟槽，进行切割，将发光元件分割成独立的发光装置。

在上述实施例中，将若干个发光元件排布在基板上具体为：

发光元件以m×n的单元阵列排布在基板上，其中，m≥2，n≥2，每一个单元包括至少一个发光元件，优选的，m的取值为2～60，n的取值为2～60。

在上述实施例中，光透层包括至少一种胶体，光转换层包括胶体和至少一种荧光体，胶体可以为现有的发光二极管的封装工艺中常用的胶类，如硅胶、树脂等，作为优选，胶体为硅胶，荧光体包含现已公开的荧光粉、量子点和荧光片等中的任意一种或多种组合，如：氮氧化物荧光粉、yag系列荧光粉、氮化物荧光粉、铝硅酸盐荧光粉等。

在上述实施例中，模具包括：上模具和下模具，上模具具有与发光元件的排列方式和中心位置一一对应的圆弧形凹槽，在圆弧形凹槽的阵列排布的边缘，具有方形凹槽，位于同一直线上的圆弧形凹槽和方形凹槽的中心点在同一条直线上，即便是在上模具模压发生偏移时，沟槽的位置也会发生偏移，不影响切割。

在上述实施例中，在光透层、和/或光转换层的外表面模压封装得到透镜具体为：使用上模具、下模具模压封装后，在基板上与上模具的圆弧形凹槽对应的位置，得到圆弧形的透镜。

在上述实施例中，在基板的边缘模压封装得到方形胶体具体为：使用上模具、下模具模压封装后，在基板上与上模具的方形凹槽对应的位置，得到述方形胶体。

在上述实施例中，相邻的两个方形胶体之间的水平间距a小于或等于相邻的两个透镜之间的水平间距b，以免损坏透镜，作为优选的a：b＝0.2～1.0，进一步优选为a：b＝0.6～0.8。

在上述实施例中，对沟槽的底面或对方形胶体的上表面进行增大光折射率差处理具体为：对基板的边缘进行蚀刻，蚀刻反应发生在所述沟槽的底面，将除方形胶体的覆盖面以外的基板的上层的金属层腐蚀，使下层的非金属层裸露，通过蚀刻增大了沟槽的底面与方形胶体的上表面之间的光折射率，沟槽作为后续切割工艺的定位槽，更易于识别。

在上述实施例中，对沟槽的底面或对方形胶体的上表面进行增大光折射率差处理还可以为：针对基板的边缘进行涂墨，涂墨发生在所述方形胶体的上表面，方形胶体之间的沟槽的底面未被涂墨，通过涂墨增大了沟槽的底面与方形胶体的上表面之间的光折射率，沟槽作为后续切割工艺的定位槽，更易于识别。

实施例二

本实施例提供了一种发光装置的制作方法，包括如下步骤：

s21、如图2所示，将24个发光元件101以4×6排布在基板102上，在每一个发光元件101的上表面和四个侧面覆盖光透层、和/或光转换层，光透层的主材料为硅胶。

s22、如图3所示，利用模具，在光透层、和/或光转换层的外表面模压封装得到透镜103，和在基板102的边缘模压封装得到方形胶体104，相邻的方形胶体104之间有沟槽105。

s23、如图4所示，采用涂墨的方式对方形胶体的上表面进行增大光折射率差处理，针对基板102的边缘进行涂墨，由于方形胶体104的阻挡，涂墨发生在方形胶体104的上表面，方形胶体104之间的沟槽105的底部未被涂墨，使得方形胶体104的上表面和沟槽105的底部之间的光折射率相差较大，沟槽105便可作为后续切割工艺的定位槽。

s24、如图5所示，采用切割机识别定位槽105，进行切割，将发光元件101分割成独立的发光装置，其中，每块基板102需要切割的次数为5×7。

实施例三

本实施例提供了另一种发光装置的制作方法，包括如下步骤：

s31：如图6所示，将40个发光元件201以5×8的阵列方式排布在金属基板202上，在发光元件201的上表面和四个侧面覆盖一层的光透层，其中，光透层的主材料为硅胶。

s32：如图7所示，利用模具，同时在光透层的外表面模压封装得到圆弧形的透镜203和在金属基板202的边缘模压封装得到方形的胶体，相邻的方形胶体204之间具有等间距的沟槽205。

s33、如图8和图10所示，采用蚀刻的方式对沟槽的底面进行增大光折射率差处理，针对金属基板202的边缘进行蚀刻，蚀刻过程如图10所示，由于方形胶体204的保护，蚀刻反应发生在相邻的方形胶体204之间的沟槽205的底部206，将除方形胶体204的覆盖面以外的金属基板202的上层的金属层207腐蚀，使用下层的非金属层208裸露，增大方形胶体204的上表面和沟槽205的底部206之间的光折射率差，沟槽205便可作为后续切割工艺的定位槽。

s34：如图9所示，采用切割机识别定位槽205，进行切割，将发光元件201分割成独立的发光装置，其中，每块金属基板202需要切割的次数为6×9。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，故凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。